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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件9 D! |& q6 A. O2 G v6 ]
失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。" o2 {) o* I, C
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. j: o! s5 z) Q$ ~6 a& e& m失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。' ?' o0 U& q! }' _, }" l! ]4 i9 Y
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! B2 V8 m+ ^. s1 y: X' l0 D7 k. S, e其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。4 v' E, I& [6 r8 l. h; D0 H% v
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
- h( Y) j/ T) N' y. G请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。
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* B3 A3 Q& ~( g+ a& ?1 G- ?: f h7 B在此谢过了！
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发表于 2020-3-19 13:43
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