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本帖最后由 mengyijiu 于 2020-4-6 22:24 编辑
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( E/ ^, h3 `. n$ J1、串联电阻 R1
% p7 g) b# G# K7 f/ T 1）作用： 预防晶振被过分驱动又或者可讲用来调整drive level和发振余裕度；限制振荡幅度。
; E r4 } n8 \+ ^; Z7 A1 K 2）为什么：晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效（又可以讲drive level调整用）； 3）阻值的大小：几百K；
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2、并联电阻 R2
m" N/ G6 B% Y- | 1）为什么：电路并联电阻是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震荡的；
3 E' ^. m' G& g- J5 ]" n/ D 2）作用：配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；限流防止谐振器被过驱；并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；电阻取值影响波形的脉宽；8 ~6 T+ C% M' L1 }9 G8 ~
3）阻值的大小：100K～20M可以正常启振，但会影响脉宽比的；
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5 E, }: o1 |# [2 K$ [注：串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮助起振) U! l- ?) O# X
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3、结论) y. m% }4 ?; X+ [- s/ G
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般KHz晶振电路，并联电阻通常为10M欧；MHz晶振，并联电阻通常为1M欧左右。输出端串联电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。其值的大小通常为几百K 欧姆较多，具体大小需要通过调试，根据过驱程度去选定串接多大电阻。" |) }! b/ p+ `9 N
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4、2个电容0 o$ U7 Q- }! n+ b9 K
2个电容是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是20~30pF左右，太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。) |- |7 \0 h2 q* ?; i
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发表于 2020-3-31 22:40
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发表于 2020-4-1 09:23
