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失效分析* w( V) E7 ^$ H
失效分析的总章与目录。* \( _; }$ h5 K7 I7 J
6 U0 t, A& V9 d失效分析基础7 _- y* @& y' f* @
l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
* E% r2 ?" x0 T+ M7 t' t3 gl 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……0 z, S6 J. F0 C
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准0 a# k( B, @& N! G/ S
) p9 \& q! x3 E8 D# C; O8 o) \, o# d
失效分析技术方法
' T& w2 |' m" ]# r* tA、失效分析的原则
% S, j; M' m5 W& o3 J4 @2 D2 X5 N& W' Z' @
B、失效分析程序' J. E9 \2 ^+ o1 _
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
3 t4 U& n4 w- W6 P5 B
' |: t7 ^* J. z0 E2 Q$ ~
C、失效信息收集的方法与具体工作内容; I1 ?1 p+ x- |) N4 J1 u$ E
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例" N) |# J4 }' y) D6 @! m9 k
% K4 N# U. U* |- \! E' r4 F
D、外观检查
' s2 E! Y3 g% d5 t4 W; }0 G. j- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
. C' b3 O* y' n2 M+ P
7 s1 g) z% H. N5 `, |& aE、电学测试4 N% C8 d& D+ z0 y0 [/ U7 y$ A
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备! b( J, d o% h3 i+ ^6 ]7 D
0 B0 C, V& p3 ~1 f$ J |& H. v
F、X－RAY
$ ^& e2 B% U' @# m7 Z- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较
2 m% t/ r; q- b. B2 ~, A
& N, Z6 G6 B: n
G、C-SAM, f0 N; h$ W& ?$ P+ e
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点0 A4 l; d$ i5 I( w; g* @
# |8 x4 N# d. b6 k @7 L1 C1 jH、密封器件物理分析
" ?- I9 @# q2 }4 f$ A: U- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例. w/ c( K$ ` a) r1 B3 e) {
8 Q$ S& ]5 @+ RJ、芯片剥层
+ j8 z- S& l; o% o; l2 ^+ }- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
: h7 H6 O, d% W# y
, Y+ X/ L' {1 o( i; T% P1 F- a. y( j
K、失效定位－SEM
# M: N& k! m' _6 a# J- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
! {: r8 m# @5 l
- _1 k1 m2 e8 |! D9 S9 `/ p* dL、失效定位－成份分析" i9 k0 h: ]- D1 \# N" c' a
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
' e ]4 r! c5 E7 @; w1 v% O
" Q8 u; z( T# r( j' @" {
M、内部热分析－红外热相
1 e: ^. t9 z. A" n+ W
I) T9 `+ z! \- H( Q# {N、内部漏电分析－EMMI
7 m8 T0 F. U- m' q- \. J
+ r4 [, P9 K$ S. TO、芯片内部线路验证－FIB
5 | e2 p E2 [( `$ E4 n) ]+ P, v+ ~# O7 x
P、综合分析与结论. p: d& M- S. [, O3 j
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
0 A7 u8 R+ @1 J& p c: e" e" y
# J. e. L0 G, Q0 _9 p
Q、验证与改进建议
. g' E& }" A( {% j8 ~- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪# w, W" p. U2 w9 G& B/ A
$ N: Q1 x$ ]: x) Y% t& ?" `1 [8 T
7 W8 D# n. K/ X; @2 [7 J各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
! W- `& H( G ~' A* q. Z3 C! m$ i3 r
1、失效分析全过程案例+ v5 @3 i/ O B- e% K' S7 ^4 z
- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
- a, z& e+ `8 `$ [8 }3 o) q
1 \ ^2 W- ?: Z0 G2 U& n9 E2、静电放电失效机理讲解与案例分析
& r) U% x) e+ i6 @, O- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）! c) U# `& Y8 S5 ~
8 p3 S9 u q2 s+ s0 n" }0 Z4 f' I/ E, y6 Y3、闩锁失效机理讲解与案例分析8 s" r* l; n4 r2 s) j
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计3 T. t3 L9 X% c3 H; Q, E
1 B- [; @0 O& Q: X% }4、过电失效类失效机理讲解与案例分析9 L: ]+ S5 q t" V1 S% e+ I$ W
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例8 i4 Z4 I& J" ?
- H' N. x* n W0 Z
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
% Q! [# ]6 E0 ^8 t; {3 s- A、机械应力常见的损伤类型
9 R& Q% o+ l( W
* n6 ]* O- P) f; \3 L) i7 w: [: {: _
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
" t9 g: B7 U5 v: k9 |- A、热变应力损伤的类型和特征
. i$ g1 J4 I3 T# E( `6 G' N: O
* L5 z+ N0 ^. s5 I7 O7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
% A+ x3 n* c/ m. }0 X2 ?- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段9 A, n" J' p" g7 z( O4 U
' r& U% I5 p$ X8 O
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析 F9 S8 h. R4 k1 Y( }2 u* z, c
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
6 q$ B" N5 C& ~1 m0 W, ^* K
) r& G k: H. q2 ~( a0 S( b, K
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析; D4 F" H$ l& E! U; N
- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段7 X, w( l* O2 j' g, h. ^1 a
7 V% o+ Z, G2 Z% m4 E& z, ? Y' W10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析# W* I3 |) _( v9 X+ o# p. V
! v5 e; B) V6 h/ e" G" p
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析+ K8 a( t( S' z* T, q$ t% x
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
: V. G" ~' `7 V c( b0 Q X7 M
$ D1 X$ U0 }: J
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析# v9 ~+ ~# r6 s; m0 g* |: {0 l# R5 T
- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳+ T) g ?: ?$ Z' W4 j2 \9 W! s6 L" C" |
) c& m0 T4 J9 C* t& p13、面目全非的样品的分析
/ x2 U* p- F$ u% v$ H# k I7 V0 r& e4 D" |
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院4 {8 f9 [( j6 _7 F% C& i
0 z! F2 F7 a6 R1 Q# r: P《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨5 q; C& M3 r1 R) ]8 ?$ V3 y8 S
9 Q6 q* N6 }. z; x
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发表于 2020-2-5 16:06
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