电子器件选型分类

Neken

[size=100%]减少电磁干扰（EMI）的发生、并提高抗电磁干扰的能力是电磁兼容（EMC）的核心部分。对电子元器件选型来说， 选型原则也可以分为两部分：一种是 EMI 较小的器件，一种是抑制 EMI 的器件。

1 M! C8 |, [) o( Q0 E3 j

[size=100%]        具有高辐射源的器件，包含开关电源， 时钟源（泛指能够产生周期行信号的 IC 器件），以及光电转换器等。首先是器件本身的对外辐射。

) Z/ i. m( {9 n, k

[size=100%]        这种器件本身的对外辐射无论是在器件模型描述中还是通过 EMC 仿真都不能反映出其实际情况，只有通过测量才能够判断是否满足 EMC 要求。其次， 这些器件由于本身输出具有一定周期的信号，所以可以产生很强的对外干扰。 这种对外干扰对于开关电源来说，主要靠传导方式传导到电源线上，然后通过电源线对外辐射，在频谱图上表现为低频干扰；也可能耦合到单板的 PGND 上，通过对外线缆产生辐射。

[size=100%]         

  N: t0 Q  j2 G

[size=100%]         

' q$ y8 m3 A, l+ Y( }% c# ]

[size=100%]        实践证明， 辐射发射问题大部分都是由于时钟源直接或者间接引起的。 这里的时钟源，不仅包含直接产生时钟信号的晶振，晶体， 时钟驱动器，而且包含具有时钟驱动能力的 IC 芯片。地址总线或者数据总线其信号在一定条件下也可能具有周期性，因此总线驱动器也可以看作是时钟源。对于时钟源来说，主要考虑信号的频率和信号质量。 时钟频率应该是在满足性能要求条件下的最低频率，信号质量要求上升、下降沿尽量缓。信号质量可以通过外接电路以及布线，布局来实现。畸变的波形可以导致强烈的 EMI。

$ k: i" t# u& l

[size=100%]         

/ V& u9 E) R: f- U, _

[size=100%]        光电转换器是一类比较特殊的器件， 这类器件本身能够产生较大的辐射，因此器件本身的屏蔽效能是影响其 EMC 性能的重要因素。

8 H( Q& m* x; K4 q

[size=100%]        抑制 EMI 的元件包含电容，电感，共模厄流圈，接口滤波器，磁珠以及具有屏蔽作用的接口连接器，导电布，簧片等。电容是最普通的 EMI 抑制原件，其选型的主要原则就是引线电感和电阻要尽量小。电感一般用于和电容共同组成滤波电路。共模厄流圈实质上也是一种电感，在选用的时候，要考虑的因素主要是通流量，在满足通流要求的条件下选择电感要尽量大。接口滤波器目前公司采用的是坚力和中石两家的产品，基本上能够满足各类产品的需要。

) Q* f0 h5 x+ s, W2 j5 ^8 P( A+ r

[size=100%]        铁氧体磁珠是近年来发展并得到大量使用的 EMI 器件。我司目前有 11 个片式铁氧体磁珠的编码， 其中 10070007、 10070008、 10070010、 10070011 在我司产品中应用最为广泛。 铁氧体磁珠的参数主要有直流电阻（MAX） 、 100MHz 时的阻抗、 额定电流等。直流电阻指磁珠在直流情况下表现出来的阻值，通常电源线上要求有较低的直流电阻；100MHz 频点上所测试的交流阻抗可以代表其抑制能力。一般同一系列磁珠 100MHz 阻抗越高，抑制能力越强；额定电流则规定了器件正常工作时的电流。 铁氧体磁珠具有较强抗浪涌能力，一般可以直接放在电路的最外级。

  t: e3 ]4 z3 Y; e0 F8 _- w' L& |

[size=100%]        屏蔽材料，包括实心金属材料，如金属板、金属箔、以及小孔金属材料，如金属网、冲空金属板和伪均匀金属材料，如金属化喷涂等。 为了提高屏蔽效能选择屏蔽材料时候要考虑下面因素。

9 a3 u0 X! q7 z; @# I- z

[size=100%]        1 材料特性。

[size=100%]         对辐射发射起主要作用的是表面喷吐材料的特征。譬如灰镍喷涂的效果就比较差，金属表面的导电性能较低，搭接阻抗较大。

/ G. C+ i$ f6 p' _, V* K

[size=100%]        2 可安装性。

8 Y5 T" M/ k0 A; J/ n' ^6 J

[size=100%]         质量再好的材料如果不能很好的安装也不会达到理想的效果。

CCxiaom

学习学习