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美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。
3 q; A$ A- y* i+ z1 a
! o( |) y2 o; x9 h& Y功能说明
& y/ p ^, F7 |5 RSRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。5 y/ W4 Q- s! }9 _: z M$ t: k% k
) Z0 ^/ h, V5 h& c" ^& J! u待机模式, b7 b1 y# o1 a
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
0 M, l; J+ Z6 Y) G" C # e7 ]( S2 G/ _+ z+ o/ L- P
写模式) S, ]+ }* { p
选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。6 p* P, K+ N0 {1 R7 k
! `# t- E( T q在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
! @% C. v% d- z- Q Q
8 u& L+ |! U& G l( ^! L! g: q! _读取模式
, n B2 T3 a6 _: A( t选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。/ J3 ~7 E' g$ b" c
8 e( ]0 _0 |* p% P: K1 O
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。3 V& B% B# u4 [$ ?- R2 ]" A
; `0 y h1 s1 i$ c% P) T
工作温度范围9 R' }* h+ k) |( u/ C ?- H
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V+ a( g" v$ F! M$ W
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V9 h/ |: p( @. f
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V: _# j/ x9 D! _: f% j4 j1 S% ?$ h
" @' _ b) l4 Q" b+ e' _5 X- RISSI 低功耗SRAM
, f9 V+ T4 j7 w* F( ?& n" s. d3 U! Q s( [! D9 g8 o+ K+ A
62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
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发表于 2020-5-26 14:43
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