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元器件失效分析方法

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发表于 2020-4-7 14:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。" P9 z9 S2 g1 B* b. d0 }
  开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
4 A3 {( ?# h5 Z& y2 B  失效分析基本概念8 Z* F9 n/ c4 O
  定义:对失效电子元器件进行诊断过程。& z: a7 M! z2 H3 E( n
  1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
! `! u( M6 w& p" A5 v  2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。% Q* _) r2 R# i4 c" Q  K0 d4 B3 A
  3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。* z( ^" g5 }! g) D# U, |' C
  4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
5 N$ o8 R$ I* D% b' {7 H4 G  失效分析的一般程序
* r0 x7 z6 l. o$ R+ D" [6 O. P  1、收集现场场数据


: \( D, N0 k! J3 F2 S9 p7 G  2、电测并确定失效模式
$ ~% N* v6 m" F* b  3、非破坏检查

       4、打开封装
1 [( n- A" h$ Q0 n" G  5、镜验! T3 u1 `% v9 N  V8 f
  6、通电并进行失效定位4 r# d- Y+ g" u! w  a
  7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。0 v3 i' j0 w+ A% i( O
  8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。
. U/ F  f+ Q( @4 p- _2 F  1、收集现场数据:) G8 I( o. i, H' B- B# i# x* p
  2、电测并确定失效模式
, V' F9 p8 C' S! r  电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
6 l" S$ ^+ I! h: ]  连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。( Y/ ?, m! J4 G% |) _
  电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。0 D9 K& ]/ ^2 b, j6 b! e
  确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路
) |7 y" c: A& \1 Z$ _# Z6 U  三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
1 v- _* z0 f: ?. m  3、非破坏检查


+ F# `( Z1 N2 Q; y* k  X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。

) [# d, n8 o* P# o
  适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout5 L4 ?' e) v7 d2 h" U0 W6 G3 N
  优势:工期短,直观易分析/ f+ D' |: l2 J/ W0 F" r
  劣势:获得信息有限3 C+ o" c. k4 D/ ~( {; b- E* P
  局限性:
* o2 F6 i: U- h$ J$ ~9 \7 l" I  1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;# O2 q% z( i1 X" i% W
  2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。
8 ]: w1 i. d2 ~# l* a+ M  案例分析:+ S# A0 m. X; I- s6 _. q3 V
  X-Ray 探伤----气泡、邦定线

' y: r( y( s& `$ Q# _
  X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)

- @1 p3 N9 t, u, m; U3 a
  “徒有其表”


/ G7 N" ]! J6 s& Z  ], }  下面这个才是货真价实的

" F! O3 T- L7 t# @' f6 ]6 A" u
  X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)

' \' M7 A  F5 e9 }3 X; }. ]
  X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)

% q# ~! }/ e0 i" l* t
  (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)

* X; k8 n0 Q8 X9 s/ a. L4 z. T, v( q
  4、打开封装
* y0 L6 Z% z* r0 V% W  开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。

2 X: R7 b+ n$ m+ U& [
  机械开封0 j3 A  i+ o9 J& p
  化学开封
" I- S/ i  B( o  ~  5、显微形貌像技术9 m0 p5 a5 i/ n# ?
  光学显微镜分析技术: u3 J) D& l) B3 Y
  扫描电子显微镜的二次电子像技术8 _3 F' X- a: N3 s$ k, }$ q
  电压效应的失效定位技术3 X+ c3 w1 [- H: Z0 y
  6、半导体主要失效机理分析


+ y% n' {6 R1 f8 H- I  电应力(EOD)损伤8 n  ~  @' Y8 `
  静电放电(ESD)损伤
- p. i) d8 o7 w# f  封装失效: V$ c% g, {) v  Z$ }- V. Q
  引线键合失效
8 e. [- }0 X+ n- {% R, K8 \6 k  芯片粘接不良
4 x) O4 Q( O5 q4 X7 c" M3 @5 }  金属半导体接触退化
- ^" N0 N/ m( z* L/ R1 W, I  钠离子沾污失效+ E7 v# L" d! m" ?$ {
  氧化层针孔失效


9 a+ u9 @0 P! l' u2 f$ F- P8 }

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发表于 2020-4-7 15:52 | 只看该作者
社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
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