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菜鸟提问,电路中EEPROM和FALSH的作用

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1#
发表于 2010-7-11 00:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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很多电路中EEPROM和FALSH都会配合mcu使用,但一直不明白其作用,请大家帮忙解释下,谢谢
  • TA的每日心情
    慵懒
    2024-12-9 15:04
  • 签到天数: 384 天

    [LV.9]以坛为家II

    2#
    发表于 2010-7-11 10:54 | 只看该作者
    一些MCU片上不带程序存储器,可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH中,另外,有时也可以用来存储一些参数,保存一些掉电后需要保存的数据等。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2010-8-9 17:18 | 只看该作者
    EEPROM可读可写,一般保存当前工作状态。例:电视机中用户改了音量值之后,这个值就是保存在这里的,当再次开机时,系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态,当用户再次更改音量时,这个值会被重新改写。$ l+ t) d0 c; \7 j0 x- _
    如果没有EEPROM,就不能保存用户更改的值了,那每次开机都是最原始的数据,。
    9 F" g5 d3 m) _/ iFLASH是只读,程序都是存在这里面。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 16:37
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2010-8-10 14:40 | 只看该作者
    EEPROM可读可写,一般保存当前工作状态。例:电视机中用户改了音量值之后,这个值就是保存在这里的,当再次 ...  P- m% i" z7 J
    zangyongchang 发表于 2010-8-9 17:18

    / x7 v6 z% ~: H6 M, E: j  b+ L# _9 l9 f

    ' F& ?" U+ t8 u9 s    小心遭误导,EEPROM容量小,一般存储程序段,使用I2C通信协议,ROM都是指只读存储器,EEPROM是电可擦除可编程只读存储器,所以无法存储临时数据
    3 s/ l$ B( e8 i/ e# dFlash分NOR Flash和NAND Flash,都可以用于SPI,容量较大,NOR Flash一般用来存储程序,速度不及NAND Flash,可以进行读写操作

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2010-8-10 15:30 | 只看该作者
    容量大小,数据读写速率是主要的区别。) |) R  @* W6 p" _8 y

    ! g7 U( i0 X! n举几个例子: 都可以做CPU/ASIC芯片的启动程序,比如PHY ,SW 常用EEPROM,因为代码小吗,256K之内就够了;但是CPU的起动代码通常EEPROM搞不定,而且CPU通常还有操作系统,可以存在EEPROM(BOOT)+FPASH(system)的模式,但是一眼看去,不如把FLASH分区,把2部分东西都装下。& e$ L3 \# \( p- O" S, x) [+ F0 {6 H  e) O4 I

      f. ~. Z) |  `EEPROM通常还有就是存单板信息,厂家信息,PCB信息,MAC地址这些,配置信息这些基本的东西,通常是在工厂烧入,然后焊接在单板上,就跟你在单板打丝印一样,就是个标识。

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2010-8-10 18:25 | 只看该作者
    回复 4# lixc2008 0 i! i" a7 @+ ?
    5 u' Y" S, R- q5 L; N& C
    2 D9 q# ~1 [* ?& L, z
        你才该去补习一下,容量大小跟能不能存临时数据有啥关系?保存一些状态只是一些16进制的数字,占用容量非常小。2 C0 g& `! L+ r6 `
    EERPOM绝大部分都是用来保存状态的。用的是IIC通信是对的。- B5 V  j! @2 b: i  E, t2 v6 L
    我做电视开发有5年了,电视机都是么用的,还有就是单片机也都是用EERPOM保存临时数据。
    * g, Y8 y7 Z& O# Y你一定没做过单片机吧。

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2010-8-10 18:36 | 只看该作者
    小心遭误导,EEPROM容量小,一般存储程序段,使用I2C通信协议,ROM都是指只读存储器,EEPROM是电 ...
    0 g$ r# P" P3 w2 ~lixc2008 发表于 2010-8-10 14:40

    5 G+ i2 Q  P5 L- Y& N8 B
    ( [& d" S3 m  q$ X: G4 N
    * Y9 d  b, w9 ~" i2 T8 Y/ [6 L    NAND FLASH分SLC和MLC现在很多程序也在用SLC的NAND FLASH。
    4 i: k8 }+ m, X什么是SLC和MLC- ?' n: v* O; l9 S2 y5 p8 R
        要认清问题,首先要搞明白什么是SLC和MLC,它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。它们之间的区别,在于SLC每一个单元,只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据,MCL的数据密度要比SLC大一倍。4 E( K( q" e3 O) G$ w! p* T7 g
        从名次解释上来看,当然MLC密度要大,自然有其优势,成本上来说,MLC也具有很大的优势。据了解,不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程,今年8月,三星正式从SLC转向MLC,今年10月份,三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G******   K9L*****的芯片为MLC芯片,而现代采用编号为:HYUU****   HYUV***芯片也是MLC芯片。; t' Q$ q) f& @
        不过尽管MLC有其自身的优势,但是也掩饰不了其缺点。
    ( D& x$ D% C) I4 v1、读写效能较差
    + y6 w  I- n2 a! D+ D( n相比SLC闪存,MLC的读写效能要差,SLC闪存约可以反复读写10万次左右,而MLC则大约只能读写1万次左右,甚至有部分产品只能达到5000次左右。5 Y. d, J/ i- w- K' A6 S
    2、读写速度较慢
    7 |+ F6 Q: N& }/ a2 H在相同条件下,MLC的读写速度要比SLC芯片慢,目前MLC芯片速度大约只有2M左右。9 \2 T1 K" D( M5 z4 K, _
    3、能耗较高) B9 n' h# j" ?+ T/ t
    在相同使用条件下,MLC能耗比SLC高,要多15%左右的电流消耗。& Y( e& L  W9 u1 b5 E
        这些原因,很大程度上是取决于MLC制式改变,需要新的控制芯片支持,而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计,MLC就会带来各种问题,包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。今年大批量SD卡被招回的风波,就是因为转用MLC芯片,没有新的主控芯片支持惹的祸,造成了很大的影响。
    5 H' L3 p2 K' u4 u* E    随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产,MLC芯片应用也越来约广泛,由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大,对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率,对于视频和音频这样的应用来说,必需具备控制芯片和ECC校验机制,目前有的主控芯片通过纯软件校验,这样,无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合,从而减轻了主控负担,但是这只是在一定程度上减少出错的几率,MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。% Y. R" @. q6 a% a+ W; ]( W
        MLC在架构上取胜SLC,很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发,未来可能将是一个主流方向,但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说,MLC要便宜SLC芯片,所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片,但却没有增加控制芯片或者ECC校验,使得不少问题则由此而生,使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候,不能一味的只看价格,而需要更多层面的去考虑。到底选择SLC还是MLC芯片好?我们欢迎大家在下面发表自己的评论。

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2010-8-20 15:34 | 只看该作者
    支持3楼说法  正解!!!!!

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2010-10-25 11:05 | 只看该作者
    支持楼上正解
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