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三相逆变器的鲁棒性怎么提高?

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发表于 2020-4-20 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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变频驱动器(VFD)是工业自动化机械的重要组成部分。它们能够高效地驱动泵、风扇、传送带、计算机数控机床和机器人自动化解决方案,有助于降低工厂的总能耗。若VFD发生故障会直接导致机器停机,进而造成工厂停工和生产损失。因此,VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。' m0 K9 W4 s) F, J1 C0 `6 ^
图1所示的三相逆变器结构是VFD的核心,能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁棒性的关键要素。该项技术由德州仪器研发。
( i4 \1 b, r- \" R
5 M5 o7 T0 D8 v1 p% p带隔离栅极驱动器的三相逆变器
) U! W7 p  C; w: A三相逆变器的关键组件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)电源开关(通常集成在单个IGBT模块内)和控制IGBT栅极的隔离栅极驱动器。微控制器(mcu)产生彼此互补的高侧和低侧脉冲宽度调制(PWM)信号,在PWM信号转换期间插入死区时间。该死区时间确保顶部和底部IGBT栅极信号不会同时为高电平。
: N$ J0 T. C1 U8 }) H( eMCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平。结果通过顶部和底部IGBT的交叉传导,导致直流总线短路。将电流传感器插入直流总线可检测过流情况,并通过栅极驱动器的启用/禁用管脚或将PWM信号驱动到栅极驱动器的缓冲器来禁用栅极驱动器。感测过流和关机之间的延迟通常为几微秒。但是,多次重复该感测序列会降低IGBT开关的可靠性和寿命。IGBT开关为VFD内部最昂贵的半导体元件。  x5 X6 t( V2 S0 I, d% v
但如果两个栅极驱动器都没有响应伪PWM序列呢?无需使用额外的外部硬件,使用联锁法即可实现。
! U. h1 `: b8 A6 M3 t4 r& R联锁高侧和低侧栅极驱动器& S& f+ a5 w( m* y7 X  w$ E  c) |
在图2所示的这种配置中,高侧驱动器仿真二极管的阳极连接到低侧驱动器仿真二极管的阴极。高侧驱动器仿真二极管的阴极连接到低侧驱动器仿真二极管的阳极。
6 c( \. s/ X9 Y4 D5 S3 Q% ]
5 U! R$ H1 c; `' H6 l联锁电路配置
6 E8 l3 U- }0 `德州仪器在“具有光模拟输入栅极驱动器的200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计”中测试了联锁电路配置的应用。5 A! l: ?( x2 Q5 N: `" \
用于200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计# n3 B  u* ^/ V
立即下载设计
6 L% p3 D6 _1 B7 w8 k# W如图3所示,在正常工作期间,PWM脉冲是互补的,要么正向偏置UCC23513的输入仿真二极管,要么反向偏置缓冲驱动电压为-5 V的隔离栅极驱动器。高反向电压UCC23513的仿真二极管可处理联锁配置中出现的反向电压。而电流控制电容隔离栅极驱动器不具有高反向电压处理能力,且不能联锁。在死区时间内,仿真二极管两端的电压为0 V。
9 U& {7 N' z/ p. o" ]7 W 6 k* ]) \! ]( a5 f! ?6 ^
带联锁的正常PWM操作
/ v* [/ g) Y$ ]1 T" h有目的地插入负死区时间可让您检查联锁电路对来自MCU的故障PWM信号的响应。若两个MCU输出均为高电平,则栅极驱动器的输出为低电平。无论输入PWM信号如何,高侧和低侧栅极驱动器的输出都不会同时变为高电平,从而防止交叉传导。
% G% T/ S7 C- t; ~) x# B" F7 r8 U$ i6 d* Q& |2 o+ v3 _
MCU PWM输出4 H* u, }6 w1 [# j4 Y9 M
栅极驱动器的输出
  r7 @9 Y! m3 ]4 S, v$ S' k
高侧PWM
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低侧PWM" F4 E  B$ ^* C6 K
高侧PWM6 v2 r& W6 ^- Q9 @. E! z
低侧PWM
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1:联锁操作
) ^; C* N2 C6 c9 E您可将传统的光隔离栅极驱动器联锁,但它们不能带来更多的好处,比如更高的工作隔离电压;更高的共模瞬变抗扰度;在高达150°C的结温下工作,以及诸如较低的传播延迟和较低的脉冲宽度失真等改进的开关参数。2 b6 N! U! R! E2 a" Z
UCC23513采用业界标准的六管脚小外形封装,您无需任何额外的原理图或印刷电路板设计更改,即可通过简易交换轻松升级现有VFD中的逆变器。
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发表于 2020-4-20 13:44 | 只看该作者
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平
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