找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 677|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

元器件失效分析方法

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2020-4-7 14:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。. i/ e; c( \( ?2 {; J
  开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。% [& q$ i  e& Y1 F  U" a. n
  失效分析基本概念: |  q# L2 \2 R; ~: ?
  定义:对失效电子元器件进行诊断过程。. o  m! u- Q, S" b
  1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。' c& U% s: g9 B0 J: X' x6 X
  2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。. t4 K# G, m( ]7 g
  3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。0 N+ `) ]# c; j
  4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
; R$ P8 u+ F$ L1 {4 {  失效分析的一般程序* L" q& \5 C) ~/ p2 [  P
  1、收集现场场数据


1 _- M# R2 w/ n) {, l  2、电测并确定失效模式
5 I4 j" z5 t% W& F  3、非破坏检查

       4、打开封装" r+ h; a* R. B7 Q) m1 K
  5、镜验) c  `$ b$ v9 G! L
  6、通电并进行失效定位* Z% P+ b. V+ t) D, m; l
  7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。& a5 i5 q" u( U$ l
  8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。
! P. \4 }7 V5 |2 X2 z  A  1、收集现场数据:
/ X% @) Y: E2 x9 h2 [  2、电测并确定失效模式
1 D5 {; X* _. g4 d8 J  电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。; x4 c7 o. w! K1 A
  连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
, v+ K+ d* G# D/ r* s2 f  电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。1 A+ [; E& T: t: S* D
  确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路
2 J! X& m& u' }( q8 N8 V9 ~4 V  三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。; T  B# S7 O. F( D+ k4 V+ \
  3、非破坏检查


" K8 c; D4 {! n/ ~2 ~: X  X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。


+ W1 f9 z9 \5 P7 }, Q: j1 f: D  适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout! s! M1 ?+ m! U8 ]- P7 M" V
  优势:工期短,直观易分析: `( y+ U5 I# q* ?/ q4 B$ {
  劣势:获得信息有限) i/ F7 b. J, W, v0 K9 H1 @$ o
  局限性:
" V  L$ a, E! |. k- I1 ?  1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;6 @% G/ q  @- r
  2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。
( a+ I: F% O" t" V  案例分析:
& ~% o, ]5 ~# [7 Y+ d  X-Ray 探伤----气泡、邦定线


3 V/ H; [( y: h  R  e  X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)

% Q4 `" z" y9 Q, k) d" U
  “徒有其表”

+ P% L9 b9 v$ M, u, ^, W6 n' k- R
  下面这个才是货真价实的

5 {3 v0 v0 b1 _: q
  X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)

. J# O3 {, A0 F& Q2 t& ~% {
  X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)


- t9 |  ]. O7 B! W3 F  (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)


9 u; m; j" x7 M7 J7 ^; |1 y  4、打开封装- \  g* [( C- e/ w
  开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。

! ~6 q( I& I6 H. \, X
  机械开封
4 z5 Z* C3 n, E( ~% u  化学开封2 u' M* L0 F5 t6 ~% I- @1 W. J7 w
  5、显微形貌像技术/ E4 Y0 o/ z3 x/ [) f
  光学显微镜分析技术9 t& I6 Q* r  _' S" f- i
  扫描电子显微镜的二次电子像技术: [& d, w& x/ b. a9 M1 w( y  ]
  电压效应的失效定位技术
/ S0 {0 A9 e1 x/ P: L3 u3 ]/ o  6、半导体主要失效机理分析


$ R- ?  R' F  o2 ^# X' l  电应力(EOD)损伤' Z  `6 ]  j7 R: u9 ?
  静电放电(ESD)损伤# k: N7 s1 O& Y4 J4 W# h
  封装失效
! P# {& E1 p- j7 I7 d/ ]  引线键合失效1 g( ^& J8 \  K7 K  `( E" A
  芯片粘接不良" n1 ^7 w0 u- x. ^- D0 R
  金属半导体接触退化! q& p& Z3 \6 i7 N
  钠离子沾污失效
7 Y& z* {) w& [6 O: @) f$ p3 S% I  氧化层针孔失效


9 c0 [( J4 A+ f1 X% a/ ]; ]

该用户从未签到

2#
发表于 2020-4-7 15:52 | 只看该作者
社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-11-24 17:29 , Processed in 0.203125 second(s), 24 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表