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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
' @* |: g' x7 i9 V. t. z* I . ?/ w; a! [* W t
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。
: q- Z( g" O6 q+ J |, L j; ?0 z* Y9 ^6 p
这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
\* c% J& P, q5 U
/ N9 X* O8 L. f/ \/ j+ J* v当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。
0 z7 e( ?; x/ e# ?
. L' Q. Z; N9 ~ V# m& n该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。
2 y9 J9 y; v$ q* w6 H9 F0 X
* T- b; r) o+ L7 a! E7 @$ G& Q
( K! F! A% w( a3 z A
| IS61WV204816BLL (I) | IS64WV204816BLL (A3) | 注释 | 温度支持 | 工业
6 I8 W. [* T) z(-40°C to +85°C) | 汽车
1 ~! k; A8 v) m5 t" h, ](-40°C to +125°C) | & \0 O% A7 W7 M" \0 W+ Q- Y# Q7 O
| 技术 | 40nm | 40nm |
- O; h0 T4 q- n2 n1 m. [
| 电源电压 | 2.4V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V | " m2 }3 S/ p" r6 a, _5 [3 |9 [6 H0 O
| 工作电流（最大） | 100mA | 135mA | # n. d! T/ k$ L i" t0 \7 c. V! o# G
| 待机电流（Typ） | 10mA | 10mA | q+ O& W t- }4 ^/ K$ w
| 包装 | TSOP-I（48针） T2 e7 q# U0 c5 i/ X( l' p* G
BGA（48球） | TSOP-I（48针）
6 v& } `( v& u1 p7 [/ ]# DBGA（48球） | 引脚兼容
0 B* b8 Z/ F& H# C. P16Mb异步SRAM | 速度 | 10ns | 12ns | * M5 n! ^4 A1 w" A3 `
| 铜引线框 | 是 | 是 |
8 Q9 _- M0 V1 n* F1 m
| 无铅PKG | 是 | 是 | 符合RoHS |
+ i7 `. [+ Y7 l( Y2 S2 N8 ? : \7 I9 z/ r& ]- W7 n
SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
3 K7 v8 J, V5 k) I( { 7 u! N) `$ b9 h3 h7 }9 P
待机模式
T6 n2 `' ?* O' ~* D1 o取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
* q4 \; i" U6 j# G1 ^( z4 o
! D, S6 P$ s5 g: g/ c4 m写模式
0 ?: e, ?" `" }, D& d选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
+ {* c" ?) G$ s/ u! P 9 X8 S% \% n% N' G i |8 L
读取模式+ {1 L8 k/ A" u& m2 d5 p2 O: X
选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。
6 c8 r G1 l* r E; Y
2 ]& B5 e7 R# K2 b2 T# B2 |在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
/ e4 R$ a# M& u) i" P # G( @: [" }2 B. ~& Q+ `; T
上电初始化
0 }( Z5 c; V, t# K4 G" @* d4 c该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
6 G' ~, b* j* z! B9 _当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。
1 a) F, @% n3 d, S6 S初始化完成后，设备即可正常运行。2 }& m& J& A8 M2 v1 G
* g1 G/ s7 |, m, X" \: H% x" u* H
规格书下载
- X1 S4 h- m. {& m+ a5 Y
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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发表于 2020-5-27 14:28
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