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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 2 N3 @1 U" }3 ~) ^& U
# l$ {3 x; S; W: y做一个六层板8 ~- ?- u, l+ y& D; r; q
主芯片是DM642
: C) f7 t% ?$ D6 e9 r1 _: t在做SDRAM信号线仿真/ I2 w+ b% @+ W6 i- S
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看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻4 E9 c" s. t g
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我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆# K. Y+ X+ t# z
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆
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但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
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改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善
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* R# X- l# u- o. _: f, u2 q" O请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
- c. v7 p. a. H. G4 j) e用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?
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还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?! s+ |+ a6 Y; c0 g% M
请大家不吝赐教,我都快急死了1 l3 A& g. j$ y1 `
拜托了! |
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