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随高速大容量5G通信技术而来的信号宽带化及挑战为了达到相当于现行网速100倍的10Gbps，如何利用比现行带宽宽数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知，若以大功率输出宽带信号，功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题，降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系，2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中最大达到400MHz，在毫米波中则达到数GHz。
, R6 R# g5 F& Z$ e0 X去耦解决方案去 利用硅电容器的解决方案以下将介绍消除二阶IMD的方法。IMD的低频段可通过与场效应管的漏极相连的偏置电路消除，但是IMD的高频段因为受到用于 RF-Blocking的微带线等的影响，难以在功率放大器模块外消除。在此要介绍的方法就是，将硅电容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模块内的金属基板上，通过打线方式将硅电容与FET连接。
- k4 U0 O5 R+ e3 }0 ~通过这种方法，利用在实际使用条件下能够保持大容量的小型硅电容器，可以在功率放大器模块的有限空间内消除IMD。 硅电容器的特点让小型 × 大容量在实际使用条件（外施电压时及高温环境）下得到实现 7 T. `" V1 J; Y3 J3 ^
硅电容器采用村田独家技术通过深沟槽及三角架支柱的结构，获得了比平面结构大100倍的电极表面积，实现了紧凑封装。另外，因为硅电容器的电介质使用了温度补偿类材料，所以在实际使用条件下容量不会减少，达到了上下电极式小型产品领域中的最大级别 静电容量密度。
引线键合系列 WLSC 系列" Z) d# ~' W" y5 O* v) @% E( B
频率 : 10GHz
( Q2 B, ~9 i1 v! u+ y4 ~1 f5 |9 A厚度 : 100µm ' S$ f$ M. H9 Y/ z
WBSC 系列
. k6 d* c. l4 ]3 t& N7 c/ N频率 : 10GHz
0 \! Z4 Z0 A9 \. b' R厚度 : 250µm 6 o- t) s8 ^+ m0 H# y5 x; U
UWSC 系列
/ o) m/ `. k* D* y7 Y, B频率 : 26GHz0 A' {; ^$ o" ]) d- h# D
厚度 : 100/250µm
; [4 t6 k6 {. k+ Q1 |" u7 v2 Y, r6 |
2 J3 `. T+ U) m8 W. a5 L7 f | 
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发表于 2020-3-24 21:14
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