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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑
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! u. s7 O0 P* g2 s; C目录" ] t4 i5 T- [
1 DDRx的差异
1 \8 v9 S# J/ S8 y: y2 电源
% Y, N1 O7 W% s1 K0 Y& ]% P2.2 参考电源 Vref. V+ F9 u& j, [
2.3 用于匹配的电压 Vtt k' E- l( f; \, i0 s6 v
2.4 DDRx电源设计小结
9 Y H* } U/ @9 @" R5 r" S0 ]7 a0 q3 时钟
+ d" e$ Q2 q3 L- Z9 j8 X. ^' z0 G4 数据 DQ和 DQS ' R, ? C" q7 [) J
5 地址和控制
/ G8 x* [7 y8 a6 J; y7 U& K1 a+ G6 PCB 布局注意事项 , x: u& ~/ d2 h* F$ q" l
7 EMI 问题) Y: w1 @8 R8 ~$ V' S
8 测试方法
* A5 q R/ D; }8 l0 A) w
( k m P# {7 B: [参考链接：' f/ V( q0 y2 ]( `* F/ o5 l
; [ \0 |$ x1 d! y: A2 k L' E! o- ~
f9 }. y5 a) x! h& o 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。
' l' a1 ~9 P! D5 p1 ]+ I1 K" m1 m: G6 u. u: E0 i/ {) L( ]
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
* q9 g3 Y! C% g" E " X6 X6 y' C) K" q- C" I5 e
- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
) Z6 ~% x5 h8 }
+ [1 ]5 d( X8 e: s
图1 DDRx 频率特征 4 I4 m _3 l) v3 {: S
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。
& R9 K! d( _- p$ F* y
* q4 s* f( U/ Y$ q+ A: C9 a# V3 J" J2 x) Z4 N+ n' r
: Y( b! l; e) Y0 T& p
) k7 C' N; o; ?4 H; l3 M2 R
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