TD-LTE基带芯片验证系统信号完整性研究

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摘
/ K. S5 \8 N# b( fLTE作为下一代通信技术，因其技术和成本优势被广大运营商普遍接收, LTE基
带芯片的研发及验证工作成为LTE技术推广的关键步骤。本文正是基于TD-LTE基
带芯片验证系统的设计，对高速信号进行信号完整性研究与分析。
: ~4 @  e$ n! x2 p- m: A0 e0 v5 S) f) k本文简要介绍了TD-LTE基带芯片验证系统的构成，对其中的关键模块进行信号
完整性需求分析。详细阐述了在高速PCB设计中用到信号完整性的基本原理，包括
; a" w/ ^6 {/ `: O/ V. [传输线理论、趋肤效应、信号反射及信号间的串扰等。结合实际需求，分析了多种仿
4 L4 ?8 M7 Q1 i真模型的工作原理及各自的适用范围，并选用IBIS模型进行行为级仿真。最后以验
证平台的具体信号为例进行仿真分析,并逐步完善设计,成功完成了系统结构的优化,.
满足了验证平台对信号完整性要求，圆满完成了LTE基带芯片的验证工作。
本文主要的创新及工作成果主要有:
( t% p0 V5 H# A+ ^8 ]0 Y' W1)根据基带芯片的设计架构，参与完成了基带芯片验证平台的设计及芯片的验:
$ ]: _  |" x! A0 q: x$ W证与调试工作。.
& @. N! I: R8 ]& }( \7 @2)利用信号完整性的基本理论和研究方法，完成了基带芯片与FPGA、SDRAM
- |. X4 M. F1 R6 `$ v, ~内存条、标准高速接插件之间单端信号反射、串扰的仿真，根据仿真结果制定了PCB
) j# d6 s) N  e; j2 ?5 X6 ?; \: T设计的详细约束规则，为高速PCB设计提供了切实可行的研究方法。
# g# E- c1 b! t5 b8 P/ c3)通过对基带芯片外部存储器接口拓扑结构的仿真，得出了共用高速和低速存
2 x; {/ l& I6 [3 u7 e" s+ |. |1 h储设备的部分总线的方案具有一定局限性的结论,对更高工作速率内存模块的兼容性
7 O3 i# b; @, C4 X$ b: j较差，为基带芯片后续版本的设计提出了参考意见。
$ r( v  l1 A& V7 z& `1 U4)完成了高速差分串行信号的仿真研究，并通过仿真结果(眼图)逐步优化设
: O' g! g% M" y, ]计，实现了1GHz差分信号的良好传输，对研究更高速率的串行差分信号传输有实践
意义。
) d) N! Q) Y+ A# _关键词: LTE, 基带芯片，高速PCB，信号完整性，cadence sI, IBIS， 验证平台.

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道法自然

LTE作为下一代通信技术，因其技术和成本优势被广大运营商普遍接收, LTE基带芯片的研发及验证工作成为LTE技术推广的关键步骤。本文正是基于TD-LTE基 带芯片验证系统的设计，对高速信号进行信号完整性研究与分析。

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