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3月12日【电巢直播间】《用数据说话—HFSS仿真实操案例讲解第二期》——答疑

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发表于 2020-3-17 09:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑 & @7 X. b" F0 I2 t; @# r( y

( K. U' i: e) [8 R& _& k

$ a% F& X: h, ~, }  \' s
何平华老师
EDA365射频、微波论坛特邀版主
原华为射频硬件首席设计专家

1 S) \2 e" l0 M- l! m9 w; C
30年行业产品研发经验,荣获多项PCT国际专利。曾创建华为射频PCB设计团队,在行业内率先将HFSS引入PCB设计领域;为射频与板级高速无源链路精准建模做出过突出贡献;为公司解决多项产品疑难及技术攻关问题。
曾荣获华为个人金牌奖一次、团队金牌奖两次。
3 v3 ^8 n+ n  k5 q. I" U- C5 [" N  D
关于 3月12日何老师当天直播的问题,老师已经帮大家一一解答,现在整理如下,如果还有别的疑问,可以跟帖留言哈,关于何老师以及其他老师的课程回顾,可以下载电巢APP直接观看。

7 S; i# g' K8 m
" R# F3 L& m* n3 \: U0 J3 m9 r0 A- u! ]1 g* X  _) A+ T& E/ Q
问题一:这里Q值定义是?
4 ^, R5 _9 {. z# z
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。
/ H+ n" z" i% J* o: v8 n
我们看到本征仿真的自谐 振频率Q值也有100左右,看起来Q值也不低,但是屏蔽腔毕竟不是谐振腔,内部的PCB和元件不能正好形成合适的加载结构,所以Q100的本征模式是谐 振不起来的,所以不用关心。根据仿真经验,我们要关注那些Q值超过1000的自谐振频率。

# z3 _- K! @" k4 _% x0 Q
0 r" S* m, r* P' f! j7 m
问题二:为什么缝隙越大,隔离度越大?

6 |7 x8 e' n1 \8 Q. \' c; p! ~8 ?
因为屏蔽盖缝隙越大,屏蔽腔就会越开放些,开放的屏蔽腔会对外辐射能量,会降低自谐振的Q值,Q值会降到谐振不起来的适度。

- C/ s* R2 N6 J! b/ ~( f2 T
我们的前两步的仿真模型中,已经证明了屏蔽腔内部隔离度与自谐振密切相关:本征模式仿真的高Q值自谐振频点正好是隔离度劣化尖峰频点。

2 R( G: O! a' I9 E
所以缝隙越大,自谐振Q值越低,腔体越不容易谐振,那么隔离度就越高。
& }% m" Z  o* l0 h& ^
8 K; N, t/ A7 R7 _
问题三:请问Q值怎么定义呢?阻抗虚部除以整部?为什么Q 值高频率选择性高?
8 R; O8 d; L( p  W- `2 h
谐振电路(或谐振结构)的Q值都是一样定义的。
! F; t7 K2 {1 X+ B  X& {7 e/ \9 s* L
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。
- G3 k0 Q3 w" a. A. b
这位网友问的都是基本理论,建议网友自己找相关资料学习,书上讲的肯定比何老师回答的更精确。

2 e6 S% D; V* R  U# `" P: c

  U, g: S* x, C, r0 `7 @! H; n$ |. b
问题四:结构越小自谐振频率越高吗?

# T( n! D3 |" i( Q9 O$ x7 p
那当然是。
; f- c4 [/ w6 n/ |& A- `
无源射频微波电路有等比例缩放的特点。3D结构尺寸等比例变化,则特征曲线在频率轴上等比例平行移动。
2 e" F2 e" {' U, {$ r/ l0 i  S
2 w2 D" c; n  z( r2 [0 k* H
问题五:改如何增大近场磁场,而减小远场(四分之一波长以外)的辐射?

0 z7 u$ C9 c1 F. K/ ^9 x% n
没有描述清晰的场景,所以网友的这个问题无法回答。

/ n) G4 Q; x5 b
( |' _5 M% S3 n6 N/ S; u
问题六:带孔缝的腔体能仿真自谐振频率吗? 用本征模求解?

( ~3 T) Z5 }: v* W+ n! B2 {* V
能仿真啊。

9 P  X( _- ]* A) T7 ^
对,是用本征模求解。

/ U4 n$ V+ }  t8 ?6 A6 I
但要设置好模型的边界条件,要与真实情况一致,否则仿真结果是不对的。

7 w* }8 G& h2 n3 C! e
如果能量会从孔缝辐射出去,那么就要在外面罩个较大的六面体空气盒,并将空气盒的六个面设置为辐射边界条件(吸收边界条件)。
4 R; c/ z  T( _& `4 T

2 b. Y& c2 d2 Z% I! R
问题七:射频功放板也是有这种模型仿真吗?
/ `, W# u+ ]# s8 w
HFSS只能仿真无源电路,所以只能仿真没有电源的功放板。
7 n4 J; n7 }7 F$ V
HFSS无法仿真有源电路,因此不能仿真功放板的有源参数,如功率、失真等。
4 |2 m: P" ~( X" @  H! s) e) c, E
7 c- Y9 A. _2 L* v" w3 U, r8 b
如有疑问可跟帖回复
& X" n  L# n1 I+ ~  A7 R# `

该用户从未签到

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发表于 2020-3-18 18:05 | 只看该作者
本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑
# Q* {/ w; `" F9 b# X: E  F/ i- U5 i0 Z/ T  v# C: Y( Z5 b
老师您好,我想问一下在使用HFSS仿真平衡式SIW带通滤波器的时候,馈线的耦合长度应该怎么提取呢?' m, z- O% H+ v4 o9 q# i* k$ _

& ~3 r; z8 A$ J2 p9 u. V我看书中是这样的,但是我们仿真求得的是一个双谐振腔的滤波器,书中没有标明谐振腔的尺寸,是任意一个谐振腔都可以吗?( A3 C6 r* }9 I7 R* q8 y

. b- T& s& t' w; F于是我试着在本振模式下,对其中一个谐振腔的品质因素进行仿真,可是Q和耦合矩阵所求的的Q相距甚远,是因为模型不对吗?还是这种方法就有问题?
" B: E$ z/ ]4 |  Z+ \, |# Z; f因为我的模型图片上传不了,所以我把相关问题的链接放在下面,希望老师有空可以解答。8 D0 C' i; b# W" ]
https://www.eda365.com/thread-327531-1-1.html

该用户从未签到

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发表于 2020-3-31 16:27 | 只看该作者
怎么会有这么高的Q值?
1 H( y2 |* ]  I* k) D3 N检查一下HFSS模型中的材料属性:Ro5880的介质损耗角?PCB铜箔的电导率?以及PCB铜箔的表面粗糙度。
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