单片机大容量FlashRAM的扩展

刘工在呢

摘要:介绍了新型闪速存储器FlashRAM 28SF040的特
点和应用,给出了两片共计8Mbit的28SF040与80C196
单片机分页寻址的扩展实例。
- ]0 J- U& A! A8 U" }4 {2 q" j
关键词: FlashRAM;存储器;单片机扩展

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记
* F3 N- j7 i' }3 L录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断
2 M7 S5 t6 d9 g# h3 @1 T6 a和维修提供准确可信的信息，如飞机“黑匣子”列车
" R1 x% @6 y% [( C“运行记录器”等。数据信息的记录需要大的数据容量
和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下.
的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性的
$ s- \* X3 z4 p7 i! @' q+ U/ yNVRAM为存储介质,它的缺点是没有硬件和软件写保
护,在强干扰条件下,程序误写的概率大。
- n6 r) X5 V" m+ O" E1 ^新型闪速存储器( FlashRAM)由于同时具有E-
3 i# W9 _6 Z. {1 H6 w9 Z$ ~PROM的可编程能力和EPROM的电可擦写功能，又
2 ^$ l" z6 e9 W6 a6 y& c$ a能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多地
! k/ f7 S$ {) ^2 X" e% M受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量
. h2 E8 H, S8 O, B7 b/ C) m为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦
6 e3 D8 V: o3 L  o3 I1 k  {. s& z* F除、编程电压均为5 V。
/ d9 F# Z: V8 Y* U0 L# p: ~1 FlashRAM 28SF040的性能特点及技.
术参数
FlashRAM 28SF040引脚图见图1。其性能特点如
4 A8 X* X9 O# A下:
①单电源5 V供电;
②容量512Kx8 bit;
' t9 r& L  [& N% V) M③数据保存时间大于10年;
; n2 c3 o$ i3 K9 y& `④重复擦写次数典型值100 000次;
⑤可分块擦除每块256B;
⑥可进行硬件及软件写保护;
⑦快速读取时间150~ 200 ns;
  i, u! F. _3 z- O2 [⑧块擦除与字节编程:
字节编程时间
典型值30μs
块擦除时间
典型值2 ms
全部字节重写时间典型值 20 s
) o9 Z5 G+ ?4 y+ ?典型读电流
典型值15 mA
8 o' z  @/ S  K. M0 ~典型维持电流
典型值5 μA
⑨封装形式: DIP32或PLCC32。
其引脚功能如下: A0~ A18为地址线, A0~A7选
择一块数据中的某个字节,A8~ A18是块地址。DQ7
) L" {/ B; `9 x~ DQ0为数据输入输出总线,在读周期输出数据,在写
周期接收数据。CE 为片选线,当CE为低电平时,该.
芯片被选中。OE为输出使能端;WE为写信号使能
- m) c3 b# v2 k- u端。VCC为电源,接+5 V;VSS接地。
' m: T/ ~2 w7 U. u! {) \


4 A7 X9 W& r+ f1 N0 ]) M7 x附加下载：

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3 y/ f$ @' Q8 ]6 `3 t) B7 Q! }# \5 m

wiwiwisju

28SF040是一个容量为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦除、编程电压均为5 V。