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楼主: forevercgh
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【原创】理性认识SQ的时序仿真功能(不断更新中)_如需转载,请务必征得作者同意

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cjf 该用户已被删除
16#
发表于 2008-4-24 14:55 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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17#
发表于 2008-4-24 19:23 | 只看该作者
原帖由 cmos 于 2008-4-24 13:29 发表
# `8 @( B0 x8 C" D6 x% k; d+ g
4 h+ d, m1 \1 @: {6 b
9 x, N4 _* k6 A% e6 {7 q8 ]; _buffer如同一头牛,负载如同车,牛拉1辆车和拉4辆车的速度是不同的。buffer delay如同牛拉车的速度。挂的车太多,负载就过重。挂的车少,牛跑的太快,容易出交通事故,出现过冲。

4 e  e& q- ~6 m1 m/ a( ]) B! J
4 L# w! _4 I% f: m5 ~! Q. S/ ~要从电磁波或电气的角度来解释,这样解释太粗糙了0 `" r$ i) X; {! n3 U) o' c1 z
是不是会出现振铃或反射等,使达到(相对稳定的电压)Vmeans的时间发生变化?至于为什么会变化呢???假如外接负载恰好满足要求时,其Tbufferdelay的时间大概为多少?当超载了呢?其时间是变为多少???

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18#
发表于 2008-4-24 20:05 | 只看该作者
大家就是要多多讨论这个

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19#
发表于 2008-4-24 22:08 | 只看该作者
学习学习,正在弄呢
  • TA的每日心情
    开心
    2023-5-11 15:04
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    [LV.1]初来乍到

    20#
    发表于 2008-4-25 15:18 | 只看该作者
    原帖由 stupidboy 于 2008-4-24 19:23 发表
    ' @9 e6 C. D6 B5 [' I9 h: t+ H3 {* z3 h

    ' B% `! f) I+ S+ w要从电磁波或电气的角度来解释,这样解释太粗糙了/ H7 S  F/ K! u; k% S+ g" O5 m; x
    是不是会出现振铃或反射等,使达到(相对稳定的电压)Vmeans的时间发生变化?至于为什么会变化呢???假如外接负载恰好满足要求时,其Tbufferdelay的时间大概 ...
    . V5 X( [6 I: z: e& T
    % I. _# e" j3 h7 k. W. U- F
    从电磁波角度解释就需要做ansoft工具作3维的磁场仿真,这个好像不太可能,没有这么复杂的3维模型。
    ! s( ~  t- T; N# V5 T+ E7 T$ D% P9 U) W电气特性,就是spice level的仿真就够了,牛拉车的说法只是一种比喻,我还想不出更好的比喻了。
    & M" i. W* S2 Q# k7 f所谓参考的vmeasure电压,只是给一头机械牛,因为这头机械牛的表现是稳定的,
    2 v; P3 x5 {' u其他牛拉车都给予机械牛作为参考而已,你说的具体delay时间都可以仿真获得。具体case,具体数据,没有哪个数据能涵盖一切case的

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    21#
    发表于 2008-4-28 15:15 | 只看该作者
    学习了

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    22#
     楼主| 发表于 2008-4-29 08:45 | 只看该作者

    Vmeas and test load descirption

    Vmeas and test load descirption! i7 c  j# Q. r
    前面已经讲过Tco概念,那么手册中的Tco是如何得到的呢?4 @7 O! X7 N( E3 x/ ^1 S
    请看下图,半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load(不要深究为什么如此,如果想清楚理解,意味着你要进入一个新的领域----IC测试),我们的probe点即为T点,Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间,而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。# m8 G% h: q# ^
    7 T2 Y; ?2 m( {: |
    Vmeas为半导体厂商用来为输出buffer(当然包含output ,I/O,3-state)确定板级延时特性的电压参考点' o' q( X. v% l/ Y
    Vref,Rref,Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load
    $ a4 w2 ^* D: [ % N* ^) x/ v5 S& z

    + c* c( y( U0 T' S举个例子
    ' f! Z5 @6 S6 A  ]* b7 v8 N & H# O' L( g" g2 W0 P' F4 ]3 f

    % y. b$ X; ?; e& ?3 [, W; {这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数/ ~! _  f& u# M* p) h
    下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load
    0 c0 ~: Q8 Q0 \& H6 `0 v% [
    游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
    & Z0 t% T- j* W1 E8 Z& p

    - f( N! c6 ]% ?* R: J/ w理解不妥之处,烦请指正; M! e8 e1 f% o! a
    . o2 k; E5 e. f( @0 X) U
    [ 本帖最后由 forevercgh 于 2008-4-29 11:03 编辑 ]
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    [LV.2]偶尔看看I

    23#
    发表于 2008-4-29 10:21 | 只看该作者
    顶一下版主精彩的描述,只有在多讨论中才有收获。2 L8 V& X4 v* v" Z8 F& I
    负载比喻成牛拉车是很形象的,为理解方便,也可以简单地把负载看成一个电容,毕竟在RLC参数里,电容是最重要的,负载重就相当于电容大,电容大充电时间就长,信号上升就变缓。
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    [LV.1]初来乍到

