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芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot电源,采用国内0.5um BCD...

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发表于 2020-3-18 15:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot电源,采用国内0.5um BCD工艺,使用5V低压mos/12V dmos器件
  a8 v. l) u: ]; `8 I, Z9 j
失效条件:VIN=4V时,一切正常;VIN=5V时,反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
1 M3 }+ Q9 B. |! U% Q0 [8 N; |1 m& m& d$ K* W  S$ B/ J# Q% ~
; [, _+ }8 {6 a6 `( \# O) A3 u
失效芯片的表现:1)功能正常但空载电流变大到几十上百mA;2)功能正常但关断电流变大到几十mA;3)功能不正常,无输出;4)VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样,是前面1~4项的一条或两条。
1 x8 j& z1 `- k# R  p6 R7 L
! I$ q+ n, n: L0 F
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其它,部分损坏芯片VIN ESD烧毁,但是ESD实验可以过4kV,Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电,其它部位不明显。  U$ y$ Y+ P/ W+ {, M7 K9 [
SW开关信号上冲下冲比较大,是功率管驱动能力太强了吗?
( u" Y2 }. u' _4 `, I7 O请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方,或者测试分析手段。
, |$ B1 V' R9 X$ T. {$ q! I
" e5 R: x6 A/ x5 Z

- G5 K! D4 M- O! z5 V$ b4 w) j在此谢过了!) r1 b2 h3 }( m8 m, Z% Y# l

该用户从未签到

2#
发表于 2020-3-18 16:00 | 只看该作者
  ESD应该是只在2kv、3kv、4kv这三个点上测了,换电源的话,损坏的概率有不一样,另外用插座和直接焊接也有区别,焊接的话更不易损坏,
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