失效分析的一般程序

uperrua

1、收集现场场数据
5 \8 _4 k; q- O3 }5 u
# c1 @6 y1 f2 K* j8 C; g# e& E9 d1 x7 i
7 K0 }# I5 k* c7 K  M5 W



2、电测并确定失效模式
# H( _/ u* r* P% q, f7 B9 n5 G
. e  Z( e9 [3 L. o) p3 ^0 G
电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。

; I; V. z! g1 G5 ^  _
7 K4 c, e- e- h/ |# x9 n连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。

% ]2 e& u1 C" x4 b
* e! I6 c% U5 D! [& X9 e+ s电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。

+ j4 r' h# o$ X& r. a& H( S, |
确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
6 G: B( a: F* V, t
# w' j8 m" ], p. x
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
( ~2 C, K9 n, e) d% {2 ?% x% V7 j' {
: H. y+ k0 }4 w7 B6 J& j) o


5 h2 p+ m' R& C4 p7 Y" N3、非破坏检查





" E/ Q3 z- E+ y- l8 _
6 [4 e; m: t* z* Z


% [3 D+ C. Z. Q" O' I- ?
. l' {2 \$ a# g" |0 [2 P+ JX-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件(多方向及角度可选)，检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。
& ~, t9 M% y, j' d
- v& q' s! F+ E9 f, o
! V- z( M2 M# x4 `* q


& [. d6 [4 \/ C' W适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout

9 S0 O6 b3 ~1 M
/ F0 }: t" C1 e1 z# C+ u优势：工期短，直观易分析劣势：获得信息有限
; _$ p7 e4 t! l$ X1 b" g
1 n; z% w  H( D, O) F- Q
) x: S# m! H: `局限性：
7 z8 ~; H3 n( p8 q( T9 Z
8 p$ L1 H4 M# c, B, L0 G4 I5 d
$ G- R' O5 l3 v4 }# x* r1、相同批次的器件，不同封装生产线的器件内部形状略微不同；


) u, o. A% t+ _1 N  d7 J6 q2 F2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来，必须通过功能测试及其他试验获得。
! _. P/ F0 G% _+ z% `



8 F, t" S/ `, r0 M, ^1 l" z" n
) D! m' |' D9 b6 @) }; D8 |
2 ?8 G4 E, W! [0 }# H

ExxNEN

失效分析的一般程序