失效分析

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+ Z1 i' d  T6 o: `7 O: T: C失效分析
% N$ N& Z* X# s7 r失效分析的总章与目录。

+ I5 e: U& U5 a7 A; A$ @3 h( P7 w失效分析基础
, T8 @: G, ?; n% Y% il 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
5 r* `; X1 L' h" @0 ?4 Pl 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
# @$ G! M/ Y1 U% r( t
' O9 B# w0 Q- Q失效分析技术方法
& I' ?% ?: g; t, Y: `2 zA、失效分析的原则

B、失效分析程序
6 C8 k7 F# L9 r" J  o3 c1 P% K

• l 完整的故障处理流程
• l 整机和板级故障分析技术程序
• l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
  

0 s8 e1 m" w/ I0 o. dC、失效信息收集的方法与具体工作内容

• l 如何确定失效信息收集的关注点
• l 样品信息需要包括的内容
• l 失效现场外部信息的内容
• l 信息收集表格示例
• l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
  % D# H' l; g( |7 J( o2 Z( ~/ [  r

D、外观检查

• l 外观检查应该关注的哪些方面
• l 外观检查发现问题示例
• l 外观检查的仪器设备工具
  

+ Y! B/ c- J/ Q" I6 {E、电学测试

• l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
• l 电测的具体方法
• l 几种典型电测结果的机理解析
• l 电测时复现间歇性失效现象的示例
• l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
• l 电测的常用仪器设备
  

F、X－RAY
" e! s! X) y/ p3 z. e

• l X-RAY的工作原理与设备技术指标
• l 不同材料的不透明度比较
• l X-RAY的用途
• l X-RAY在失效分析中的示例
• l X-RAY的优缺点
• l X-RAY与C-SAM的比较
  

& v6 C  I( T$ R: F: x) ^6 }G、C-SAM
9 t" m; x+ T' p

• l C-SAM的工作原理与设备技术指标
• l C-SAM的特点与用途
• l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
• l C-SAM的优缺点
  * y2 f+ O9 V  k" I7 E

H、密封器件物理分析

• l PIND介绍
• l 气密性分析介绍
• l 内部气氛分析介绍
• I、开封制样
• l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
• l 化学开封发现器件内部失效点的示例
• l 切片制样的具体方法与步骤
• l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
  * `. q3 z( J: V! `; I0 w+ J% @7 o

J、芯片剥层
7 i% t& Z/ L! P  `

• l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
• l 去除金属化层的具体方法与示例
  : ?2 Z" z' X- H+ H! M

. |4 e9 n1 D- M2 M' W, U& d9 oK、失效定位－SEM
  |: u1 ~  O, U$ t' O1 Q

• l SEM的工作原理与设备特点
• l 光学显微镜与SEM的性能比较
• l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
  - x; W8 `5 u% U& @9 a& `1 O1 \% {

L、失效定位－成份分析
2 G3 |8 W/ j7 M, `" G7 _: m

• l 成份分析中的技术关注点经验
• l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
• l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
  5 r% B: B5 o8 e1 U5 y

M、内部热分析－红外热相

; g! T, B" D& M+ DN、内部漏电分析－EMMI

O、芯片内部线路验证－FIB
% V2 W7 |" \( x4 l* q
P、综合分析与结论

• l 综合分析中的逻辑思维能力
• l 结论的特点与正确使用
  

Q、验证与改进建议
: M- w& z. ]* j3 g2 m5 {

• l 根本原因排查与验证
• l 改进建议及效果跟踪
  ; A3 T: U! w; \. Q( D

各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
; A& S- U2 x% T+ d9 ^
1、失效分析全过程案例
7 ^) m! k5 S3 ^. S& X) W* a

• A、失效信息收集与分析
• B、思路分析
• C、过程方法
• D、逻辑推导
• E、试验手段
• F、综合分析
• G、结论与建议
  0 D8 W7 `- y" [- M1 e* T

2、静电放电失效机理讲解与案例分析

• A、静电损伤的原理
• B、静电损伤的三种模型讲解
• C、静电损伤的途径
• D、静电放电的失效模式
• E、静电放电的失效机理
• F、静电损害的特点
• G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）
  

$ z7 u; ]$ e1 d5 _3、闩锁失效机理讲解与案例分析

• A、闩锁损坏器件的原理
• B、闩锁损坏器件的特征
• C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
• D、闩锁与端口短路的比较
• E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
• F、静电与闩锁的保护设计
  

3 E+ ^4 }( b/ W2 g/ `4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
3 T3 h# y4 h8 I( k/ N. }

• A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
• B、对应不同类型的过电的失效案例
  

! s6 n% [6 ^- ?9 ?  E1 L5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
4 O+ j$ x* N" q: s+ C

• A、机械应力常见的损伤类型
  

+ U& b8 L2 G! Y$ q: I6、热变应力类失效机理讲解与案例分析

• A、热变应力损伤的类型和特征
  

( w6 u: p" v  v+ t7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析

• A、热结构缺陷的类型和特征
• B、发现缺陷的技术手段
  1 Y, X. D" u0 I! t1 h

% j2 ?! Q5 {+ O# b+ k, k% y8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析

• A、绕线材料缺陷
• B、钝化材料缺陷
• C、引线材料缺陷
• D、簧片材料缺陷
  + l' l4 E* L1 u5 j0 A& c

9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
: F7 K" i9 f" T" Z, Y

• A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
  , U3 ^8 r" D; e& ]$ `

10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析

11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
8 ~2 [7 k" f0 D+ F2 J) w0 K7 y" U$ U

• A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
  

12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析

• A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
  

13、面目全非的样品的分析
. w, u8 A* w. x  _7 B) A/ v* L+ N
$ @  L  Q4 W7 [  S; b& T来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院

《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
& K1 @+ H/ W4 ?( ?6 v

yin123

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