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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!

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1#
发表于 2010-7-14 16:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!
  t5 f: W. c, o' o/ Q3 Y1:CLK线差分线长51mm。' l! [& D5 d9 z: o+ s4 n
2:地址控制信号等长50mm。
4 f" r8 J  A7 R3:数据线等长41mm。8 g9 u: o( M* _7 n' b, s
9 I/ o- v, _; _. ?
问题:/ C. M; w0 K, D& z
1:这种叠层方式会不会有问题?
5 ~2 t; i' l6 h; w  z9 c( F& |+ c2:走线的线宽线距是否有问题?+ P5 @( y/ b; _4 C* x1 B& q
3:线阻抗未充分考虑,只考虑等长是否可以?# t+ g- l" T# D8 Q' k. J; M
4:有无其他可以改进的!
0 r0 z9 G! e6 o. b非常感谢大家!( \9 G* P9 T9 W1 j9 l
' C& a& D* B0 s. \. Q+ k. P
temp.rar (330.33 KB, 下载次数: 382) ! U1 d( k6 ]/ ^/ Z4 U, [- i; C

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2#
发表于 2010-7-15 07:55 | 只看该作者
关注中,等高手解答。发现一个问题是你BGA内打的孔内径为0.1mm,工厂工艺应该达不到。

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3#
 楼主| 发表于 2010-7-15 09:16 | 只看该作者
1-4-1的盲埋孔,0.1mm的为镭射孔!
# H# W# @' _) Q  Y# V
, e/ x" J, i% d3 y8 z( Z; g0.2的孔走不出来!

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4#
发表于 2010-7-15 09:28 | 只看该作者
层设置有问题

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5#
 楼主| 发表于 2010-7-15 09:53 | 只看该作者
楼上的有何问题?谢谢!

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6#
发表于 2010-7-15 21:20 | 只看该作者
top-gnd-si-si-vcc-bottom
$ x: e6 U- T5 A你的设置top-si-gnd-vcc-si-bottom
/ S0 b; c1 J) f9 V" \$ [! k顶层和底层没参考平面

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7#
 楼主| 发表于 2010-7-15 21:35 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!3 J4 c2 _) O: m2 p0 l- t
顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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8#
 楼主| 发表于 2010-7-15 21:37 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!5 n4 t2 y$ K6 N2 Q/ ]
顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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9#
发表于 2010-7-16 15:06 | 只看该作者
个人觉得,阻抗最好用对称的层,二,你两边内存的过孔数不一样

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10#
发表于 2010-7-16 15:47 | 只看该作者
LZ的叠层方式需要改进,不然阻抗不好控制。因为要使用盲埋孔而使用这种叠层方式,有点避重就轻。如果6层线实在走不出来,可以考虑增加层数。这样成本应该不见得比用盲埋孔高吧。另外对BGA而言,最好每一个PIN都扇出一个过孔,这样性能应该会好些。

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11#
发表于 2011-3-12 18:07 | 只看该作者
你的地址线要保证比你的始终线长1000MIL1 \  x  u7 m3 `- y

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12#
发表于 2011-3-13 09:23 | 只看该作者
请问版主此板子可以正常跑起来吗?
+ d7 z' J: i% Y

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13#
发表于 2011-3-13 17:10 | 只看该作者
DDR的阻抗只是因为驱动能力较弱造成的,负载阻抗太大可能会驱动不了,按单端50ohm做就ok了,没有特别严格的要求,像DDR3里面这个基本都不用考虑了,因为驱动能力已经到了120ohm。

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14#
 楼主| 发表于 2011-3-13 18:20 | 只看该作者
报告一下,可以正常跑!

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15#
发表于 2011-3-31 10:58 | 只看该作者
图片上看线宽线距小于4mil了
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