2019全球晶圆代工情况梳理

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2019全球晶圆代工情况梳理

一、工艺制程篇
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2019年第一季度，12nm工艺开发进入客户导入阶段，第二代FinFET N+1研发取得突破，进度超过预期。

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第二季度14纳米FinFET制程进入客户风险量产阶段，2019年第四季实现小批量生产。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入。

2、华虹集团
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2019年，华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举，构建集团核心竞争力。成熟工艺方面，65/55纳米射频和BCD平台全球依靠；而在先进工艺方面，28纳米（28LPC/28HK/28HKC+）成功量产；28纳米高介电常数金属栅级工艺（28nm HKC+）研发进展顺利；22纳米工艺发快速推进；14纳米工艺也取得突破，工艺全线贯通，SRAM良率达25%。

3、华润微电子

华润微电子旗下代工平台华润上华在BCD工艺平台上，经过多年的积累，已开发出全系列分段式电压的0.18µm BCD工艺平台，配置efuse、OTP、MTP，目前可提供6个电压段：7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V，并可提供BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案。据悉 90nm BCD工艺已经进入研发阶段。

华润上华推出基于0.18μm EN CMOS的优化版0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，优化后的工艺成本得到了大大的缩减，以mcu应用看，相较公司的0.18μm工艺节省成本约30%；以音频功放应用看，华润上华的0.153μm 5V EN CMOS工艺的成本已优于同行水平。

另外，华润上华的0.11μm ULL e-flash Logic工艺达到业界水平。

6 W5 o3 s' p* Y: @4、台积电

4月份推出6纳米(N6)制程技术，预计将在2020年实现量产，推出6纳米制程主要是为强化7纳米技术，提升效能/成本优势且加速产品上市时间。

7纳米工艺+EUV于2019年第3季量产。

12月，5纳米制程方面完成试产，工艺的良率达到35%-40%，意味着5nm工艺良率爬坡很顺利，2020年7月份正式进入大

规模量产阶段。

5 M% T4 W, b- M0 G. m2 K; \; _  V* H5、联电

联电在2019年推出28纳米的微缩版22纳米CMOS工艺，相较联电的28纳米工艺上可减少约10~15%的面积。

联电位于厦门的子公司联芯推出适用于AMOLED屏幕驱动的28纳米eHV和40纳米eHV工艺,以及适用于银行卡/ETC卡的55纳米工艺（55eNVM）。

- V3 @# L5 s# L1 |  z7 d2 N$ V6、三星

2019年4月份开始进行大规模生产7nm LPP EUV工艺；随后推出6LPP、5LPE芯片，目前已经完成试制，2020年上半年大规模生产。

7LPP工艺终极版4LPE工艺2019年第四季度完成开发，在2020年完成首批芯片制造，大规模生产应该会在2021年。

二、产能扩张篇
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中芯南方（12英寸14纳米）

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2019年中芯南方集成电路制造有限公司12英寸14纳米生产线正式投产，标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步，顺利完成《推进纲要》的目标。。

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2019年第一季度，中芯南方FinFET工厂首台光刻机搬入，开始产能布建，已经具备月产能3500片规模。

7 u2 U! Z% ?- b" U  j2、华虹集团
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2.1华虹无锡（12英寸）

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2020年1月1日举行首批功率器件晶圆投片仪式，并和无锡新洁能签约。华虹无锡的IC+Power战略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工艺平台陆续推出，可满足无锡绝大多数设计公司。

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2019年5月24日首台设备搬入，并举行了HHFAB7厂授牌仪式。2019年6月6日华虹无锡集成电路研发和制造基地12英寸生线一期3台光刻机台搬入；2019年9月17日试投片生产，标志着中国第一条12英寸90纳米/55纳米工艺的功率器件生产线投产。

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华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期项目总投资约25亿美元，新建一条工艺等级90-65/55纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。

2.2华力二期（12英寸）

自投产以来，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）的产能迅速爬坡，2019年第二季度达月产10000片，到第四季度装机产能达月产20000片。

上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）12英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目，总投资387亿元人民币，建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线，工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底达产。

4 R0 o" \3 E; `/ f3、武汉新芯

2019年武汉新芯二期扩产项目已经顺利投产，若顺利达产，武汉新芯月产能将达到5万片。

二期将紧抓物联网和5G运用的市场机遇，建设NOR Flash（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，根据规划，武汉新芯的NOR Flash闪存能力每个月扩充8000片，从月产能1.2万片扩至月产能2万片，微控制器每个月扩充5000片。

4、台积电
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2019年台积电总产能将微幅增加2%，扩增至1200万片约当12英寸晶圆。其中，以7纳米产能增加最多，总产能将超过100万片规模，将增加1.5倍。

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4.1台积电南科FAB18

台积电南科Fab 18工厂一期已经完成建设，5nm工艺将于2020年7月量产，月产能达到5.5万片。

4.2台积电南京FAB16（12英寸）

2019年月产能提升为15000片，2020年第一季达到20000片的规划产能。

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2018年10月31日，台积电正式对外宣布南京12英寸晶圆厂FAB16量产，提供12寸16nm FinFET晶圆代工业务。

