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3月12日【电巢直播间】《用数据说话—HFSS仿真实操案例讲解第二期》——答疑

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发表于 2020-3-17 09:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑
' m+ e  [! ]2 j! n$ K: Z8 i6 N( Q7 N
% m5 h' j' s. d/ Y/ K
1 c3 T1 k- c; B) |/ _" ~, T6 K& u' }8 c
何平华老师
EDA365射频、微波论坛特邀版主
原华为射频硬件首席设计专家
5 u: o  q: ^! D9 {) ~+ ~
30年行业产品研发经验,荣获多项PCT国际专利。曾创建华为射频PCB设计团队,在行业内率先将HFSS引入PCB设计领域;为射频与板级高速无源链路精准建模做出过突出贡献;为公司解决多项产品疑难及技术攻关问题。
曾荣获华为个人金牌奖一次、团队金牌奖两次。
2 u: c! O! {. l. ], F* \: N
关于 3月12日何老师当天直播的问题,老师已经帮大家一一解答,现在整理如下,如果还有别的疑问,可以跟帖留言哈,关于何老师以及其他老师的课程回顾,可以下载电巢APP直接观看。

2 B* v3 f7 e* z
; S  v9 V6 a# ^1 T+ H. J: W4 A2 I+ g! c5 m7 \7 Q4 C/ O1 i# w8 c
问题一:这里Q值定义是?
( F, a  [; B1 n# x1 g
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。

+ b4 ?& X3 l+ h! S3 [3 t4 W2 @
我们看到本征仿真的自谐 振频率Q值也有100左右,看起来Q值也不低,但是屏蔽腔毕竟不是谐振腔,内部的PCB和元件不能正好形成合适的加载结构,所以Q100的本征模式是谐 振不起来的,所以不用关心。根据仿真经验,我们要关注那些Q值超过1000的自谐振频率。

6 g. s& ^/ @( e: C2 z) m2 X7 y

, U& f' K! ]* E4 B9 V* d7 ]* \: _
问题二:为什么缝隙越大,隔离度越大?

/ o. U3 c/ j( l9 S5 O
因为屏蔽盖缝隙越大,屏蔽腔就会越开放些,开放的屏蔽腔会对外辐射能量,会降低自谐振的Q值,Q值会降到谐振不起来的适度。

& Z- ^2 W0 |, `( \5 {
我们的前两步的仿真模型中,已经证明了屏蔽腔内部隔离度与自谐振密切相关:本征模式仿真的高Q值自谐振频点正好是隔离度劣化尖峰频点。

# p( J: U7 e+ l1 T9 s# F5 y
所以缝隙越大,自谐振Q值越低,腔体越不容易谐振,那么隔离度就越高。
" d7 p. R2 o$ u* K' p

6 q% C" _* K1 Z. n
问题三:请问Q值怎么定义呢?阻抗虚部除以整部?为什么Q 值高频率选择性高?
& L! n, O) F* f5 Z
谐振电路(或谐振结构)的Q值都是一样定义的。
9 D2 G: S- \4 h9 D; m- \' ^5 f
Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。
# ~7 x. g1 ?0 h  ~" g' G  ]
这位网友问的都是基本理论,建议网友自己找相关资料学习,书上讲的肯定比何老师回答的更精确。
8 k  [! U& P) d1 r2 k
! f* `+ a5 E6 a$ e( W
问题四:结构越小自谐振频率越高吗?
# P' z+ }1 p1 H
那当然是。
5 E0 E: x5 x+ B
无源射频微波电路有等比例缩放的特点。3D结构尺寸等比例变化,则特征曲线在频率轴上等比例平行移动。
/ H+ [' \" k; t  p) W, z& S/ f5 q
" f" }/ }" h( I: ~
问题五:改如何增大近场磁场,而减小远场(四分之一波长以外)的辐射?
+ P, E2 p# v: O2 N$ s6 A  t! F1 W
没有描述清晰的场景,所以网友的这个问题无法回答。
& P/ t1 x# r( Q/ x2 `0 @! ~
* Y$ L" r* t5 U) n' v
问题六:带孔缝的腔体能仿真自谐振频率吗? 用本征模求解?

* _0 ?. N6 ^5 R! W! e9 C8 Y' f
能仿真啊。
, X  k; P) s2 J! m3 v
对,是用本征模求解。

$ L# r' P- y) d, a- Z0 R5 M
但要设置好模型的边界条件,要与真实情况一致,否则仿真结果是不对的。

! K6 }3 p3 \2 d; k6 w
如果能量会从孔缝辐射出去,那么就要在外面罩个较大的六面体空气盒,并将空气盒的六个面设置为辐射边界条件(吸收边界条件)。
- d. d& e! t+ h" [
. i% [" o) @) B8 J# g" D8 S0 L& w
问题七:射频功放板也是有这种模型仿真吗?
8 K, x+ K. A# \, j- g5 l
HFSS只能仿真无源电路,所以只能仿真没有电源的功放板。
, K) T! ]0 P; L
HFSS无法仿真有源电路,因此不能仿真功放板的有源参数,如功率、失真等。

- c( M1 {' Z/ {

& h) D. g5 y, V$ t
如有疑问可跟帖回复

9 R7 l# X8 Q( l7 u

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发表于 2020-3-18 18:05 | 只看该作者
本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑
: A7 w. L4 _: P! h' _- T: Z+ B. x, F( u8 h9 b3 h) M! p: _
老师您好,我想问一下在使用HFSS仿真平衡式SIW带通滤波器的时候,馈线的耦合长度应该怎么提取呢?1 u, o% n+ G2 I7 G+ O) ?% |5 u
* x- _/ G/ T; r) s' K5 k
我看书中是这样的,但是我们仿真求得的是一个双谐振腔的滤波器,书中没有标明谐振腔的尺寸,是任意一个谐振腔都可以吗?0 z+ `. |; f+ x
; m* \( Y% {. R! L; p5 W
于是我试着在本振模式下,对其中一个谐振腔的品质因素进行仿真,可是Q和耦合矩阵所求的的Q相距甚远,是因为模型不对吗?还是这种方法就有问题?% k, Z7 c$ ?5 O  ]  ?5 I
因为我的模型图片上传不了,所以我把相关问题的链接放在下面,希望老师有空可以解答。1 ?7 X# h! u& t$ p$ v
https://www.eda365.com/thread-327531-1-1.html

该用户从未签到

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发表于 2020-3-31 16:27 | 只看该作者
怎么会有这么高的Q值?
: E$ d& @3 b: I" y. Q; w  w检查一下HFSS模型中的材料属性:Ro5880的介质损耗角?PCB铜箔的电导率?以及PCB铜箔的表面粗糙度。
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