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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
3 }0 H% n6 J, _& X4 [失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。9 R0 G4 ~; p7 s
% ?! @( r/ G4 Z' R9 ~& j& W+ P; H4 i+ H4 V W5 O
失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
; w, j$ J4 o* h4 T- r1 E) F* l1 r i- F D
# b) M' E, |4 F5 m9 Z其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
$ f4 {) E# B7 @7 ^% ]SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
% S" n! ]* [3 E- l; u请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。7 [. U8 C* T1 o4 g$ E0 a
, i+ i0 [3 a' [) u- e
+ m& m- i9 g. U2 L/ b. Q% I1 ]6 M6 l
在此谢过了！
4 M8 W' p( s: e% X1 Y! ^9 [ |
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发表于 2020-3-18 15:53
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