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失效分析" I& U; v. ~" Z. h, ^
3 P, u$ d4 Z1 {0 E% f' C. R+ I* Y
失效分析的总章与目录。
( N' @/ m) I* Z& N# g) a$ E5 K$ O6 I! Z0 o) }" g! T
. {, E. b' k, w( \4 p4 \; I失效分析基础1 }5 Q9 K- {* P7 Y
) X/ d& g; D7 Z6 M- b" b8 s6 [l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
- |) W3 b8 ? y) `9 \8 L4 T0 ~9 R7 j1 X$ B$ x J; a! ]' p$ m
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
3 P* [: n. M6 v& F) y$ Z. w, `3 T
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
. Y* O: g% N( \/ k9 z5 m! {3 z5 a3 |! P' ~0 e$ Y" h
$ I' r1 ^/ ^) F1 P6 ]失效分析技术方法：& U, s: P4 z3 o- R6 d+ {
3 x; S( ~* l' x# ?8 ~/ `) B2 L
A、失效分析的原则
/ H0 e' V8 Z) K+ n
5 I- O z, |! vB、失效分析程序
& P% r, Q4 y# c: a- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
. I. o" l0 l' g7 Q4 n, X+ b
/ @; A& r; @( f: r' f# I- W
7 Y( I- B8 X! Q% n7 HC、失效信息收集的方法与具体工作内容* d: L1 R$ D( Q8 J2 T
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
], i; D0 ]& Q& T8 x8 ^
: c: |0 i2 ]6 O+ {# v: z
/ x- [ i* Z0 K8 l/ a2 G
D、外观检查5 K! s6 M @' J/ w, y, E- n I
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具- E& b: z5 M y/ j1 s* [/ Z. a3 r9 U
0 P! C, J: S+ F; Z1 `$ m& h- z* g* C0 i0 e! T+ w5 l. h: K
E、电学测试- |$ W& n S$ w& E
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备$ u. J: G, F* s: j M- f9 d* N8 D
# p' x$ a1 d: |" h
1 u4 E& a8 B0 d( `F、X－RAY
5 j( s: w3 s6 e" y$ N4 p/ X6 u* c- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较; o- T& W8 ]9 m! M
. T( g5 \' d! G; {! `5 c7 f) _- j) e
; V1 o! r/ L4 C0 }
G、C-SAM
1 r& I* ]' i g3 I1 a6 m) W- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点3 E- j2 y* g8 V; b# N' R* {' z) ]
$ {; p5 K: o, K1 w
* X4 d0 Y/ I+ V; m3 rH、密封器件物理分析
$ O, v: h6 a" E+ K" A, s9 ~ g- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例2 K+ e( Y- _. U, {6 W, n
; {7 m; e* C8 {- A# b3 H3 J+ `
0 y2 g, _* J2 y& z- aJ、芯片剥层
! U# }% y4 A9 L1 i- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
9 t7 m7 N2 d7 S- J/ m
' ?! f2 I" C% K4 C) j, A
; l6 v2 o/ K8 @K、失效定位－SEM
5 N6 o( Y" R- K3 ?- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
. V& ^* U5 j# Y: x2 W0 X
9 B: D8 [& X( q$ n' c
- j! K4 d% [; K/ h8 w
L、失效定位－成份分析3 D9 I4 g |1 }1 Q/ Y5 V4 }
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例/ e" S c( j6 {$ h ]9 ^
& l0 T' E! I( S3 {
" [6 Y J, `# {% ?$ |2 A
M、内部热分析－红外热相& G+ s) O2 O& C& w+ f7 l
& k& x! S% I0 r! PN、内部漏电分析－EMMI3 g* B! L1 d9 K" k p1 ?& g; L1 }
$ r; W; F) x2 q
O、芯片内部线路验证－FIB2 E5 `0 b2 ]5 Y* @) T9 w7 U: G
$ J, z6 d4 ]6 K) o* m; Q
P、综合分析与结论3 ]% J# t: j$ s1 g" w3 J" r
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用$ i) \" d# E5 x) D7 I2 n, y
" t# w4 r# I- r9 K) ]# U4 b8 Q/ t) O9 J' t( F6 H; i
Q、验证与改进建议, b- \8 T2 @! r# C- u2 w
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
