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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑
6 `3 Q1 W! W- N \! Sclandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]() $ H7 k; _6 ~- z* c, g& F
晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
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) r6 F; F6 x6 h( e如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。
* G8 f# Q) W% _6 T+ p誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。# b" x% v! u% v* m
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走線本身會有電容性，拉越長就越多，' A2 O$ I. s; o( H. k, s7 Y% K
若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。: D1 g' m* C, [ K, D8 X' J6 r
f3 R% F# G9 I4 v4 P1 K) F這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，4 Y' Z- I: p- K1 v4 h T! v
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。
8 s# p, r+ l# E$ y9 n* x# N, x但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，
B/ w! |9 d0 K$ S1 J2 {! s( h電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。
1 c) t- d: p) w& E3 O b6 T( N! r7 e" V+ Y% S, w
至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，1 u4 O+ o# W$ Q
走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～
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发表于 2011-11-30 20:30
发表于 2011-12-5 23:29