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[仿真讨论] 使用示波器测量DDR3信号时应该注意什么?如何处理探头的负载效应?

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  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-4-14 15:52
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2020-4-10 10:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    一、! }: g9 S0 y. U0 L: B
    之前一直在做一些嵌入式板子,所涉及的接口,像SPI、UART,速率多在50Mhz以内,之前开发时候,是直接用无源探头和350MHZ示波器,通过接地环测试,可以很好反映信号本来的面貌。如今打算进一步往前发展,做SOC的硬件开发,不可避免地要接触到,DDR内存,并且在PCB设计中有阻抗要求、等长要求;; P) T1 N3 Z/ P# d/ q6 [5 U+ Z6 S7 M
    假如我想直接测试目标板子上的DDR内存信号(非间接),DDR时钟和数据,或者数据和数据,两两之间的时序关系,以及波形质量时,需要注意些什么?  这么高的速率,探头的负载效应应该影响很严重吧?    可以照抄之前的方法,换一个高带宽示波器,还是无源探头,就近找接地点,然后用接地环测试?
    ' R) p0 s$ z6 d% ?3 S现在行业内,一般采用什么样的测量方案?
    8 C8 `. K( ~* Z; [2 V5 f! Y" p5 h/ P  _# d
    这个问题疑惑了很久,望各位慷慨赐教。6 }. X8 M! r4 N  M

    - n) g3 v) U3 ^" p, L5 s/ K0 ~  ^! k7 w, z: Q
    二、3 S3 ~  V% K' [' J( T0 U$ I" W' k
    通过电巢课堂,毛忠宇老师的"常见Topology介绍与仿真",的学习。! [- g' O6 l# Q6 Y/ o# V
    给我启发,想到这么一些思路:1 s; m2 \* q0 u! A, l4 \6 ]
    ①像DDR3的时钟信号的波形、地址信号、数据信号,当只有一片DDR3内存时,可以在终端电阻的地方,先摘掉终端电阻,然后再通过50Ω同轴电缆接示波器;(这里有一个问题,同轴电缆怎么接到板子上,直接焊上去?)! C8 h& \3 D# t# B5 w1 s' g
    有一些内存是内部端接,那好像就用不了这个办法8 _  \* D3 E: n

    9 V. C( O* |* F②像测量两两数据信号、两两地址信号的同步性时,当只有一片DDR3内存时,只要①是可行的,两个信号同时测,即可看出时序是否存在问题;
    3 T# R: a9 ]' R
  • TA的每日心情
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    [LV.9]以坛为家II

    2#
    发表于 2020-4-10 13:51 | 只看该作者
    Tektronix/Keysight都有對應的探棒/轉接板
    1 v* K% H' _/ o" p, X7 vhttps://www.keysight.com/en/pc-1000000130%3Aepsg%3Apgr/microprocessor-and-bus-support?nid=-536902512.0.00&cc=US&lc=eng
    . L" O) J* ?* ]; a% G
    ( Y  Y! q1 N4 F( ?( i9 n$ l7 S) S$ W/ m- ^* Q

    点评

    感谢,好像很少看到有人使用。  详情 回复 发表于 2020-4-10 22:24
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-4-14 15:52
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
     楼主| 发表于 2020-4-10 22:24 | 只看该作者
    briantseng 发表于 2020-4-10 13:511 D2 n+ B/ t# E+ Q& _; N  D& f
    Tektronix/Keysight都有對應的探棒/轉接板" c2 \% U6 r" Z, w! K
    https://www.keysight.com/en/pc-1000000130%3Aepsg%3Apgr/micr ...

    * h+ w, X1 a1 `* d6 Q# w( E感谢,好像很少看到有人使用。 2 _7 s2 l+ T1 U) ~
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