制造商
" |- Q: ]$ W) @- p0 { | DiodesIncorporated* t7 X* V4 L X7 _$ ]0 V
|
产品种类$ l/ S( x5 c! B. n; j v: N5 J, I
| 双极晶体管-预偏置
* D2 U1 @. L" T+ F0 Z* g |
RoHS
: M* ]0 x" j( ` J: d2 P6 ?2 x! X | 符合
, W0 u# V& ]% ` |
配置" T- b5 t* j6 L. ]* w8 h
| Single0 G: k8 f, b" I4 z2 X# t
|
晶体管极性' e: m* r, ]( w3 }
| PNP
2 M( Y0 Y7 O' i |
典型输入电阻器
/ J; Z' B2 S. L; g5 I+ B8 v | 3.3kOhms
3 N/ z7 M# n4 D1 x$ q |
典型电阻器比率
v' I( U7 b/ O) f | 0.33
8 ^2 T& v; W) C {; g2 q |
安装风格# f3 J8 A5 [9 l8 J' |$ V4 [
| SMD/SMT& J' W7 z L( O& P V
|
封装/箱体( t" G: R) N% N( ^
| SOT-23-3
- y% ]3 ]5 V8 D& T4 i# m G |
直流集电极/BaseGainhfeMin
s. i+ s6 I4 @5 c/ A | 56; H! A/ P2 S. b8 Q: C# d
|
集电极—发射极最大电压VCEO
( g" P5 [. C _" @, F | 40V
! ~: g1 Q$ r9 X3 S! ]' w3 |! l: i |
集电极连续电流7 Q6 C5 [$ f1 L$ f: Q1 n
| 500mA/ D- Q% ?7 o, {( f% D0 _, W7 o
|
峰值直流集电极电流+ x- \# D; C' c' `
| 500mA
s' B6 D; C* H, }! P7 S |
最小工作温度
2 i6 `2 U0 i- b% o& m% t# M% L, s | -55C
, d5 u1 N- P: d |
最大工作温度6 `% r8 S. F4 E8 ~5 Y
| +150C& C4 Z d, g- x
|
系列" S' T5 `: D; r. Q, A# D7 n. E
| DDTB133) A \! k2 F# ^ B/ n7 G
|
封装
8 _2 \$ k! r0 h- x/ z5 p, e7 B3 [ | Reel' @5 X3 Z) f( O7 ?
|
高度) a. e! L8 ?7 E
| 1mm1 j Q9 q) M# _9 }% M
|
长度
% m7 i' {8 o3 Y( F# G/ z- N | 3.05mm( t' ~" A- s+ I X
|
宽度9 k" z; l+ `; N# `: R
| 1.4mm) H* W& [' u7 q+ E! G) ~( Y
|
商标 y8 i9 g7 S) T+ {) P, P
| DiodesIncorporated/ j$ r1 F- t; O H t
|
产品类型8 K5 \( t3 p' U5 U/ H9 x% B! D' O2 W
| BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased: _1 q- W+ J B7 w; C8 c0 m
|
工厂包装数量
% o" `3 U( [& `& K2 O* {0 p | 3000' u% c/ \, ]: d* @+ n% ^
|
子类别
. Y H' Q( Y0 e& s | Transistors
5 \; O: N. w1 c: v* [: s9 J1 }. ]9 @ |
单位重量
; U( c2 t& L( x4 D | 8mg
, \/ f+ P1 u/ X* O( _ |