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国产SIC二极管随着电力电子技术的发展,产品不断向着高压、大电流、高功率、高频率的方向发展。同时开关电源、PC电源、服务器电源、适配器、光伏逆变器、UPS、照明电源、OBC、充电桩等产品也向着小体积,低重量,高效率发展。
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% D3 @0 M8 Y7 c4 Y, R8 y2 B为了帮助工程师设计密度更高,效率更高的功率转换级,泰科天润(GPT)推出了QFN8*8的紧凑型表面贴装型号,有650V 4A;6A (release soon);8A (release soon);10A;15A供您选择(G5S06504QT、G5S06506QT、G5S06508QT、G5S06510QT、G4S06515QT)。
q/ ]& \! }4 Y/ Z: w![]() 图2、QFN8*8紧凑型表贴SIC二极管
5 l9 ^/ {# G9 z! e% C& K( X; O# L产品的设计密度不断提高,凭借更小的封装体积与更强的性能,工程师可以在设计适配器,通信电源,PC电源及其他产品时使用。用它来代替SI二极管,可降低器件的损耗,降低器件的温升,减少损耗带来更高的效率,更低的工作温度带来更高的整机可靠性。
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特点: ■ 表贴封装 ■ 封装高度仅有1mm ■ 爬电距离增加到2.75mm ■ 无引脚设计 ■ 较低的寄生电感 ■ 优异的热性能,与TO263类似 ■ 重量轻 ■ 几乎可忽略的反向恢复损耗 ■ 优秀的抗浪涌电流能力
2 f3 Y* @7 v# M! g: M* ]/ ~! \应用: ■ 光伏逆变器 ■ EV充电器 ■ 不间断电源(UPS) ■ 功率因数矫正(FPC) ■ 电动汽车 ■ PC、服务器电源 5 X( S3 G* w! v2 T* `
封装尺寸对比: TO252、TO263与QFN8*8封装尺寸由图3、图4、图5给出,通过对比可以得到: 1、TO252封装尺寸为6.6X10X2.3(mm);TO263封装尺寸为10.2x15.15x4.7(mm);QFN8*8封装尺寸为8x8x1(mm)。 2、TO252、TO263和QFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2和64mm2。QFN所占电路板面积比TO263减小50%以上。 3、TO252、TO263和QFN8*8背部散热片面积分别约为23mm2、47mm2和34mm2。QFN8*8背部散热片面积比TO252增加50%左右。 4、TO252、TO263和QFN8*8高度分别为2.3mm、4.7mm和1mm,QFN所占高度小于TO252与TO263。
& s6 v: n- C; `) p* u![]() 图3、TO-252封装尺寸信息 5 k& W8 F) A& o% ~+ O
![]() 图4、TO-263封装尺寸信息
" \( t# @1 A v z![]() 图5、QFN8*8封装尺寸信息 " T) F( y/ G0 \9 T6 X" v$ J
与传统的TO220和TO247封装相比,贴片封装TO252,TO263和QFN8*8大大减少了封装尺寸大小,QFN8*8因为其无引脚设计,相对于TO252和TO263而言,寄生电感更低,主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB,提高封装的散热能力。
; u% R: e5 P7 _应用案例(附): SIC在PC电源上的应用: 下图所示为12款金牌电源元器件一览表,其中七款都已经使用了碳化硅二极管。
+ p+ y. ?; v0 P4 ?& u碳化硅二极管优秀反向恢复性能可以减少功率损耗,提高整机效率;可以减少发热从而减小散热器的体积及整机重量。并且降低整机发热可以大大提高整机的可靠性(温度每升高10℃,器件失效率翻一倍),使产品的质量和性能获得提升。 $ t# U# \5 d: G5 ~6 [, I
![]() 图6、碳化硅二极管的应用 (图片来源:ZOL机箱电源,真实性未考证,仅供参考)
2 q6 ^! U9 k, c; y碳化硅二极管在部分场合应用和电路拓扑参考下方:6 \, \/ H; q1 {' _
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![]() 图7、应用与电路拓扑
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