ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

Iphone

' Z' b. u, E: \1 w( V7 L
有哪位朋友用三星的ARM板设计过？——CPU:SC2410，SDRAM:k4s561632c，你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加电阻呢？
1 f; y) b7 @- ]- J我设计的这个PCB，没有端接电阻，仿真时(133MHz)，时钟信号波形质量和CPU写的时候信号波形质量度还好，但是CPU读的时候信号波形质量就很差了（跨越门限），如图；
% m3 ^. w5 M9 l/ b加了端接电阻之后仿真，波形就好多了，但是我又不想加电阻，占空间太大！
  J- X7 Q. U. D! [各位设计的时候CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加端接电阻呢？

袁荣盛

这过冲忒大了点

Iphone

呵呵，就是
我是想加端接电阻，不过我看前人做的都没有加电阻，不知道有没有朋友设计过这款ARM呢？

袁荣盛

这种事情千万别参考别人的端接
# y& i! Q6 ~+ j( v: V5 B要以自己的实际情况为准
& `" U% T* @1 L3 _有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借鉴
4 w  \/ I' z. F- S3 q6 V0 h
首先叠层不一样，线宽不一样，导致阻抗不一样
其次线长不一致
再者，可能驱动源的驱动能力选择不一样
  d( M( U# F% M6 G( ?种种情况表明端接要联系实际去解决
不要参考

Iphone

这种事情千万别参考别人的端接
5 _/ Y$ v* u1 J! R& w6 _要以自己的实际情况为准
6 j& N; O5 Y& p2 Q/ M7 C. T有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借 ...
* C/ ]/ s, E/ M% _: s2 r0 {袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

5 W  l9 E1 ?  s
4 W# e, _4 J: W( e8 G1 u    呵呵，谢谢您的建议！我理解您说的！
在读状态的时候，SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右，按理说需要端接电阻（当然大小要视您说的实际情况来定）来和传输线匹配，以消除反射；
) r4 [4 _# E3 l( i9 `我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢？

wzh6328

线长在2inch以下都可以不加，好像说不算做传输线

honejing

不想加端接，就要調你的特性阻抗，Z0儘可能小些，过冲就不會那麼大。

iversn

学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的，用什么软件，要哪些模型，谢谢！

liuzhenyaEDA

我也想这个问题呢

cindy0924

我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

cindy0924

回复 wzh6328 的帖子

; r5 \+ F+ W6 W  M标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

chuxuezheyao

楼主，问题怎么解决的？
我也有这样的问题，过冲没有你那么大（CPU：LPC3250，K4S561632C），但也超越门限值了，
8 s' d0 X3 P0 ?$ W! a2 S通过仿真发现，要匹配至少47欧才能达到要求，而且要靠近SDRAM放置！
, H+ F( @8 e" h+ R, T

jang2lin

Iphone 可否把你的模型共享下