堆叠封装的问题请教

weqsss

堆叠封装需要什么样的设备？我想把5~6个裸片封装在一起，如AD，mcu,CAN收发器等，希望高人指点，谢谢
3 t+ @8 S8 _4 {

wewwqq

首先问你你，你是想封装在一个IC呢还是封装在你的板子上，
: ?: `4 E( g8 C4 N板子上呢，这样做 你买回来裸片
那你画板的时候就按照裸片来画，板子要镀金，然后绑定 最后点胶。

crime

3D工艺太复杂了,2D工艺应该不是太难,2层板不够可以做4层板,6层板.

pcbfly

球焊机，和回流焊机

nolita

　裸芯片叠层的工艺过程为：
    第一步，在芯片上生长凸点并进行倒扣焊接。
8 ]" P" O3 \# V- J/ X; m        如果采用金凸点，则由金丝成球的方式形成凸点，在250～400 ℃下，加压力使芯片与基板互连；
, l$ ^' L6 l4 E; F4 s( e9 o        若用铅锡凸点，则采用 Pb95Sn5（重量比）的凸点，这样的凸点具有较高的熔点，而不致在下道工艺过程中熔化。
    具体方法，先在低于凸点熔点的温度（180～250 ℃）下进行芯片和基板焊接，在这一温度下它们靠金属扩散来焊接；
    然后加热到250～400 ℃，在这一温度下焊料球熔化，焊接完毕。
$ N1 N! I' R0 e; k3 p    第一步的温度是经过成品率试验得到的，当低于150 ℃时断路现象增加；而当高于300 ℃时，则相邻焊点的短路现象增多。
0 u9 `, y: a# J" i    第二步，在芯片与基板之间0.05 mm的缝隙内填入环氧树脂胶，即进行下填料。
    第三步，将生长有凸点的基板叠装在一起，该基板上的凸点是焊料凸点，其成分为Pb/Sn或Sn/Ag，熔点定在200～240 ℃。
    这最后一步是将基板叠装后，再在230～250 ℃的温度下进行焊接。