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芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot电源,采用国内0.5um BCD...

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发表于 2020-3-18 15:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot电源,采用国内0.5um BCD工艺,使用5V低压mos/12V dmos器件' P  c% `! t0 t( Q0 T: E0 n
失效条件:VIN=4V时,一切正常;VIN=5V时,反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。# [7 f/ d! y4 N

+ K+ |/ l1 H+ S0 U

1 N5 I/ I' R2 R1 k* T5 y失效芯片的表现:1)功能正常但空载电流变大到几十上百mA;2)功能正常但关断电流变大到几十mA;3)功能不正常,无输出;4)VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样,是前面1~4项的一条或两条。5 }' A# D* F% M3 k' O

& c$ O7 n9 d: O8 X. H" x: ?
; V7 O3 u4 D( F) R$ r) E; m
其它,部分损坏芯片VIN ESD烧毁,但是ESD实验可以过4kV,Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电,其它部位不明显。, m1 y8 @/ S. o
SW开关信号上冲下冲比较大,是功率管驱动能力太强了吗?
) Z* Z) E+ K4 W请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方,或者测试分析手段。
( T1 d7 c8 v1 \$ Q. W) u8 G
( }3 h0 c* w! k
+ P( f) _; p" v5 M
在此谢过了!
$ v( b. C! L. T; ]" ?8 E

该用户从未签到

2#
发表于 2020-3-18 16:00 | 只看该作者
  ESD应该是只在2kv、3kv、4kv这三个点上测了,换电源的话,损坏的概率有不一样,另外用插座和直接焊接也有区别,焊接的话更不易损坏,
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