制造商Advanced Semiconductor， Inc. 产品种类射频(RF)双极晶体管 RoHS符合 晶体管类型Bipolar Power 技术Si 晶体管极性NPN 直流集电极/Base Gain hfe Min10 集电极—发射极最大电压 VCEO36 V 发射极 - 基极电压 VEBO4 V 集电极连续电流20 A 最小工作温度- 65 C 最大工作温度+ 150 C 配置Single 安装风格Screw Mount 封装 / 箱体M174 封装Tray 工作频率30 MHz 类型RF Bipolar Power 商标Advanced Semiconductor， Inc. Pd-功率耗散270 W 产品类型RF Bipolar Transistors 子类别Transistors- _% C! a, }6 z* |* ~8 f
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发表于 2020-1-2 11:39
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