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➢内核' N4 C1 e# F) \; L& q
v超高速16位8051内核(1T)， 比传统8051约快70倍以上.
8 u6 J7 u+ s6 \ s: W: l- w& lV 24个中断源，4级中断优先级+ a- W- o% W/ T( g! K8 b# s( O
v支持在线仿真
9 j7 s8 o0 b& \" e6 N9 U. q! r! ^/ J2 q➢工作电压
9 r. E: _0 k3 G$ b# b# MV 1.9V~5.5V, G, w) ?6 E! z/ X! }1 R7 n4 Y. ?
V内建LDO y4 c8 U6 N9 {# a
➢工作温度
5 ~* ^3 P9 n1 [V -40C~85C1 H8 u* I& q0 g& R) f8 ?
➢Flash 存储器1 ]3 H6 }6 Z m# f# B7 S, s5 o
1最大128K字节FLASH程序存储器(ROM)，用于存储用户代码# R% G; X+ B+ ]; Y/ G5 O# p
V支持用户配置EEPROM大小，512字节单页擦除，擦写次数可达10万次I
+ Z1 a& `5 z% \v支持在系统编程方式(ISP) 更新用户应用程序，无需专用编程器
8 o- x% v' ]( {: w# j/ iv支持单芯片仿真，无需专用仿真器，理论断点个数无限制6 v5 q2 c1 l8 Y A2 B1 f' {
➢SRAM
3 `% [/ G9 }/ w: N7 T" VV 8K字节内部SRAM (EDATA)
' k. _- F3 \* j7 ^9 m1 @ F& [; jV 32K字节内部扩展RAM (内部XDATA)
7 s' q* ?0 O0 c* O% r2 w" |/ U% O( }: t5 Y& J) j) b" @
/ y% B5 M, G+ I/ t" I, a* d+ a
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发表于 2020-3-4 17:43
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