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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
, a! P! ?. b+ b: _- ]失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。+ l' G* U$ m9 I
# H: Z, p9 c* Z* d7 a* K/ a1 u
! R/ a8 h6 y* w失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。4 D1 C" D: q& o! X1 @
6 {4 N* D, D$ n0 r$ T
t, R4 \! `# \$ R) Q1 d其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
, y$ w; Y4 W# x! ySW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
4 z- d2 q. t1 Z! u请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。, |( k/ d* ]. w- V, \ Q! N/ I
+ V2 {* E" |, h7 A
0 @+ {- g# o y! D
在此谢过了！
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发表于 2020-3-19 13:43
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