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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。. i/ e; c( \( ?2 {; J
开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。% [& q$ i e& Y1 F U" a. n
失效分析基本概念: | q# L2 \2 R; ~: ?
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。. o m! u- Q, S" b
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。' c& U% s: g9 B0 J: X' x6 X
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。. t4 K# G, m( ]7 g
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。0 N+ `) ]# c; j
4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
; R$ P8 u+ F$ L1 {4 { 失效分析的一般程序* L" q& \5 C) ~/ p2 [ P
1、收集现场场数据 ![]()
1 _- M# R2 w/ n) {, l 2、电测并确定失效模式
5 I4 j" z5 t% W& F 3、非破坏检查
4、打开封装" r+ h; a* R. B7 Q) m1 K
5、镜验) c `$ b$ v9 G! L
6、通电并进行失效定位* Z% P+ b. V+ t) D, m; l
7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。& a5 i5 q" u( U$ l
8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。
! P. \4 }7 V5 |2 X2 z A 1、收集现场数据:
/ X% @) Y: E2 x9 h2 [ 2、电测并确定失效模式
1 D5 {; X* _. g4 d8 J 电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。; x4 c7 o. w! K1 A
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
, v+ K+ d* G# D/ r* s2 f 电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。1 A+ [; E& T: t: S* D
确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
2 J! X& m& u' }( q8 N8 V9 ~4 V 三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。; T B# S7 O. F( D+ k4 V+ \
3、非破坏检查 ![]()
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" K8 c; D4 {! n/ ~2 ~: X X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
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+ W1 f9 z9 \5 P7 }, Q: j1 f: D 适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout! s! M1 ?+ m! U8 ]- P7 M" V
优势:工期短,直观易分析: `( y+ U5 I# q* ?/ q4 B$ {
劣势:获得信息有限) i/ F7 b. J, W, v0 K9 H1 @$ o
局限性:
" V L$ a, E! |. k- I1 ? 1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;6 @% G/ q @- r
2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。
( a+ I: F% O" t" V 案例分析:
& ~% o, ]5 ~# [7 Y+ d X-Ray 探伤----气泡、邦定线
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3 V/ H; [( y: h R e X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)
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% Q4 `" z" y9 Q, k) d" U
“徒有其表” ![]()
+ P% L9 b9 v$ M, u, ^, W6 n' k- R
下面这个才是货真价实的 ![]()
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X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片) ![]()
. J# O3 {, A0 F& Q2 t& ~% {
X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析) ![]()
- t9 | ]. O7 B! W3 F (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)
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9 u; m; j" x7 M7 J7 ^; |1 y 4、打开封装- \ g* [( C- e/ w
开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。
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! ~6 q( I& I6 H. \, X
机械开封
4 z5 Z* C3 n, E( ~% u 化学开封2 u' M* L0 F5 t6 ~% I- @1 W. J7 w
5、显微形貌像技术/ E4 Y0 o/ z3 x/ [) f
光学显微镜分析技术9 t& I6 Q* r _' S" f- i
扫描电子显微镜的二次电子像技术: [& d, w& x/ b. a9 M1 w( y ]
电压效应的失效定位技术
/ S0 {0 A9 e1 x/ P: L3 u3 ]/ o 6、半导体主要失效机理分析 ![]()
$ R- ? R' F o2 ^# X' l 电应力(EOD)损伤' Z `6 ] j7 R: u9 ?
静电放电(ESD)损伤# k: N7 s1 O& Y4 J4 W# h
封装失效
! P# {& E1 p- j7 I7 d/ ] 引线键合失效1 g( ^& J8 \ K7 K `( E" A
芯片粘接不良" n1 ^7 w0 u- x. ^- D0 R
金属半导体接触退化! q& p& Z3 \6 i7 N
钠离子沾污失效
7 Y& z* {) w& [6 O: @) f$ p3 S% I 氧化层针孔失效
9 c0 [( J4 A+ f1 X% a/ ]; ] |