MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？

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MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？

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我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。
, s2 p, C" T! b3 a: r一、什么是安全工作区？
$ l, }9 n6 ]: F; L安全工作区：SOA（Safe operating area）是由一系列（电压，电流）坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲，只要器件工作在SOA区域内就是安全的，超过这个区域就存在危险。
1 X# N# q5 B9 g/ A6 j: j. ?" `二、SOA具体如何应用和测试呢？
开关器件的各项参数在数据手册中都会明确标注，这里我们先来解读两个参数：
•        VDS（Drain-source voltage）：漏源电压标称值，反应的是漏源极能承受的最大的电压值；
( e/ i1 E% d: d, ?4 c•        IDM（Drain current(pulsed)）：漏源最大单脉冲电流（非重复脉冲），反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强。




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对Mos、IGBT的关键参数介绍到位，简短精致