半导工艺今日头条

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半导工艺今日头条
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    5nn重夺领导地位 Intel将在2023年推出5nm GAA工艺

     ntel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺，首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了，因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。

    随着制程工艺的升级，晶体管的制作也面临着困难，Intel最早在22nm节点上首发了FinFET工艺，当时叫做3D晶体管，就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管，提高了性能，降低了功耗。

    FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择，一直用到现在的7nm及5nm工艺。

    I ntel之前已经提到5nm工艺正在研发中，但没有公布详情，最新爆料称他们的5nm工艺会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。

    GAA晶体管也有多种技术路线，之前三星提到他们的GAA工艺能够提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面积，不过这是跟他们的7nm工艺相比的，而且是初期数据。

  考虑到Intel在工艺技术上的实力，他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。

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   如果能在5nm节点跟进GAA工艺，Intel官方承诺的“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了，因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。

至于5nm工艺的问世时间，目前还没明确的时间表，但Intel之前提到7nm之后工艺周期会回归以往的2年升级的节奏，那就是说最快2023年就能见到Intel的5nm工艺。

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中芯国际年底生产7nm工艺引外媒关注 中国芯片追上来了

在半导体领域，中国虽然是全球最大的市场，占了1/3左右的全球份额，但在核心技术比较落后，尤其是顶级半导体工艺，基本上掌握在了Intel、台积电、三星等公司手中。

作为国内最大也是实力最强的晶圆代工厂，SMIC中芯国际是国内半导体制造行业追赶先进的关键所在，去年底他们量产了14nm工艺，并且在Q4季度贡献了1%的营收。

此外，中芯国际在14nm之后的先进工艺上还在加速追赶，2月份的财报会议上，中芯国际联席CEO梁孟松博士也首次公开了N+1、N+2代工艺的情况。

他说N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。

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中芯国际的N+1工艺相当于台积电的第一代7nm工艺，偏向低功耗一些，N+2工艺重点在提升性能，相当于台积电的7nm+工艺。

更进一步的消息称，中芯国际的7nm级工艺进度比预期的要快，今年底就要生产了，尽管初期肯定是试产，产能不会有多大。

中芯国际7nm工艺年底问世的消息不仅国人关注，欧美的科技媒体最近也报道了这件事，除了关注技术问题之外，他们也认为这件事对中国的半导体行业意义重大。

总之，假如中芯国际的7nm工艺顺利，那么中国公司在半导体核心技术上算是追上来了，尽管还不能领跑，但有了同级竞争的资格了。

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考虑到Intel在工艺技术上的实力，他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。