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国产5G功放驱动芯片YG802020W量产

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发表于 2020-7-9 10:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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       5G时代,GaAs材料适用于移动终端。GaAs材料的电子迁移率是Si的6倍,具有直接带隙,故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能,被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中,目前射频功率放大器绝大部分采用GaAs材料。
       来自市场研究机构Fact.MR的一份报告显示,从现在到2028年,当前市场规模为30亿美元的射频功率放大器市场的年度复合增长率将达到12.2%。
根据这份报告,市场的主要增长动力来自于5G蜂窝网络的扩大部署,以及智能设备和连接技术的持续渗透。
       目前其主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等,难道我们国内就没有自己的中国芯了吗?
       答案是:有!!
       日前,苏州英诺迅科技股份有限公司(新三板代码:831789)推出专用于5G通讯且兼顾其他应用的宽带放大器芯片(General Purpose Broadband Amplifier MMIC)YG802020W,可应用于5G通讯的Pre-Driver,及其他应用方面的射频微波信号放大。
先上对比
Electrical Specifications@25℃
       苏州英诺迅YG802020W芯片基于三安集成电路有限公司的InGaP/GaAs HBT工艺制程;内部集成有源偏置及温度补偿电路,以提高电路线性度,实现温度补偿;芯片工作频段50MHz~8GHz,覆盖3G/4G/5G移动通讯、GPS/CPMPASS/BDS、2.4GHz/5.8GHz ISM等无线通信频段;芯片采用单电源5V供电,并可通过外接不同阻值的电阻调节偏置电流;芯片采用符合工业标准的DFN封装,内置ESDVSWR保护,具有高可靠性。


主要性能特点:
电源电压Vcc(V):3.3~5V
静态电流(mA):10~93
工作带宽(MHz):50~8000
带内增益(dB):≥18
增益平坦度(dB):±1.5
P1dB(dBm):21@3.5GHz
增益(dB):18.5@3.5GHz
OIP3(dBm):+35@3.5GHz
≥+34.5@3.2~3.8GHz(5G通讯n78频段)
≥+34@2.3~2.7GHz(5G通讯n41频段)
封装形式:DFN-2x2-6L


5G应用样板测试曲线:
图1.带内小信号S参数测试曲线(Ic=75mA)
图2.带内不同工作电流情况下噪声vs.频率测试结果(Vcc=5V,Temp=+25℃,50欧姆系统)
图3. 5G通讯n78频段P1dB vs.频率测试结果(Vcc=5V,Temp=+25℃,50欧姆系统)
图4.5G通讯n78频段OIP3vs.频率测试结果(Vcc=5V,Temp=+25℃,50欧姆系统)
图5.5G通讯n41频段 P1dBvs.频率测试结果(Vcc=5V,Temp=+25℃,50欧姆系统)
图6.5G通讯n41频段OIP3vs.频率测试结果(Vcc=5V,Temp=+25℃,50欧姆系统)

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 楼主| 发表于 2020-7-9 10:44 | 只看该作者
YG802020W芯片基于三安集成电路有限公司的InGaP/GaAs HBT工艺制程;内部集成有源偏置及温度补偿电路,以提高电路线性度,实现温度补偿;芯片工作频段50MHz~8GHz,覆盖3G/4G/5G移动通讯、GPS/CPMPASS/BDS、2.4GHz/5.8GHz ISM等无线通信频段;芯片采用单电源5V供电,并可通过外接不同阻值的电阻调节偏置电流;芯片采用符合工业标准的DFN封装,内置ESD和VSWR保护,具有高可靠性。
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