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a.面封装型线性调整器的散热图案+ l! s* o8 Y5 g8 M
接着介绍输出电流1.0A 低饱和型线性调整器(linear regulator)散热图案设计技巧。三端子调整器构成组件非常少因此广被使用,图1 是由面封装型线性调整器NCP1117构成的降压电路;图2 是降压电路基板图案。1 W9 \) t {( N, A* Y: [; [
, `9 b2 q! A7 b+ k( L" F4 X; A图1 线性调节器构成的降压电路 图2 降压电路基板图案
4 ?7 P& N) s5 |2 X: x+ L0 e. q$ a 旁通电容器(bypass condenser) C1、C3 封装在半导体的输出入端子附近,NCP1117为面封装型半导体,使用电路基板图案作散热。图3 是NCP1117 的散热pattern 大小与容许电力-热阻抗的关系,例如输入8V,输出5V,输出电流400mA 时,半导体的损失利用输出、入的电压差(8V-5V=3V),乘上输出电流后等于3V×0.4A=1.2W,根据图3 可知NCP1117 需要7mm正方以上的散热pad。直接与散热pad连接时,如果输出平滑电解电容C4的电路基板图案太宽时,热量会经由图案传导至电容器造成电解电容温度上升,所以散热pad 与C4的基板图案必需案配合输出电流,尽量降低导线图案的宽度。
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图3 NCP1117的散热pattern大小与容许电力-热阻抗的关系
1 B0 J. ^, L& Z3 F) y, @ 同步整流step down converter BIC221C与控制电路,以及MOSFET驱动电路三者同时封装成一体,本电路的动作频率为300kHz,输入5V,输出2.5V/3A。图4(a)是step down converter电路图;图4(b)是BIC221C的内部方块图;图5(a)是电路基板组件面图案。如图4(b)所示,BIC221C内部方块图所示第4,6号脚架的GND,与第8 号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P.GND2明确分隔,如果按照图4(a)电路图指示,直接描绘含盖上述脚架配线图案的话,可能会造成误动作与噪讯增加等后果,因此设计电路基板图案时,必需将第8号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P,GND2 分开,避免第4,6 号脚架GND 大电流流动。具体方法如图5 所示,GND 的第4,6 号脚架在组件面连接,P.GND1 的第8 号脚架再与焊接面连接,大电流从C5 通过P.GND2 的第16 号脚架,再从Vout(11,12,13,14pin)通过L1 流入C5,P.GND1的第8号脚架从C1设置slit作连接,因此连接与第4,6 号脚架的GND 的图案不会有大电流流动。
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(a) 电路图
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; L: S% a# ~' S- B' t, a3 ] e3 t(b) BIC221C的内部方块图" \' l- P' [* O+ e" Z$ R
图4 同步整流式step down converter BIC221C构成的step down converter6 }/ B7 P* Y v, V- E' p# d
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(a) 组件面
4 c. K6 V+ g2 o; [) I/ k
/ Z- [$ h T' n* A$ O1 B; r(b)焊接图2 z5 I/ |0 R0 q1 P
图5 2.5V/3.3A输出的DC-DC converter 电路基板图案
9 m- s g9 w3 e zb. 光学耦合器构成的gate驱动电路基板图案7 i" D9 t: u8 y0 ]8 H& c1 ]
为避免控制电路遭受破坏,因此图6 将光学耦合器TLP351 与二极管构成的控制电路,以及功率MOSFET分离。" v4 N! g" I5 X9 y, \
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图6 photo coupler 构成的gate驱动电路5 j9 _, p5 I) H& `$ s. J( l2 X
图7 gate驱动电路的基板图案,光学耦合器的光学二极管单元属于电流驱动,光学晶体管与功率MOSFET 等gate 驱动单元则是电压驱动,所以光学耦合器封装在功率MOSFET 附近,此时必需避免光学二极管的正、负极的平行导线Ⓐ部位面积变大。
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! G9 k. L6 b/ J图7 gate驱动电路的基板图案* q4 n5 F0 i, d; R- N
c. 专用IC构成的gate驱动电路基板图案. E# k3 n. k4 |6 x8 a
IR2011 8pin驱动IC内嵌high side与low side的gate驱动电路,属于D 级audio增幅器与DC-DC converter 的gate驱动器。图8是专用IC的构成的gate驱动器电路;图9 是驱动电路的基板图案。
; j0 z8 ?/ I# Z' h6 c9 n2 l% m) \, Q 虽然设计上要求gate驱动IC尽量靠近功率MOSFET设置,远离功率MOSFET设置的场合,为避免high side的source电位波动,造成IC1 第4 脚架V5 的负电位波动,所以需将二极管D2设在gate驱动IC附近。此外为防止Tr1、Tr2误动作,因此source与gate的导线尽量邻接,此外控制信号的输入图案与COM图案两者必需平行设置。& D/ n7 y6 @8 u/ v3 [
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图8 专用IC的构成的gate驱动电路/ ?- V0 V& P* i" D8 w
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图9 专用IC的构成的gate驱动电路的基板图案 |
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