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. m9 a4 w, i& n' A失效分析
* C ]3 E! I3 n" [失效分析的总章与目录。
, C; s7 ?( `/ b a4 v. s5 X& Q* V5 w0 k
失效分析基础
/ L$ V; K. S* w q7 O3 nl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路, G( G; K% j9 }! Y) L- d" x
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……* k; G; t' ?1 t# c! J3 l/ _0 I
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
, h7 ^* e& O# g s2 O! X: y
6 t$ u1 F2 v/ d. o失效分析技术方法
J$ L3 P: J, U3 ]( G9 \' r& OA、失效分析的原则1 D; k5 M# ^% g e: B2 S
" `/ Y- n7 i3 c( d6 o9 H+ [+ |3 u
B、失效分析程序$ A- z7 r& D1 i: o& U* @, x) d8 _
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
' J0 [8 Z& x+ O" x. T0 l
* N* t+ m$ V8 j& j
C、失效信息收集的方法与具体工作内容! r! Y0 u! \( F& f# } y
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
9 _ e: B# c8 y6 N2 y0 o
: Y/ [+ o& }! y! u! r1 V3 {. W! C9 LD、外观检查
0 v& d; J$ r, B- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
5 o1 {' h. a% r* j7 J8 R0 |5 ^
' \- x& D0 V. U0 Y) _& k
E、电学测试. [) J" s( m2 |5 M7 h4 k
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备
) u9 ~$ H$ i+ {; i# n, v
/ H9 i( l# j7 j8 G" |F、X－RAY/ t$ s# k5 O" K m
- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较* Q! p8 u' N1 ? k7 Y; ?& e, }2 G
; P; m' n: O2 Z: c( a0 ^
G、C-SAM4 D, I4 R+ N4 x* C* K) @7 h% ^
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点& x0 E- D( S- o: D* G
" w, L+ b- q! Z$ w
H、密封器件物理分析' t) [3 U p. z
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例" o9 e R1 j( p; O
0 g+ Y8 g1 \- e5 [4 D1 x9 F4 E* LJ、芯片剥层6 U: c8 c5 O0 V& Y0 l6 a1 }' N" N5 Y& M
- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
0 d5 t/ d7 U0 [/ j6 y
( s9 _8 c z: G9 o! n, m% fK、失效定位－SEM
( U2 `) r* b& _- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例" g$ l2 ]# s5 j' G" z. _, Z
9 A7 T9 l+ `1 t: F+ k" `
L、失效定位－成份分析
" V) m( ]( h7 ^- F- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例6 |, |4 f+ V5 a4 }+ t ]! o2 v
6 V- @* y* b Z+ [& M) @
M、内部热分析－红外热相
! ^1 Y# b: w. a6 d
3 [' _9 U3 p6 N3 N8 J5 wN、内部漏电分析－EMMI
. f3 Q5 T# u& \. y
! i0 c7 D+ f/ H/ o z- ?O、芯片内部线路验证－FIB
3 U% k# E6 m/ S, T8 z7 c9 T
" a4 {; ^: q2 R* jP、综合分析与结论
/ L' c# [, p6 g. B0 m- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
q7 \0 u0 ~( ?0 f$ Z7 s7 j3 ?' i
5 b1 N4 P6 \/ l( Q6 |- nQ、验证与改进建议7 l% A" u0 m- t( ?
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
" E0 J M2 L7 T2 D
9 K3 h; R& P. \0 E% s, h& h+ Y
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
; d6 O: C: K' b
7 Z9 @$ J. X" k F0 F5 E1、失效分析全过程案例
8 l8 C6 |" v2 w- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议5 ]3 L; y5 K% q7 @# y
( t3 a) t- u3 P0 o2、静电放电失效机理讲解与案例分析' }2 y5 W8 h/ Z( O
- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）" }* j. z z5 X& a8 F: m
2 W! ?8 r' m, [1 q2 R( i2 ]
3、闩锁失效机理讲解与案例分析: ~& }, T* T- `) j) O3 r( m. y
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
( Z; O8 u+ n7 y9 l& ~% f
, j! h0 {/ _- R: W* d1 Z4、过电失效类失效机理讲解与案例分析5 X: Q+ ]8 |1 r3 ~1 T% |
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例: P6 w0 @! F% j- s; x* j5 ?" Z4 j
0 \1 i$ G! M4 R7 s) m, [7 _4 w" S! Y5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
+ y, C% `. `9 c- A、机械应力常见的损伤类型2 B$ b- G1 D' z9 m
! S- [- P1 q5 G. Q6、热变应力类失效机理讲解与案例分析, ~; {' o) ?( Z; S. u) {- [
- A、热变应力损伤的类型和特征9 J. M+ d% ^- i: l* n* i' D6 W
6 Y. b2 b. { d7 b V7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
k1 {( {+ q; u$ f) v8 E- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段; V6 E/ y4 P% ]' U8 ?* F
: `1 k- H: O4 G# L. g8 R; K
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
6 x% g0 u6 Y( S' ^+ o- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷7 W" V+ U# P! u7 M7 M5 F, t
3 b3 v' @: M) Z1 w) F+ X
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
- \* b! }: f! Q/ x- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段) {3 [$ E/ Q- R4 S8 ]. n* A
" C7 }# |! X8 V9 g, d2 H8 n" W10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析8 U1 x. ]9 n% R, o9 Q+ U- _
+ Z$ l! P. R3 _. g6 P8 K5 y/ ~
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析# o* U, U" ? B( `4 m* s7 E' o
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
, [7 P$ ?$ z+ G: W
0 @- f- |/ {5 A3 |% \
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
: x5 X8 e. }) S) f3 ^+ i( i- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳- |3 a6 x8 O5 J: g7 X
. x3 e& P4 o3 X# g, u' Q
13、面目全非的样品的分析
1 h! e5 X1 [% i' C0 V+ o; |# U* R
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院) B H9 [2 f6 P
' O& Y D2 h3 N& `! ~/ x8 j
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨$ W! P! D3 U1 a% K2 m [1 w! t
. }! g- g& k0 w- b' w |
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发表于 2020-2-5 16:06
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