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5 p' t3 P7 z! \5 U, Q9 f差分线 在不影响阻抗控制前提下0 C, v. s. n* e. l9 n" G
两条线间距越近越好0 p4 U3 j7 C& ?- ^# D; Y
9 Y% E' E* |1 T: v' D
1. 更不容易干扰别人
2 O+ _5 p3 \1 V8 [2. 更不容易被别人干扰" L% S6 o5 Q5 i: c
# H, Y; r, y; d) ?; t
注意! 我是说 在不影响阻抗控制前提下, b" M' I, L' H4 @ N3 p
因为间距会影响阻抗
" [( g6 h) ?; k/ q( U- i
/ V8 r5 a% R0 r8 E至于你说 容性耦合会加倍
( |8 l$ ~5 C7 Y3 G6 w( Y! p* S是没错啊 距离近了 当然寄生电容变大+ p5 \( \% A* D7 u1 e6 }
' O, R& K! Z% J4 u$ H. _
但重点是 这未必是坏事
6 h3 C; B L( W7 ~5 m( Z! t3 x( N你在走RF走线时 走表层+ Y4 q+ H) ~$ W3 G7 f
两旁的GND 肯定也是在不影响50奥姆情况下
) i# g# u8 E0 ^+ F3 u离RF走线越近越好( H0 _* `7 e+ A3 l, r; f
这当然寄生电容变大& s; J: m; \( u
但 是坏事吗?, |. m/ \. Z7 Y B
8 W8 g9 B' d* o; N6 S
所以回到一开始问题 差分走线 离越近越好(不影响阻抗控制前提下)
: F. j" ]# Q6 H' A% |寄生电容变大? 是的$ t) F; W( D2 [) W
串扰变大? 这未必喔 Z Y' |& X0 `7 v) O, v. I& s: m6 n
! ]: Z) ^) I* e* i: Z' L; p
0 q+ [* q- p9 X
. {8 U6 |& D; J1 b) q$ m
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发表于 2010-4-5 04:25
发表于 2020-11-13 17:53
