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1、收集现场场数据
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2、电测并确定失效模式
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电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。 - r% z! r/ @! i+ H3 G% c3 Y; |( d" k
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7 K4 c, e- e- h/ |# x9 n连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。 " S. o7 j" Y" p, C V7 s* C
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* e! I6 c% U5 D! [& X9 e+ s电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 & n* \# A* X+ O X+ ^9 M
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确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
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三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
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5 h2 p+ m' R& C4 p7 Y" N3、非破坏检查 4 A( Z4 l: ~1 h0 E% m
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. l' {2 \$ a# g" |0 [2 P+ JX-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
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! V- z( M2 M# x4 `* q; o9 q1 ?2 f; X& G# S* C5 o# J
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& [. d6 [4 \/ C' W适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout ; a& t3 E7 b9 w& u' _; C
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/ F0 }: t" C1 e1 z# C+ u优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限
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) x: S# m! H: `局限性:
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$ G- R' O5 l3 v4 }# x* r1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;1 H% U: ^" i4 |. C
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) u, o. A% t+ _1 N d7 J6 q2 F2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。
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