    24#
    发表于 2008-4-29 10:39 | 只看该作者
    就我个人理解,外围test load,就是所谓Cref的具体值,来源于在芯片设计中对于板极最大负载的考量(是否是最大值也许存在争议,但50pf也够大了)。就是从drive 端往外看的所有电路的一个等效模型。. q, Z3 T' u7 x2 w
    然后其余各种case,都是根据这个等效模型的一个参考。8 h) `! U4 f. v7 M
    - W1 s3 ^( g' e  y$ o
    ( v5 @/ W0 v# g4 n7 O; R# e
    Cref在芯片设计中也有其自身的指导意义。就是外围将要驱动的最大负载,从而在芯片内时序优化提供参考依据。但是很多国内芯片设计公司的外围约束基本来源于工程师的经验值,而没有考虑真实的pcb板的应用情况。因为芯片工程师很少有板极布局布线概念,更鲜有作信号完整性仿真,来给他选择合适drive bufer提供依据。这个是国产芯片现状。9 I  u" F- ?% V4 [# F
    至于国外的芯片,怎样来设这些参考值,就不太清楚了。但我觉得应该有一个很完善的流程,会有SI工程师,通晓板极和芯片布局2方面知识进行协调和仿真,从而做出兼容性最强的芯片。需要一个独立的SI部门来做这件事情。

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    25#
    发表于 2008-4-29 17:26 | 只看该作者
    ddddddddddddd

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    26#
    发表于 2008-4-29 18:34 | 只看该作者
    xuexi

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    27#
    发表于 2008-4-30 20:37 | 只看该作者
    秘密手册??

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    28#
    发表于 2008-5-1 17:13 | 只看该作者
    支持一个

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    29#
     楼主| 发表于 2008-5-5 22:15 | 只看该作者
    聊过了buffer delay,同时也明白了buffer delay会随着load情况的变化而变化。
    $ P" [1 F! `9 o2 S6 ?7 k而我们实际关心的应该是test load情况下的buffer delay,他将作为我们时序分析的参考基准,其重要性可想而知。
    2 y  X6 z' l5 \9 m) l- i8 |. d+ z/ d" L+ P' Q2 P
    Tco的提出是基于test load的测试结果,buffer delay作为tco的组成部分直接影响Tco,很显然,我们实际系统系统的load情形是不同于test load的。那么就要考虑到如何修正Tco的问题。$ l- V  Y6 ?6 _2 u4 j
    1 P- \* s# E4 f' F0 y# a
    借用TI的图说明一下。: \+ ~' H+ x* u# Q7 Y. F

    2 d/ ?' u3 Y2 d2 X5 ]
    4 ?5 o8 N1 z! O7 Y/ w1 C# {* oC点波形即为test load情况下的驱动端波形/ J, y$ a8 y3 Y
    A点波形即为actual load 情况下的驱动端波形! _# p# [# t& @# \# [
    B点波形即为actual load 情况下的接收端波形2 |, A6 Q+ h/ x) w! ^6 V
      _- f! E  g1 j4 m5 P
    我们将A,C间的时间间隔(电压参考点为Vmeas)即为我们的补偿时间compensation timing-----------Tcom' j! A* k1 u5 f8 Z& {

    # D2 O1 C% o# w. c5 {' O这里的Tcom为240.741ps
    . K) }4 G# _! Y8 C% T6 b! h& n1 L) R* d$ N; t6 `* a( N$ j
    而A,B间的时间间隔即为我们的板上走线延时(注意,这里的板上延时不同于传输延时)---------------Tlayout
    7 ], C( n4 V. m  {Tlayout是我自己定义的,见笑啊(要说明的一点是,这里只是为了说明问题,定义不合适的还请海涵)' \$ y+ Y1 I& A/ e3 G
    板上走线延时的电压参考点依据信号的类型有所不同) h5 B. S0 q4 W9 M4 e  B, D
    1.对于时钟信号来说,参考电压点为Vmeas,因为时钟信号要求严格的单调性(我们这里研究的是同步系统,参考信号为CLK)
    & J* Y$ x8 e' [. z  g2 X2 C/ ?) M2.对于控制信号,地址信号,数据信号来说,起始参考点为驱动端Vmeas,终了参考点为接收端Vil/Vih(非CLK信号不要求有很好的单调性,故引入门限电平作为参考点,避免非线性边沿造成的巨大误差)
    ( y$ z& t5 }6 J; S* i, Z( M, N4 l就像下图,Vmeas电平持续Tref时间,非线性边沿的存在使得我们不能将Vmeas作为参考。8 M8 E& j; R/ P8 ]: E& w

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    30#
     楼主| 发表于 2008-5-5 22:21 | 只看该作者
    这里的Tcom+Tlayout即为SQ标榜的settle delay和switch delay ,其实就是flight time(max,min)。这些概念比较晕,好多厂家的定义不同,比较愤愤。
    , A/ H6 V/ k2 x2 w! Qtcom已经讲过3 W) s+ b& K4 m/ f) q2 h
    Tlayout由于终了参考点的不同进而冒出了几种不同的情形。. J8 C& Q- P. ?& l! E

    # t- i6 I' P9 k3 k
    ' g3 X( c9 I6 m2 s  W
    游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
    , e# m# V/ Z, [. [' E% R( Y
    太晚了,要睡觉了,有空接着侃
    8 b8 t1 {; h% p, N4 @4 M3 N
    ; A5 a% Y& \2 b* k6 C[ 本帖最后由 forevercgh 于 2008-5-15 20:38 编辑 ]
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