ddr2 的接续问题

wenao

各位大侠
现在碰到一个问题
就是ddr2内存接续的问题
现在系统cpu是三星的32位的s3c2450（ARM9核心），支持ddr，mobile ddr和ddr2
    The S3C2450 Mobile DRAM Controller supports three kinds of memory inteRFace - (Mobile) SDRAM and mobile
* m( N3 `, V% z1 XDDR and DDR2. Mobile DRAM controller provides 2 chip select signals (2 memory banks), these are used for up
to 2 (mobile) SDRAM banks or 2 mobile DDR banks or 2 DDR2 banks. Mobile DRAM controller can’t support 3
- l- O* L2 f: U6 |3 A% B7 okinds of memory interface simultaneous, for example one bank for (mobile) SDRAM and one bank for mobile
DDR.
DDR2 Features
− Support DDR2 having 4-bank architecture, don’t support 8-bank architecture.
− Support 16-bit external data bus interface
− Support AL(Additive Latency) 0, don’t support posted CAS, it needs EMRS setting.
8 E) m8 e5 h4 \1 F3 k. o− Don’t support ODT and nDQS function, it needs EMRS setting.
− All other features are same to the features of SDR/mDDR

但是我看他们接续的时候
0 m# ?+ c& }6 n7 O* G接续了两个ddr2 （32M*16），而内存上只有十六位数据线
于是他们就将两个内存芯片的数据线分为高十六位和低十六位
" G7 A5 g& R5 x1 l7 P) e2 S
  h+ e9 X( y7 Z/ W. g我的问题就是
1，要是接两个内存芯片的话必须这么接么？这么接有什么好处？
0 G% m8 j, ]; l" p/ K2，要是接两个芯片的话可不可以将两个芯片的数据线都接续到一起？
* L, c, K2 ^3 {& d7 M7 B7 e& X3，我现在是用了两个ddr2 （32M*16），但是我要是用一个ddr2 （64M*16）的话这两种方式谁更快一点，原因？
$ n2 j6 B8 X+ w1 r3 Z! \8 l4，现在内存标称频率还有待于选择，比如说我现在可以用ddr2 667的内存，也可以用ddr2 533的内存，要是都工作在533MHz的话
  I, L: C7 q1 A9 b" y7 _    ddr2 667的电磁干扰（EMI）会不会更大一点啊？

RiverSnail

你的CPU可能支持的是32位的数据，所以可以将两片DDR数据同时接上（一片作为高位，一边做低位）
这样的好处是一次可以读32位的数据，如果你只用一片64*16那么就只能一次读16位的数据，后者除了容量比一片32*16的内存大点没有其他优势，而且和两片32*16的内存比的话读写速度明显弱于后者，你想你一次读32位的数据和一次读16位的数据，这差异。。
: L, ?7 {' A, E8 z频率在667的话还要看你CPU支不支持667的速率，如果不支持，你用667的内存也白搭，从数据上都可以看出来明显667主频高于533，当然667操作的速度快，从EMI角度来讲的话，Maybe 667EMI大点吧，这个没有去验证过，不过布线遵循DDR布线规则的话，2者EMI上感觉没多大差别。