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芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot电源,采用国内0.5um BCD工艺,使用5V低压mos/12V dmos器件
a8 v. l) u: ]; `8 I, Z9 j失效条件:VIN=4V时,一切正常;VIN=5V时,反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
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失效芯片的表现:1)功能正常但空载电流变大到几十上百mA;2)功能正常但关断电流变大到几十mA;3)功能不正常,无输出;4)VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样,是前面1~4项的一条或两条。
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其它,部分损坏芯片VIN ESD烧毁,但是ESD实验可以过4kV,Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电,其它部位不明显。 U$ y$ Y+ P/ W+ {, M7 K9 [
SW开关信号上冲下冲比较大,是功率管驱动能力太强了吗?
( u" Y2 }. u' _4 `, I7 O请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方,或者测试分析手段。
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- G5 K! D4 M- O! z5 V$ b4 w) j在此谢过了!) r1 b2 h3 }( m8 m, Z% Y# l
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