关于DDR2终端电阻的添加？

忘顰

如题：
DDR2到底需要添加终端电阻不？


$ T8 [, T4 z0 Q! ~3 l* r/ MDDR2中有个ODTPIN,　　是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。作用：DDRII内建了终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。

但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。

那么DDR2到底需要添加终端电阻不？或者是什么情况下需要？什么情况下不需要？

cwfang

回复 1# 忘顰


7 |( |+ S$ N6 D$ z) N; w    帮你顶起，这个问题我也想知道，如果使用了odt，那读ddr2的数据，要不要匹配电阻，怎么匹配？

liqiangln

首先明确ODT是针对数据线的，还要明确数据线是大多数1对1的（不过也有通过/CS来区分1：2的情况）。
DDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下，需要增加上拉电阻，因为地址/控制线没有ODT功能。
  {. V/ |4 o) {( B$ T" |“DDRII内建了终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。”
Qiang：个人解释一下，就是说明数据线是处于1：2的情况下，这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点，而打开远端结点的ODT功能，工作的确没打开，这个是菊花链匹配的效果（可以研究一下菊花链匹配的反射计算）。如果打开工作的ODT，而未工作的ODT没打开，就是一段线的反射（影响的效果跟速率与线长有关，此时是线太长了）。如果同时打开，相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm，端接不匹配。

cwfang

回复 3# liqiangln
, p5 A% f5 `$ U
; ~7 L" I0 F+ `- \2 d, h' F
    版主，ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的，也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候，就是ddr2作为驱动端呢？odt还有用吗？

liqiangln

读数据的时候ODT是关闭的。
! W6 B( L% P8 w; H8 I5 L是在写数据的时候，才会开启的，看看手册的时序图。

huhuhuhu

那么DDR2到底需要添加终端电阻不？
; x* f# L8 E4 {- t, e: m( P# D---肯定要加，防止信号反射，详细查阅有关资料。
或者是什么情况下需要？
---工作就需要

什么情况下不需要？
6 R% D/ {. u, U5 s- h3 {4 g---为什希望不要加上了？

cwfang

回复 5# liqiangln
8 w% f) S- L0 q* _$ i! {
" g! P5 n6 u/ r$ k
    这个我知道，那读数据的时候，岂不是要外部匹配？

czypf

很想知道这个问题的答案，因为公司做了一款，软件上可以把ODT关掉，降低功耗，求详解。