关于SIWAVE仿真方法的探讨

Jancho

如下图示，电源DPS429_P14经过一继电器，再经过几个滤波电容，再到芯片的BALL上，仿真要求有两个：
1.整个链路DCR<50 mOhm,IR Difference<5mV；
2 Y3 L0 r' H4 c$ E# A' s5 [2.R From Ball to cap (4.7UF) < 20 mOhm,L<3nH。

存在的疑问：
对于第一个全链路的要求，怎么去仿真，是分别仿继电器前和继电器后的DC，再加起来，还是有别的方法。
对于第二个要求，是否是在CAP端设置一个VRM，BALL端设置一个SINK就可以了，然后仿此段DC情况？
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3 n% I. R0 q; {4 C7 u# W( u请各位亲们帮忙看看
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11xiaohehe

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