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三星电子宣布开始量产16GB LPDDR5,长鑫国产8G DDR4内存条

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发表于 2020-2-26 16:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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2月25日,三星电子宣布,已开始在韩国京畿道平泽市的工厂批量生产业界首款用于下一代高级智能手机的16GB LPDDR5 Mobile DRAM芯片。( R+ J+ t+ v. K% _

# ]/ j* T0 t" ^* G+ _三星表示,在2019年7月量产业界首个12GB LPDDR5之后,新的16GB改进将引领高端移动存储市场,并增加容量以增强5G和AI功能,包括丰富的图形游戏和智能摄影功能。
4 Q/ }- |6 v5 `3 l官方资料显示,该款LPDDR5 Mobile DRAM芯片包括8个12Gb芯片和4个8Gb芯片,数据传输速率为每秒5500Mbps,与前一代的8GB LPDDR4X Mobile DRAM芯片相比,新的Mobile DRAM容量提高了两倍,而耗电量节省了20%。8 ~& K/ @6 R1 d
随着三星继续在其平泽基地扩大LPDDR5 Mobile DRAM芯片生产,该公司计划在今年下半年采用第三代10nm级(1z)制程技术批量生产16Gb LPDDR5产品。三星表示,此举有望使其进一步巩固其在高端移动设备,高端PC和汽车应用等市场中的竞争优势。
; b6 p6 J6 i' e8 F3 G. x3 r% T8 C9 H9 c* V% |' h# p+ S  l
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长鑫的笔记本和台式机内存,容量都是8GB,速率都是DDR4-2666% c. j9 P  s8 F9 g5 |
据介绍,DDR4模组是第四代高速模组,相较于DDR3模组,性能和带宽显著提升,最高速率可达3200Mbps。DDR4模组是目前内存市场主流产品,可服务于个人电脑和服务器等传统市场,以及人工智能和物联网等新兴市场。
$ d% ~) W4 r- k- t  C / M. e- R+ j: O9 Q+ k
长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。0 \7 R& A; c9 ?
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发表于 2020-2-26 19:32 | 只看该作者
16GB LPDDR5 Mobile DRAM芯片
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