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[size=100%]减少电磁干扰(EMI)的发生、并提高抗电磁干扰的能力是电磁兼容(EMC)的核心部分。对电子元器件选型来说, 选型原则也可以分为两部分:一种是 EMI 较小的器件,一种是抑制 EMI 的器件。 $ p4 t& r" O1 F& P6 I( @$ [
[size=100%] 具有高辐射源的器件,包含开关电源, 时钟源(泛指能够产生周期行信号的 IC 器件),以及光电转换器等。首先是器件本身的对外辐射。 2 S9 s2 c$ U. l) C$ d _
[size=100%] 这种器件本身的对外辐射无论是在器件模型描述中还是通过 EMC 仿真都不能反映出其实际情况,只有通过测量才能够判断是否满足 EMC 要求。其次, 这些器件由于本身输出具有一定周期的信号,所以可以产生很强的对外干扰。 这种对外干扰对于开关电源来说,主要靠传导方式传导到电源线上,然后通过电源线对外辐射,在频谱图上表现为低频干扰;也可能耦合到单板的 PGND 上,通过对外线缆产生辐射。 9 e: P' D2 U$ |) E% _
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0 A7 n; }. k( `. V[size=100%] 实践证明, 辐射发射问题大部分都是由于时钟源直接或者间接引起的。 这里的时钟源,不仅包含直接产生时钟信号的晶振,晶体, 时钟驱动器,而且包含具有时钟驱动能力的 IC 芯片。地址总线或者数据总线其信号在一定条件下也可能具有周期性,因此总线驱动器也可以看作是时钟源。对于时钟源来说,主要考虑信号的频率和信号质量。 时钟频率应该是在满足性能要求条件下的最低频率,信号质量要求上升、下降沿尽量缓。信号质量可以通过外接电路以及布线,布局来实现。畸变的波形可以导致强烈的 EMI。 + V' p2 D. n8 a2 V. @$ m2 R, ?
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[size=100%] 光电转换器是一类比较特殊的器件, 这类器件本身能够产生较大的辐射,因此器件本身的屏蔽效能是影响其 EMC 性能的重要因素。 5 R, A5 h- d: u' M; S* }
[size=100%] 抑制 EMI 的元件包含电容,电感,共模厄流圈,接口滤波器,磁珠以及具有屏蔽作用的接口连接器,导电布,簧片等。电容是最普通的 EMI 抑制原件,其选型的主要原则就是引线电感和电阻要尽量小。电感一般用于和电容共同组成滤波电路。共模厄流圈实质上也是一种电感,在选用的时候,要考虑的因素主要是通流量,在满足通流要求的条件下选择电感要尽量大。接口滤波器目前公司采用的是坚力和中石两家的产品,基本上能够满足各类产品的需要。
' O4 g2 X3 y* u3 O, C4 Q6 F[size=100%] 铁氧体磁珠是近年来发展并得到大量使用的 EMI 器件。我司目前有 11 个片式铁氧体磁珠的编码, 其中 10070007、 10070008、 10070010、 10070011 在我司产品中应用最为广泛。 铁氧体磁珠的参数主要有直流电阻(MAX) 、 100MHz 时的阻抗、 额定电流等。直流电阻指磁珠在直流情况下表现出来的阻值,通常电源线上要求有较低的直流电阻;100MHz 频点上所测试的交流阻抗可以代表其抑制能力。一般同一系列磁珠 100MHz 阻抗越高,抑制能力越强;额定电流则规定了器件正常工作时的电流。 铁氧体磁珠具有较强抗浪涌能力,一般可以直接放在电路的最外级。 % c% y1 p: T* o% D4 Q2 |
[size=100%] 屏蔽材料,包括实心金属材料,如金属板、金属箔、以及小孔金属材料,如金属网、冲空金属板和伪均匀金属材料,如金属化喷涂等。 为了提高屏蔽效能选择屏蔽材料时候要考虑下面因素。
% o) Q/ \2 |* w4 }7 ?% ~[size=100%] 1 材料特性。
- y2 p# [% e* _ m H% z[size=100%] 对辐射发射起主要作用的是表面喷吐材料的特征。譬如灰镍喷涂的效果就比较差,金属表面的导电性能较低,搭接阻抗较大。 $ W# e) V2 X7 _0 o: Z9 G
[size=100%] 2 可安装性。
P2 j/ }( D# C* R2 j) \* @[size=100%] 质量再好的材料如果不能很好的安装也不会达到理想的效果。 4 @+ @3 O, B* R; q$ V1 {; }2 w; a
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