USB过压保护电路

QIXIN

电路都不对。核心是mos

myq001314

YOTC 发表于 2020-1-9 10:15
是PMOS上的字母“D”和“S”需要互换位置还是符号标识错误，符号应改为

6 z7 @8 I5 |: |; X% q3 \* H) o2 u我怎么感觉是楼主就是需要这样使用呀？？ 防止电压倒灌???

韦小宝Cc

YOTC 发表于 2020-01-09 10:15:00
" X# i, B, }3 N' O0 Z* `' Z( @2 Z
+ w1 s/ o7 z: o2 |0 Z  ]( U
是PMOS上的字母“D”和“S”需要互换位置还是符号标识错误，符号应改为

. ~8 E) ?/ L3 C- m/ X' A' Q
符号不对而已源极漏极没错的

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建议MAX20046，USB的IO阻抗很小，USB PHY非常容易烧坏，如果对产品接口保护要求比较高，建议直接采用集成电路

韦小宝Cc

NelsonOne 发表于 2020-01-08 22:59:03
+ E. H) G8 R' Z% x* b' d* lPMOS符号不对，这个电路实现的是过压关断，过压之后直接切断电源，保护后级电路；只加稳压二极管的话超压时后级电路还是在工作的

大佬，有一事不太明白。就是当电压超过5.1v的时候那么稳压管进入击穿状态，但是电压还是处于高电平状态吧，那么pnp三极管如何导通呢。那么怎么实现pmos关断的呢！

依利达

韦小宝Cc 发表于 2020-2-6 12:29
大佬，有一事不太明白。就是当电压超过5.1v的时候那么稳压管进入击穿状态，但是电压还是处于高电平状态 ...

. J! ?1 s7 }$ X, Y6 ?& o( Q2 x# B稳压管击穿后，Q1基极下拉到GND，Q1导通，PMOS 栅极升高后关闭切断电源供应。
; C! i8 Q* I. Q# q& Q9 X. ?$ W, w

韦小宝Cc

依利达 发表于 2020-02-06 17:59:04
[quote]韦小宝Cc 发表于 2020-2-6 12:29
大佬，有一事不太明白。就是当电压超过5.1v的时候那么稳压管进入击穿状态，但是电压还是处于高电平状态 ...

稳压管击穿后，Q1基极下拉到GND，Q1导通，PMOS 栅极升高后关闭切断电源供应。
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$ r4 w" S1 H6 E% g
, j; U! w: ^" \; a9 G# g但是击穿后，稳压管-极那里也没有变成低电平吧，应该还是高电平5.1v吧！我是参考稳压管电路超压以后，稳压管击穿，但是还是保持5.1v的电压
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依利达

韦小宝Cc 发表于 2020-2-6 20:07
稳压管击穿后，Q1基极下拉到GND，Q1导通，PMOS 栅极升高后关闭切断电源供应。

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3 A! y2 f' G5 E用稳压电源，试一个稳压二极管就知道了，电流调最少，电压慢慢上升，，直到短路，，当调到一个电压会出现短路的时候，这个时候的电压值就是此稳压管的稳压值！！如果加个大电流高很多的电压的时候，就是永久击穿，，！

韦小宝Cc

依利达 发表于 2020-02-08 13:41:20
[quote]韦小宝Cc 发表于 2020-2-6 20:07
稳压管击穿后，Q1基极下拉到GND，Q1导通，PMOS 栅极升高后关闭切断电源供应。

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) B, a( V8 P" e: X8 ~! N& t
用稳压电源，试一个稳压二极管就知道了，电流调最少，电压慢慢上升，，直到短路，，当调到一个电压会出现短路的时候，这个时候的电压值就是此稳压管的稳压值！！如果加个大电流高很多的电压的时候，就是永久击穿，，！
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7 ]  r% v% D9 F+ I+ r8 U+ Y+ h稳压二极管进入击穿状态应该是工作状态吧！只要电压不要过高，电流不要过大就不会烧坏吧！比如这个电路哦，输入7v的时候，这个稳压管应该进入了击穿状态，但是还是保持5.1v 吧！那么三级管基极还是5.1v吧！三极管没导通。他是怎么关断mos管的呢，小生不才，大佬多多指教！