MOSFET失效原因全分析，总结后就6点

北二桥头

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
) B; _+ ^2 Z4 G6 }. a: C! Q% w1 H　　MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：
　　1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
5 h: r& V# G6 f$ ?　　2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
. S' g- v& m( o6 Y　　3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。
& R7 A+ d7 `* {; S& P8 {　　4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。
  |7 j" s* \" I% E' V* y" Q　　下面对MOS失效的原因总结以下六点：
( [( Z2 @8 Z& g# {9 s' c　　1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
　　2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
; t) F, q$ Z$ q8 a7 ]) O1 ~　　3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
7 p) Z, Y7 p& O3 v　　4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
; _/ ]0 ?/ R$ B8 ~! W' _- P) _, Q% V　　5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
! [+ E, V# N$ Y7 U& d; R3 `　　6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
5 i% S+ X' e% A5 R" @3 |. J　　雪崩失效分析（电压失效）
! f& B: ?6 ^2 D4 f. e1 Y　　到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。
　　雪崩失效的预防措施
　　雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。
- _9 x: S% K* x- s　　1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。
# d7 E# H( M5 j6 t0 [4 c　　2：合理的变压器反射电压。
　　3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。
　　4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。
　　5：选择合理的栅极电阻Rg。
1 v8 P$ L) u+ ?3 ^2 N4 {　　6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。
　

　　SOA失效（电流失效）
$ I( Q9 r8 i- ^2 g3 S, l　　SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。
　　我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。
5 i, @( [: t* q. t' C　　这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。
　

　　SOA失效的预防措施：
! |, f" M$ U! b! o　　1：确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。
$ e5 Y6 R) K. u& l　　2：将OCP功能一定要做精确细致。
( U6 S6 M  n& h: H6 [, r8 K　　在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影响呢，我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。
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　　从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。
; @+ K/ D* w4 C. E6 b& U　　3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。

IC老和尚

简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。