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请教晶振电容在PCB的摆放问题

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1#
发表于 2020-6-23 17:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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偶平时设计过电容再到晶振,周围包地,晶振下保持干净完整平面。* z1 a# x! F* g) G
在一些硬件指导或者DEMO上有这两种做法:9 k- g1 R+ n% F% `6 n6 Z4 v- `' @
1、有先过电容再到晶振;8 E( M; Y/ w1 K8 _% G( p+ b
2、有先过晶振再到电容(以前听老工程师说这会产生STUB效应);
" |3 F- P+ E( ]- C1 Z有些DEMO参考板客户强烈要求按DEMO板布局布线,毕竟这是调试没有问题。
# ?' v% \( z+ _/ b. Y# n平时没有机会调试,请大神解释下这两种处理方式。, A7 r+ ^: s, n  l, N0 O5 V$ Z
. a; ]7 U$ @2 p# C: Q0 i

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该用户从未签到

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发表于 2020-7-20 19:24 | 只看该作者
这种频率的晶振对于电容的摆放位置要求不高

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参与人数 1威望 +5 收起 理由
超級狗 + 5 也對!

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2020-6-24 15:15 | 只看该作者
    靠近MCU越近越好,即引线越短越好;
    5 u! Q) z: k3 \7 t! Z+ f  [-----一般是这样,但是有时候主芯片发热比较严重的话,要考虑温度对晶振稳定性的影响,可能还要考虑适当地拉远一些。

    该用户从未签到

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     楼主| 发表于 2020-6-24 10:11 | 只看该作者
    fisheryzh 发表于 2020-6-24 09:41
    ) x* L  w* b" c到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。% m+ z0 E( |+ \" Z7 e+ I
    布局布线原则:
    : t/ O! z+ b/ \/ Z# z4 X# ?1、减小寄生电容和寄生电感,晶体 ...

    9 j7 o& c, w8 ~1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好;
    ) @3 J" k) W) \7 `& l2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔;* ?! M- Q2 t# R, ^( w6 F
    3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源;; F4 m7 E# h. S- D. z
    4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边;
    ( [; `- w! I: H( n3 l/ |0 ?
    , B2 n1 m! d: V9 @( ePS:1.基于以上设计,两种是否都OK,有仿真或者实操的帮解释下。
    ( M3 `7 g6 L' H. y2 E      2.有时做不到以上第三点,但是相邻或接近(如1-2MM内),晶体下还是保持干净,是否也是OK?
    1 a5 \2 q. c" x& J6 ^! i3 ~, i2 M& `

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-6-23 17:55 | 只看该作者
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    点评

    也是和你一样方式处理。  详情 回复 发表于 2020-6-24 09:11

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2020-6-24 09:11 | 只看该作者
    xxxxc 发表于 2020-6-23 17:55
    ; R8 A. `4 A) Z; g. ^9 B: U一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题
    5 b  x; r( ]4 f  a2 ~8 m4 e5 s
    也是和你一样方式处理。2 v' f* W4 ~" L
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-16 15:23
  • 签到天数: 7 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2020-6-24 09:41 | 只看该作者
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。  b8 H8 ]" e6 F8 n$ f
    布局布线原则:
    3 q! p$ b- l5 C; W6 ?1 l8 {1、减小寄生电容和寄生电感,晶体到MCU的引线等长,走线长度足够短,避免分叉;
    - Y2 ?4 F3 h% n% D2、MCU的电源要有足够的滤波电容,保证高频干扰串入晶体电路;
    % V9 s1 W) V$ _7 }( K5 w& o) F& E3、晶体电路需要包地,包地的地线需要打过孔到gnd layer;
    " v1 |' D$ t: o4、晶体电路远离高频信号;
    0 M7 O  o) @- z& W) t7 O% U5、电容是放在晶体和MCU的中间,还是外面,依然实际器件尺寸和布局布线情况选定;

    点评

    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好; 2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔; 3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源; 4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边; PS:1.基  详情 回复 发表于 2020-6-24 10:11

    评分

    参与人数 1威望 +10 收起 理由
    admin + 10 EDA365有你更精彩!

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-5-26 15:07
  • 签到天数: 93 天

    [LV.6]常住居民II

    7#
    发表于 2020-6-26 08:52 | 只看该作者

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    8#
    发表于 2020-6-30 19:26 | 只看该作者
    没啥区别,这里的电容不是滤波用,是震荡电路。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-23 15:12
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2020-6-30 22:50 | 只看该作者
    我常用的都是第一种,没出现过问题!

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    无聊
    2024-4-26 15:13
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    10#
    发表于 2020-7-1 08:41 | 只看该作者
    应该是先过晶振,后过电容

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-7-1 10:34 | 只看该作者
    这电容不属于滤波,所以位置只要就近晶振即可,振荡作用

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2020-7-1 10:58 | 只看该作者
    学习学习,电容应该是滤波的作用吧

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-7-2 08:41 | 只看该作者
    我都是先过电容再到晶振

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2020-7-20 07:51 | 只看该作者
    这个情况基本没考虑过,因为看到的基本上都是第一种,所以习惯性的就喜欢用第一种

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2020-7-20 09:31 | 只看该作者
    ST官方关于晶振的处理分析文档的。

    AN2867 Oscillator design guide for STM8AFALS, STM32 MCUs and MPUs.pdf

    2.9 MB, 下载次数: 30, 下载积分: 威望 -5

    点评

    对,有些官方手册会有布局布线的指导说明。  详情 回复 发表于 2021-2-4 14:46
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