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1、收集现场场数据# \( p6 s9 ~3 @# k8 z% p
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& ^# S$ I2 B& Q2 C( P1 _# y2、电测并确定失效模式 2 ~3 T4 F6 u( r) b; [& Y
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2 x; Q) n0 M. j/ g% Q. z$ p电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
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( t1 D7 F$ h( t7 j. B# d连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
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5 X+ h, ^! F7 ^7 n电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 " t; o6 ^! U2 s' @: ~2 H9 ^
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确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。 9 I& c- i* n4 Z# O* i# z
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三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。 $ S( W, c3 j5 w$ }5 D/ D
u4 u1 b5 q) y5 a) X; i8 v4 b9 A/ Q* F e' w9 R" o8 W7 N4 E
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5 M2 @" q* @3 _4 E6 |3 _3、非破坏检查
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X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。 ; T' S( A# k. M
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8 {# q$ x# m% s& I4 @5 b0 }7 A适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout # }2 y& r$ ~9 `
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3 ] P8 o( L9 I3 g/ t优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限 1 q& R: L! o2 t
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局限性:
% Q7 h0 g7 K5 B: l; o: E" k k3 G1 {$ g
& D& r. `; V2 [1 K; k1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;
: T! E. A9 {' _' U' k- }$ T8 t3 k4 t w7 T/ b' y
) X6 k, u7 @3 ]) a; q2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。
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