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随高速大容量5G通信技术而来的信号宽带化及挑战为了达到相当于现行网速100倍的10Gbps，如何利用比现行带宽宽数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知，若以大功率输出宽带信号，功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题，降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系，2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中最大达到400MHz，在毫米波中则达到数GHz。
# `3 T( Y/ n" x% N去耦解决方案去 利用硅电容器的解决方案以下将介绍消除二阶IMD的方法。IMD的低频段可通过与场效应管的漏极相连的偏置电路消除，但是IMD的高频段因为受到用于 RF-Blocking的微带线等的影响，难以在功率放大器模块外消除。在此要介绍的方法就是，将硅电容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模块内的金属基板上，通过打线方式将硅电容与FET连接。
$ k7 c( z- h# B7 m& ?2 f+ D通过这种方法，利用在实际使用条件下能够保持大容量的小型硅电容器，可以在功率放大器模块的有限空间内消除IMD。 硅电容器的特点让小型 × 大容量在实际使用条件（外施电压时及高温环境）下得到实现
* J8 k( ?) n. ] j$ L7 s硅电容器采用村田独家技术通过深沟槽及三角架支柱的结构，获得了比平面结构大100倍的电极表面积，实现了紧凑封装。另外，因为硅电容器的电介质使用了温度补偿类材料，所以在实际使用条件下容量不会减少，达到了上下电极式小型产品领域中的最大级别 静电容量密度。
引线键合系列 WLSC 系列1 N5 _. p3 a* [0 V( o
频率 : 10GHz
# m/ ]3 c' m6 w& @" F' P6 ]) x. {7 v厚度 : 100µm
# C8 [, o, O& n) D) VWBSC 系列1 t$ O3 K/ d7 A. E; Q! Z8 W
频率 : 10GHz) U5 `: y/ q/ G% b
厚度 : 250µm 4 t) U5 j# D$ @3 J4 A
UWSC 系列
0 o* T$ n& v3 K频率 : 26GHz/ W2 O1 K, Q& s5 z6 `' m# s! i
厚度 : 100/250µm 2 Y L' c1 |& F
9 v$ Z+ v) H. v
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发表于 2020-3-24 21:14
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