% p( s7 k, A5 F3 Q; s0 ]5、联电

厦门联芯（12英寸）

2019年联芯集成一期满载月产能约为25000万片，实际产出每月18000+片，2020年将实施扩产。

/ n: O1 q/ C( z2 f6、合肥晶合（12英寸）
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2019年底月产能达到20000片规模，较2018年12月扩增1倍。

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2018年，晶合以110纳米-180纳米工艺制造LCD驱动芯片。由于因为股权问题，和力晶陷入冷冻期，此后不再从力晶进行技转，而是自研55纳米工艺技术逻辑工艺，原计划2019年量产，目前看来较计划有所落后。

6 W5 X- i/ d* z6 Q' J% t7、宁波中芯N1（8英寸）

2018年11月2日正式投产，规划月产能15000万。

中芯集成电路（宁波）有限公司分为N1（租用小港安居路现有厂房）与N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。

8、中芯绍兴（8英寸）

2019年6月19日，主体工程结顶；9月搬入工艺设备，10月完成了151台套设备的安装调试，2109年11月16日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司宣布8英寸生产线通线投片，2020年3月正式量产。

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中芯绍兴主要面向微机电和功率器件集成电路领域，专注于晶圆和模组代工，持续投入研发并致力于产业化。

9、三星代工（12英寸7纳米EVU）
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2019年4月，三星华城7nm EUV工厂的基础设施建设工作完成；目前已经完成装机工作；预计将于2010年一季度量产。

$ S" @: j6 u- g5 {# ~三、产能建设篇
3 r3 }) L. u* H8 x6 _$ J6 q2 V1、济南泉芯（12英寸）

泉芯集成12英寸晶圆制造线于2019年第一季度开工建设。目前到位资金约50亿。

泉芯集成12英寸晶圆制造线计划采用12nm/7nm的工艺节点。

2、无锡海辰（8英寸）

2019年12月12日，首批从韩国搬迁的工艺设备搬入海辰半导体厂房。

2019年2月27日，海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂主厂房正式封顶。

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2018年7月SK海力士表示，旗下晶圆代工子公司SK海力士系统IC公司与无锡市政府旗下的无锡产业发展集团有限公司组成的合资公司，2018年下半年启动工厂的建设。

3、宁波中芯N2（8英寸）

2019年2月28日，中芯宁波特种工艺N2项目正式开工。规划月产能30000万。

N2项目位于宁波市北仑区柴桥，项目用地面积192亩，建筑面积20万平方米，项目总投资39.9亿元，建设工期2019年-2021年，2019年计划投资5亿元。

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根据规划，N2项目建成后将形成年产33万片8英寸特种工艺芯片产能，同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。

; y( X$ @) Z/ B4、赛莱克斯（8英寸）

2019年12月25日，赛莱克斯北京8英寸项目一期开始设备搬入，较原计划有所迟缓。

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2018年赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司继续完善核心管理及人才团队，推进8英寸MEMS国际代工线建设项目的建设，2018年11月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。

5、台积电

台积电大幅上调2019年的资本开支，从原定110亿美元增加到150亿美元，其中25亿美元用于5nm工艺扩产，15亿美元用于7nm工艺扩产。南科Fab 18工厂二期工程规划5.5万片晶圆/月的产能，预计在2021年上半年准备就绪。

四、收购篇
1、积塔正式合并上海先进半导体
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2019年1月2日，积塔合并上海先进半导体得到国家市场监督总局批准；1月11日，上海先进半导体股东会和H股独立股东类别大会同意由积塔以吸收合并的方式将上海先进半导体私有化。

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2019年9月23完成所有工商变更。

2、联电收购三重富士通

2019年10月1日联电完成收购三重富士通半导体股份有限公司剩余84.1%的股权，收购剩余股份最终的交易总金额为544亿日元；2014年到2015年，联电分阶段逐步从和富士通半导体（FSL）手中取得三重富士通15.9%的股权。到此一桩历时5年的12英寸厂收购案终于落地，也是联电时隔7年再度在日本布局代工产线。

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三重富士通成为联华电子完全独资的子公司后，将更名为United Semiconductor Japan Co.，Ltd.（USJC）。

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三重富士通拥有两座12英寸厂房（B1、B2），分别于2005年4月和2017年4月投产，B1厂采用90nm工艺；B2厂初始采用65nm工艺，透过联华电子40nm技术的授权，2016年初开始40nm商用生产，2016年下半年40nm正式进入量产阶段；两个工厂合计月产能35000片。

6 J; `7 N7 c: i3、世界先进收购格芯FAB3E

2019年12月31日，世界先进（VIS）和格芯半导体（GLOBALFOUNDRIES）已经完成格芯半导体位于新加坡淡宾尼（Tampines）的8英寸晶圆厂Fab 3E的交割，包括厂房、厂务设施、机器设备以及MEMS智财权与业务。

Fab 3E现有月产能约35000片8英寸晶圆，预计2020年将为世界先进带来超过15%的产能扩增。

责编：Amy Guan
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