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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑 ) r, h; F6 a! Y; u
clandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]() & u- e7 o% M0 r+ u, |; o
晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
2 W2 u" y, @2 U' y% P6 Z7 V7 c t( r7 x* f
! l0 n& X& M- W如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。0 F% Y* j W( |( `5 e4 Y- t G
誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。1 u: y! H& z4 B+ y: {
: |& f8 j x& Y3 j, T8 V走線本身會有電容性，拉越長就越多，) C, |' v1 ]- r% l% z% m$ o
若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。
/ V4 y. L0 Q* C; ~0 n5 B
3 r7 w) E8 E& {- o6 [% V5 u這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，+ q; I6 E) E! _* ]2 |8 _7 S$ _
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。$ i- ~* R" s5 C- C8 J
但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，
) z5 D, T1 Y" a# n3 o0 A" Z電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。
# P# O5 D+ {: g Q
; @( i y* q* x) {0 Z h至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，
% @1 |+ l/ F! E. I+ {走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～/ Z9 j. H0 S. y! b! d1 S$ m; s
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发表于 2011-11-30 20:30
发表于 2011-12-5 23:29