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➢内核
' H- u8 c4 C3 v* v. Ov超高速16位8051内核(1T)， 比传统8051约快70倍以上.8 t( Z/ i1 N9 |9 d
V 24个中断源，4级中断优先级$ A4 W8 G0 n. ]
v支持在线仿真
- Q5 v6 G5 T7 Z. }* |➢工作电压8 T* S( A: P1 X) [; o5 \5 W8 U
V 1.9V~5.5V
6 D* f8 F G N6 q* WV内建LDO0 T2 c2 {9 v& O5 w" o
➢工作温度8 a8 J. H; ^2 W! a
V -40C~85C
. p" _4 g3 ], x* q' ], b# O! C➢Flash 存储器
/ \: ~) F2 s7 f! T4 R! s" z5 P; }1最大128K字节FLASH程序存储器(ROM)，用于存储用户代码7 I' z0 H2 t5 }3 l" S. |
V支持用户配置EEPROM大小，512字节单页擦除，擦写次数可达10万次I& J3 b7 X! V+ G* @" P+ g
v支持在系统编程方式(ISP) 更新用户应用程序，无需专用编程器8 S: Y5 b* ?; [- P5 L# C1 c
v支持单芯片仿真，无需专用仿真器，理论断点个数无限制) u: W+ W8 l& X y1 Y/ z; o
➢SRAM
4 ^* f. N4 w, h9 MV 8K字节内部SRAM (EDATA)
1 E7 X/ {; g% X1 MV 32K字节内部扩展RAM (内部XDATA)* l. r* b1 ^0 u
( G: k n7 i1 S7 q' l9 k
3 q) z, x6 Y/ g |
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发表于 2020-3-4 17:43
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