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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
a8 v. l) u: ]; `8 I, Z9 j失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
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失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
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其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。 U$ y$ Y+ P/ W+ {, M7 K9 [
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
( u" Y2 }. u' _4 `, I7 O请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。
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- G5 K! D4 M- O! z5 V$ b4 w) j在此谢过了！) r1 b2 h3 }( m8 m, Z% Y# l
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发表于 2020-3-18 15:53
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