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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
, l3 t' D5 @- A, F# E( S失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。( ] N/ o0 z6 P& ?( ~% l5 K
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失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
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9 f8 B/ k& ~' H" y其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
5 v R l3 y9 B3 JSW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？" A# X1 T4 t: ~1 t
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。' W2 a( u. b. v
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- Y" W1 ^% D. Z' G7 S1 q5 e在此谢过了！
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发表于 2020-3-18 15:53
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