关于DDR2终端电阻的添加？

忘顰

如题：
DDR2到底需要添加终端电阻不？


; K; u; x- o2 vDDR2中有个ODTPIN,　　是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。作用：DDRII内建了终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。

% }/ U; j  N6 ^' ^1 \0 K& e但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。
. x. S% k  _4 d: w% a
6 a7 u& }3 |+ ~0 c- d那么DDR2到底需要添加终端电阻不？或者是什么情况下需要？什么情况下不需要？

cwfang

回复 1# 忘顰
2 A9 {& I, J/ p: Q
% {& ?7 v7 F- _" k
- Z5 T  r; l' @8 [' ~% L/ B    帮你顶起，这个问题我也想知道，如果使用了odt，那读ddr2的数据，要不要匹配电阻，怎么匹配？

liqiangln

首先明确ODT是针对数据线的，还要明确数据线是大多数1对1的（不过也有通过/CS来区分1：2的情况）。
! K1 f. W& [0 e& j; Q& s% J* VDDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下，需要增加上拉电阻，因为地址/控制线没有ODT功能。
3 B, I) a; P) ?" h* h- y; O* _1 ^“DDRII内建了终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。”
) G/ e2 X+ i/ T3 @3 ]Qiang：个人解释一下，就是说明数据线是处于1：2的情况下，这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点，而打开远端结点的ODT功能，工作的确没打开，这个是菊花链匹配的效果（可以研究一下菊花链匹配的反射计算）。如果打开工作的ODT，而未工作的ODT没打开，就是一段线的反射（影响的效果跟速率与线长有关，此时是线太长了）。如果同时打开，相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm，端接不匹配。

cwfang

回复 3# liqiangln

8 p. r+ |" _' H7 `% P6 q3 [9 G
6 z% {7 ~1 g6 b& T    版主，ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的，也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候，就是ddr2作为驱动端呢？odt还有用吗？

liqiangln

读数据的时候ODT是关闭的。
是在写数据的时候，才会开启的，看看手册的时序图。

huhuhuhu

那么DDR2到底需要添加终端电阻不？
---肯定要加，防止信号反射，详细查阅有关资料。
+ l' |- G- V  R或者是什么情况下需要？
---工作就需要
7 H0 h5 H$ M8 J  E; O6 E( {' l2 V
什么情况下不需要？
  A" O9 k! z7 ^3 v---为什希望不要加上了？

cwfang

回复 5# liqiangln

6 _$ w! C% `' D. Z
/ ~6 Z1 R$ N, ?( N6 `! i" v7 V    这个我知道，那读数据的时候，岂不是要外部匹配？

czypf

很想知道这个问题的答案，因为公司做了一款，软件上可以把ODT关掉，降低功耗，求详解。