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hawkflior 发表于 2020-05-07 11:14:17
, @ h8 k' x1 c3 }& G" O$ j, ~1、两次仿真设的port位置不一样吧,port位置不一样其阻抗、S参数肯定不一样呀9 l0 q- u7 E" l2 A. B
2、看阻抗曲线在目标阻抗以下就可以了,封装电容和die的模型要放一起仿,看在工作频段以下能否满足要求
( }, t& W) O. G4 N3、封装上到一两百兆再往上就要靠die上扩散的电容了,电容有谐振频率,算上封装和PCB寄生参数,高频就变成电感了,起不了作用了
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$ G9 K, d1 z7 V! C5 u W朋友,谢谢解答啊。我还有几个疑问想请教:
) ^$ v7 F; B0 _9 y; Y1.如果我放pdn阻抗没带die的模型,仿出来的结果就没用吗,在pdn阻抗仿真时die的模型的实际影响是单纯多了一些电容还是有其他意义,加了die模型阻抗应该会降低是吗?9 q8 G, d: @5 k6 N
2.多个电源网络共用一个地时,单独active单个电源仿出来的阻抗和全部active仿出来的阻抗曲线不一样,并且同时active多个电源仿出来的结果,几个电源网络的第一个谐振在同一频率,是因为加的vrm把多个电源短路到一起了吗?那应该分别单独仿还是一起仿才对呢?0 N' i9 R/ j6 B- y
3.不加电容单纯改layout有办法降低阻抗吗?该从哪些方面去改?比如电源层该不该有地的铜皮?电源的铜皮被地包着好不好?2 d+ F& {$ n9 Q# \7 h
望解答。谢谢。3 @+ h; J: d: e) p, G
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