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1、BGA(ballgridarray)
& `0 R3 h" l8 S8 t 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
* l& \' D2 G5 ~* X ~ 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
6 W% v* ^6 b, x" {4 N 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
, q o* a! r" j% r/ y 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
6 [! Y* \5 a6 A4 a8 u6 M0 a R, ?, x* J
; p' e- F, O+ v* J: C
# s" K0 c& H$ e* K5 {
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
/ _, ]# T* Z! Q3 e( B 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用6 Z/ w1 U n+ X0 J% ?8 m2 ^
此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。; W1 u5 z, f, {# C+ J
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)9 v2 P$ b3 x5 y ^( U/ C
表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。) D. W7 L7 }9 W0 z. f/ ]. ~
4、C－(ceramic)
; s1 p3 {8 o9 C9 U% \1 P' z. u- P 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
) i: l/ W* @8 Z. F( e E 5、Cerdip
; l- \* W% B7 H8 y4 _: T 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
; H) N% P+ C7 G1 t' n4 A 6、Cerquad/ [& X2 o/ d3 p, ~9 M0 d
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。- t+ M8 ~( w, @8 |4 z
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)2 e, M% d0 Y2 @; B# e
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。, u/ m/ A7 a' b8 g! q6 o/ ^
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。. S4 ?2 p' p ]: ]
8、COB(chiponboard)
- E5 t$ y' A4 G1 M 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。! R! D z, _9 K4 F" C
9、DFP(dualflatpackage): i& k7 A. i. G; d! P
双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
; y1 [( \5 l. G' e a# m5 ~$ s 10、DIC(dualin-lineceramicpackage)' o; _9 L& ~ P6 x, P. w
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
' B0 p; f3 g$ X: x: q8 V 11、DIL(dualin-line)( {) A; v# }2 u q* A/ M
DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
% {0 J% W$ e7 u+ g9 ?3 ~# | 12、DIP(dualin-linepackage)3 L' z5 U9 e5 v( d* Q8 p6 a& X
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
8 [+ U9 I/ k" x2 X. K3 ]* f 13、DSO(dualsmallout-lint)! s7 H2 f6 `- s/ I a
双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
2 O4 [1 x, j( Y! e 14、DICP(dualtapecarrierpackage)
9 v4 R5 M( O- @3 h3 K1 p1 [- w; ?, n8 F 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
8 d: W! d% ?, a5 l 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
; @# C) C* S2 o( K: D 15、DIP(dualtapecarrierpackage)1 y1 L0 p2 [# w9 F; w: @4 y
同上。0 ~$ i0 T& j% e' ]8 L
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
# j, E' P4 a( i; ^ 16、FP(flatpackage)# N4 d. S" X6 ]) Y; `$ Q* Z. m
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
- U( P3 n# e3 G' d( L* B/ E7 A 17、flip-chip
+ @9 @+ L h7 D0 H$ h% O* T# z 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。* }& N5 J! I% U' N, ^
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
8 c1 h$ K9 u, A; G7 n |4 c$ ~ 小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
1 c3 V+ u- B: l( f1 L% L' [ 19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
. i( `% U( A# P' k2 h 美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
" e6 ]& s& r/ V: ?3 Z 20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)" @% h& k Z! b5 H- a% f# ]
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
% `1 ?5 h* ^. g: l: a 在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。0 J+ S( U: R7 `" w! W) V
21、H-(withheatsink)
+ q5 w2 F- F$ V6 {6 t 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
& R& B4 J( v& b8 s; _2 m/ O( G 22、pingridarray(suRFacemounttype)4 |- u6 z1 B: c0 ?
表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
2 _* P4 Q/ x# q: u% w 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)' \* S/ r' ?+ w
J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。' U9 d6 H- Y, ]& j0 V
24、LCC(Leadlesschipcarrier), Q# X, Z& A3 e: C1 W5 |
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。1 q# P. [) K/ h# q$ A
25、LGA(landgridarray)9 X8 H/ p2 G l2 R) s$ w
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑0 ?( ^. J# M& }
LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。4 p% |* p/ Q0 @, L
26、LOC(leadonchip)
! B- y+ h& r7 R' |- Y$ b8 o0 Y 芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。6 U" `9 f5 ]* L: i+ N! T+ i2 n
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
6 c* a2 W$ ~4 Q( I; d6 T 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
" `" R1 c2 e- Y' j 28、L－QUAD! [( m2 M( o4 s |
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。; n( L) k* K- V% n1 i
29、MCM(multi-chipmodule)3 y+ d3 j$ [: p1 s3 Y9 M( R
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。( R8 Q2 I. p0 ]1 |' v' G
MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
+ F& i7 K8 E3 R* R MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使) Y& q# m2 R# W' f$ S4 E
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
% t# u+ r' Q% b* e1 @ MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
) f- F3 K$ w6 p% h* }) G 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。3 \% z( x4 I# B0 ?
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发表于 2020-7-1 10:52
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