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1、收集现场场数据) _6 E- e* S, I8 e$ _5 L I
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/ T0 f& r! i; I; [" b2、电测并确定失效模式 / t" ]9 i* w, }, D4 j
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) f$ J' d `0 D电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。 ( F0 O. b! c6 T7 L
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连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。 8 L- p# ]# q7 A$ s% g
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电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。
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确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
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( x# O' R/ l* f2 l. D$ ^0 k三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。 4 ]2 z/ ?. L5 A$ A2 |! v
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3、非破坏检查
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X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
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* {3 _5 o: g( e: @" e E适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout 5 D9 }/ t, N. I, } W. ?9 h
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优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限
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6 C% f0 ?- ?- z: ~5 l0 j局限性:4 E9 p# ?/ }: ]3 a
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1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;! l/ h6 N6 Z8 b0 d; t# o' w2 B" A* ^
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2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。8 t: G; y$ W, ]' E
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