| 制造商 5 Z% I, t: X3 ?
 | DiodesIncorporated& A! v. u& t6 Y! o 
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| 产品种类5 q( p: V2 Y- {7 W# \5 x 
 | 双极晶体管-预偏置 + G+ Z! y2 V) v
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| RoHS # q. E  T3 ~2 A( N% ~/ E' g
 | 符合 ( W+ Q7 A, R& ?& `2 B" O
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| 配置! M& i: A! O+ d! a" H- ]& }5 M 
 | Single * E, c4 @+ A0 ?: H+ P
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| 晶体管极性6 ~1 G4 X7 Z8 z9 {7 ?5 y. X6 d 
 | PNP( I% h* r1 C# ^6 m 
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| 典型输入电阻器 ! I" y" X, q- L( @9 W
 | 3.3kOhms ) R; @/ I) m+ T7 U& x! x/ R
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| 典型电阻器比率 + Z- {9 c% p# r5 i- Z8 _
 | 0.33 % K. i' S: ]1 v7 U7 J* O& h4 i
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| 安装风格 0 `9 I; u) ?' r+ _3 L' N
 | SMD/SMT $ S$ C& p" o  ]! Q$ J
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| 封装/箱体& G0 }* C' R" N! c4 n 
 | SOT-23-3, D8 R- b$ M8 r* q 
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| 直流集电极/BaseGainhfeMin# V* j6 v2 C3 E2 m5 L 
 | 569 N2 _# n* F* O9 E! W6 @& E4 }; { 
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| 集电极—发射极最大电压VCEO6 |) z2 g6 k% z) k+ V% m4 M8 w  Z 
 | 40V  d0 z' H! F% }9 @3 C 
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| 集电极连续电流 3 v8 e1 T9 Z3 c
 | 500mA6 C( O0 k& z( `5 \4 l& S7 M 
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| 峰值直流集电极电流5 z* N) i1 ?# _! i8 m3 b- L  A 
 | 500mA ) @' A  [" B, C( V* g. \7 ]! P4 X( m
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| 最小工作温度 5 t8 E0 P% l* u
 | -55C2 i/ B) ~  Q0 a6 ]8 p/ w 
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| 最大工作温度 ! y+ a; w. {2 F
 | +150C 7 @. P" J5 T5 j) B/ U4 a6 q5 e
 | 
| 系列 9 T+ u( a$ a6 ~
 | DDTB133 $ h% R' P9 m- s$ l! X# v
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| 封装* G7 _% b6 F9 A9 d! j$ O 
 | Reel 4 H2 {) Y' y4 a' U5 p. v
 | 
| 高度 6 ~2 s9 u6 `; }+ z. b
 | 1mm * T/ x. |9 q7 ]# @7 O
 | 
| 长度 1 ]: N! m: ?; ?
 | 3.05mm7 w+ O4 R; C$ `' V+ U  b! i1 Z 
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| 宽度4 }$ d6 M- t$ g( E. Q' h1 D, o 
 | 1.4mm 0 c* |  U' d( P$ ?+ c; f6 S& o
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| 商标 , `' Q9 O. d4 r) R' t
 | DiodesIncorporated5 W- X0 o3 ~- U 
 | 
| 产品类型 3 I  M! {% M! N  Y" B
 | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased2 n6 a! U  p6 ]/ G; w. {9 h( B' b 
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| 工厂包装数量 5 ]! _% Y- b: [6 J/ H
 | 3000; t4 I$ C% `+ I, Q* }) C) q! F 
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| 子类别3 j; F6 y, i0 R$ P' S4 w% ] 
 | Transistors' G, A, G) [3 g; A$ h* H- j# S+ ^- d 
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| 单位重量8 ]6 c: M6 H/ Z 
 | 8mg) _6 p+ G5 ]2 ~5 i3 B" A 
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