嵌入式MRAM关键应用与制造商

英尚微电子

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM，有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案：其中还包括台积电(TSMC，22nm ULL CMOS)、三星(Samsung，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)、英特尔(Intel，22nm FinFET)。
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) X: [7 s" J% F1 n从目前的市场角度来看，虽然现在的NAND和DRAM在未来几年占据主导地位,但是MRAM预计将会有显著成长。根据市场研究机构报告，到2024年的STT-MRAM市场可望达到 18亿美元规模(包括12亿美元规模的嵌入式方案，以及约6亿美元的独立组件)，2018到2024年间的复合年成长率为85%，总产量超过30万片晶圆(wafer production volume)，同期间复合年成长率为126%。
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% n- l8 D! X7 U* ]# nMRAM市场报告

( K! b4 z" d6 b0 a未来我们将会看到嵌入式STT-MRAM 出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(mcu)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国Everspin还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。

7 ?, X  w8 G9 i: s' k. v
5 p  Z1 l+ x( j5 L% K3 [3 KEverspin  STT-MRAM  256Mb

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Package	Pack/Ship
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays

英尚微电子

从目前的市场角度来看，虽然现在的NAND和DRAM在未来几年占据主导地位,但是MRAM预计将会有显著成长。

英尚微电子

到2024年的STT-MRAM市场可望达到 18亿美元规模(包括12亿美元规模的嵌入式方案，以及约6亿美元的独立组件)，2018到2024年间的复合年成长率为85%，总产量超过30万片晶圆(wafer production volume)，同期间复合年成长率为126%。