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本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑
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30年行业产品研发经验,荣获多项PCT国际专利。曾创建华为射频PCB设计团队,在行业内率先将HFSS引入PCB设计领域;为射频与板级高速无源链路精准建模做出过突出贡献;为公司解决多项产品疑难及技术攻关问题。 曾荣获华为个人金牌奖一次、团队金牌奖两次。 2 u: c! O! {. l. ], F* \: N
关于 3月12日何老师当天直播的问题,老师已经帮大家一一解答,现在整理如下,如果还有别的疑问,可以跟帖留言哈,关于何老师以及其他老师的课程回顾,可以下载电巢APP直接观看。
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问题一:这里Q值定义是? ( F, a [; B1 n# x1 g
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。
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我们看到本征仿真的自谐 振频率Q值也有100左右,看起来Q值也不低,但是屏蔽腔毕竟不是谐振腔,内部的PCB和元件不能正好形成合适的加载结构,所以Q值100的本征模式是谐 振不起来的,所以不用关心。根据仿真经验,我们要关注那些Q值超过1000的自谐振频率。
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, U& f' K! ]* E4 B9 V* d7 ]* \: _ 问题二:为什么缝隙越大,隔离度越大?
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因为屏蔽盖缝隙越大,屏蔽腔就会越开放些,开放的屏蔽腔会对外辐射能量,会降低自谐振的Q值,Q值会降到谐振不起来的适度。
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我们的前两步的仿真模型中,已经证明了屏蔽腔内部隔离度与自谐振密切相关:本征模式仿真的高Q值自谐振频点正好是隔离度劣化尖峰频点。
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所以缝隙越大,自谐振Q值越低,腔体越不容易谐振,那么隔离度就越高。 " d7 p. R2 o$ u* K' p
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问题三:请问Q值怎么定义呢?阻抗虚部除以整部?为什么Q 值高频率选择性高? & L! n, O) F* f5 Z
谐振电路(或谐振结构)的Q值都是一样定义的。 9 D2 G: S- \4 h9 D; m- \' ^5 f
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。 # ~7 x. g1 ?0 h ~" g' G ]
这位网友问的都是基本理论,建议网友自己找相关资料学习,书上讲的肯定比何老师回答的更精确。 8 k [! U& P) d1 r2 k
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问题四:结构越小自谐振频率越高吗? # P' z+ }1 p1 H
那当然是。 5 E0 E: x5 x+ B
无源射频微波电路有等比例缩放的特点。3D结构尺寸等比例变化,则特征曲线在频率轴上等比例平行移动。 / H+ [' \" k; t p) W, z& S/ f5 q
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问题五:改如何增大近场磁场,而减小远场(四分之一波长以外)的辐射? + P, E2 p# v: O2 N$ s6 A t! F1 W
没有描述清晰的场景,所以网友的这个问题无法回答。 & P/ t1 x# r( Q/ x2 `0 @! ~
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问题六:带孔缝的腔体能仿真自谐振频率吗? 用本征模求解?
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能仿真啊。 , X k; P) s2 J! m3 v
对,是用本征模求解。
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但要设置好模型的边界条件,要与真实情况一致,否则仿真结果是不对的。
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如果能量会从孔缝辐射出去,那么就要在外面罩个较大的六面体空气盒,并将空气盒的六个面设置为辐射边界条件(吸收边界条件)。 - d. d& e! t+ h" [
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问题七:射频功放板也是有这种模型仿真吗? 8 K, x+ K. A# \, j- g5 l
HFSS只能仿真无源电路,所以只能仿真没有电源的功放板。 , K) T! ]0 P; L
HFSS无法仿真有源电路,因此不能仿真功放板的有源参数,如功率、失真等。
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如有疑问可跟帖回复
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