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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 2 e/ `6 e k9 t9 ?0 R! g% w% z
. K) B& C0 k _1 q8 o9 N目录6 E2 w% N7 L! J8 E
1 DDRx的差异
j, @8 V2 P! V0 f2 电源6 N0 T1 e9 g2 p! G- h+ }
2.2 参考电源 Vref& x) X k$ k. j) s) e2 J
2.3 用于匹配的电压 Vtt
, O* f4 c. _0 U# |* q- x2.4 DDRx电源设计小结
' q$ b7 K- g9 F& \. L3 时钟' h6 E( j l/ g, m
4 数据 DQ和 DQS
2 C2 P0 h5 c) N% U9 P$ j) y$ ?: ?: l5 地址和控制 1 U0 D" Q9 F3 L% J
6 PCB 布局注意事项 @& o' r4 d" ~" Z# e
7 EMI 问题- [2 l- M) n1 s! ~5 v' @
8 测试方法1 v7 ?. t. X# Y3 V; a
6 f f( J2 w% e* V( L9 q3 R
参考链接：
# X, n7 {! l1 S1 @ [& S/ U0 j" I
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3 _& G ~: H; @% Y
内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。" D* `( u1 Q. C1 v( F
! a [3 W8 j( Q% u4 }1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
8 B$ B0 n0 |2 j% p8 r; Y3 _ r 2 v9 P3 e' [1 N. h% E0 \
- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
7 J$ y+ q! M" w, m5 P" M, d+ O* c' C3 q/ `" H3 a
图1 DDRx 频率特征 % h z( X* T$ B' `) [
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。6 c/ t4 Q' ]3 `. P" o; \" G# M9 G
' e9 s% P1 M, j
! K! I0 E* p M- I+ Z, o4 a; f4 Q: W% y
% q3 E! |; B' { a
3 ^# [, b9 [2 U" i3 B; J
9 Y* n' T \" x! Q3 v7 A | 
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