; p6 ~1 w) m6 }- G3 d. R6 h3 X' F8 m
5 k- R% m* H: \+ V" C! L+ w2 o. N$ c. N% q7 z
; f( y4 S& K/ y6 Q7 E各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：& y# {' B) H* C& W8 z$ I+ e1 G
& [0 n% y7 X; U: F1、失效分析全过程案例
# u* F- B, B1 @! i L- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
/ ]& i! B- H9 z2 l, t) T) M7 Z- d. ^
) s0 p% v/ I \, k
, m* p( }- c# @( {
2、静电放电失效机理讲解与案例分析4 B! L7 X2 k) C
- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）' r: l4 w2 @9 c- j$ [* W6 w
/ E' E N7 j }/ y- Q0 s9 g& R0 j/ a+ ]3 o, t- L
3、闩锁失效机理讲解与案例分析
1 _# c6 Z$ i8 Y2 @: F r; u4 `. s- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
5 e( [4 T2 ^) S# x
2 [+ F' T; I% u! {
5 R4 \" ]+ A/ C$ r8 X4、过电失效类失效机理讲解与案例分析7 d3 r- U. W" p* ?# v+ }* }
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例
/ O9 j& d* V# P l
# w ?6 k$ v' {) p# g1 V
7 O% d: d# [) j# X( v6 f; r& g& v5、机械应力类失效机理讲解与案例分析) V5 }5 \& L8 X6 I* B% W. u4 ~
- A、机械应力常见的损伤类型! _9 t2 Q+ r. n7 D4 K5 v0 ^
Z. s# A; E& U! \/ z& ?
, Q$ Z2 A' k1 N% P1 U6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
9 `5 v6 k8 E) a3 {# n* k$ F, S- A、热变应力损伤的类型和特征
1 X: k" S& s4 i2 Z6 b
. g# [# P& B. m+ ~2 x& r
4 \, ^; |9 v/ ?6 S- c/ P7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
' g3 m, a4 H/ j: |4 L T- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
8 z; f1 W( ^5 V( Q) `
1 d- y% j2 m, }: ~( Z
) n3 ^4 A, `1 N9 \" g# [8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析, g8 p3 _: Y& q* P8 Y
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷# W) W! g6 B! B
; |: u* Q( ?$ X1 a' P
/ P& [! v: J+ G8 I9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
l9 Q: Y3 X& |- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
! \- y1 m+ t1 F3 v
0 J" \" r3 e) i. V+ N1 Z, w' ^
0 B, g) ~: a9 y8 W: C8 _! m10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
2 o, Y h% X* J$ v" g& }0 A- G6 C! p# g' D- }: G4 _9 X0 B
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
( T6 l) t4 W) o6 h! t4 Q- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理* d, P1 ]! R3 K
% ~0 W8 C: V0 A3 k1 N
# c9 @( U9 t5 a# t/ X: X0 [12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
% y7 A1 }$ _$ g# w) L2 K- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
# A ^# u; V: X: O
7 v, h& h$ \- F) ~5 y1 g: ^
: i# S* C7 V0 d* y+ B0 `13、面目全非的样品的分析) |) b4 v7 C+ R" c5 l) X
+ t* E4 _3 y8 m% E! u! c4 q4 X, E来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
E8 o$ q: N/ c" h6 ~, M/ e& |: i9 f2 M% P
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨; D& S- T3 J( h4 v
1 _/ F. C9 {3 c0 p
% B" R, D$ m# r4 F
/ B( h0 [8 ^2 V7 t4 H |
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发表于 2020-2-24 17:28
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