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1、BGA(ballgridarray)2 T' I3 a/ F! R1 U( g& x
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
5 h: {8 m6 z l7 l 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
, o; n0 X: j% m; @1 j 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
8 ~5 ?' v9 L2 `: O; o' [ 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
+ n% g% a# k0 Y9 r! H! N! u9 `; E1 z
- Q7 D* q5 s3 l
; Z7 a" C! X8 V, q 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)( ~" \! b; i$ b* E
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用) T" A8 Q# k( o
此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
( B# l4 _1 S, ^& o& i; I' h- u 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray) }+ a) F: ?4 m: M* E
表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
' K# o! u9 B9 Q; z& i: |9 j! I# [ 4、C－(ceramic)$ H! y. B: }. a1 n7 w9 w+ o
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
" h/ `- W: U) T: f 5、Cerdip
4 T7 R8 T \* }% N$ ? 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
7 @2 h9 u7 c, h1 Y& }7 h; d, q2 j; v( F 6、Cerquad7 n3 B3 M7 X: M. \5 b+ `. n. q
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。- O) y0 D( M! i
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)- M k2 p8 `5 B, \
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
w: Q7 ^" Y, h, I5 j7 u9 |, @+ y 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
+ O4 s" _+ e' V8 G" V: t 8、COB(chiponboard)
: g8 q) n& Z0 V1 U 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
( r' E0 Q1 q7 e- ^) {! j" x% w0 J; { 9、DFP(dualflatpackage)! y& s2 _/ J7 O$ y+ N
双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。+ I- a ?- p. w" Z
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
0 ~& I7 R2 s6 V: {; E 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP)./ Q2 L6 ?& B+ i; o9 x7 D% b
11、DIL(dualin-line)
5 D" w0 C: }( t- `* ~ H DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
3 G+ X; D& ~1 r0 }; l1 v 12、DIP(dualin-linepackage)
8 T( m+ D4 w0 B1 X( c 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。, K' P" y4 ]: y0 w
13、DSO(dualsmallout-lint)
6 T' L$ @2 }( Y 双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
8 L$ t+ p$ `- D( K3 C/ M7 ]# r 14、DICP(dualtapecarrierpackage)0 A2 I# F7 q$ D& B4 _
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
3 ]) V4 T& Y, N( ] l1 B; ] 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
. u5 r8 ~5 P% e4 F9 v! C* u 15、DIP(dualtapecarrierpackage)
& F, l' l! ?) P 同上。
. P% u$ Q, R: b0 s: D/ ] 日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。. N2 M' u* H) d* _
16、FP(flatpackage)* t: O! n3 i; m3 `) Z
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
# l+ A" _- B% i8 o 17、flip-chip
: F/ n! m6 e; q, \. ^ 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
5 d* m* t' c% T' T; ^2 ^7 h 18、FQFP(finepitchquadflatpackage)3 c- B5 ?) a- I/ U
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
; Y1 p/ X0 [* ~ B% C 19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
( {8 {# u6 n- ]7 s6 a 美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
5 R5 c5 @# f. n5 M 20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring). d& ]9 S9 @$ E7 A9 ~6 A8 I
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
& b& p! o, n5 o 在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。2 a" ^( C( Z: ]
21、H-(withheatsink)- X# o1 ^. g2 _
表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
4 I0 z) P! R2 O; v- @ 22、pingridarray(suRFacemounttype) J7 P; E# A7 }" j. a
表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
$ q( R6 q8 \/ b3 H1 g- `9 J 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)0 Q5 Y, ~4 H3 Z% d d. K& i
J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。1 E- n2 y* r& R+ y# b
24、LCC(Leadlesschipcarrier)7 U, m, h+ ?; Z! j1 o
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
- v K K" h% B; H- ]4 n1 X8 N* Q0 I 25、LGA(landgridarray)# k8 [* X& W2 I( z h$ u
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑
3 A& o1 j1 |5 G2 Y1 T" b6 } LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。8 b" K2 H5 m# T+ v# o) ?7 V( c
26、LOC(leadonchip)7 F- n1 E2 F8 @- i a- D3 }
芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
. w) Y! w2 [' ^9 F4 q# D 27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
& Y8 A) V, ~+ N9 a 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
% ^, Y3 o; t- P6 p* S( k a2 T 28、L－QUAD0 D4 f3 h: n& }2 g, x. F0 h
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
9 D5 H5 X% I9 Q6 a8 Q. ? 29、MCM(multi-chipmodule)
6 J* U1 ~% I/ m; i* l8 d% ~ 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
' H @: k3 E) H7 u" B MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
) ^7 h' }! t2 u0 n8 ~ MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
2 x' x7 q% [+ N N' B: c) V 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
+ h; h1 A( {5 K: R8 b3 e$ k' w MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。( d$ v1 Q; E3 m' w
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
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发表于 2020-7-1 10:52
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