制造商
) \3 |/ I+ a' }8 p) n | DiodesIncorporated( ~ ^8 R( z* [5 G0 @
|
产品种类; O" L# Z5 @! k2 u/ \+ w# j! ?- k
| 双极晶体管-预偏置
3 T6 m* Z; n0 [- w: {/ O |
RoHS
$ ]0 T, x' w" g | 符合. V# [7 T5 G8 ^9 ], {; o
|
配置
0 _% S9 t0 B+ c. {- s, J | Single5 F9 U7 ?- g+ b- Q
|
晶体管极性
8 b+ K! v8 `5 M* y2 X p" u: }7 y | PNP
0 D$ H; k2 }4 V. U+ e |
典型输入电阻器
" [6 Y9 p: \1 F! H$ j& r | 3.3kOhms9 X- v) S' ]* v* k9 ?7 ~
|
典型电阻器比率) d1 J' C- o- e+ a. ^+ ~
| 0.33& L0 e% ~; J% W! n- s
|
安装风格+ @! g6 b; D3 G" U$ i9 D6 G
| SMD/SMT0 _) f' z2 A2 E1 a4 p
|
封装/箱体& j7 e& o& P, V8 R4 `. T
| SOT-23-3% F) l* e7 y7 f( O ~; b% Z8 O7 U
|
直流集电极/BaseGainhfeMin
9 W/ j A5 w8 i N$ C: i+ L | 562 K6 r. i9 q/ R
|
集电极—发射极最大电压VCEO/ \6 q7 C# m0 H( \* {. y1 a8 s
| 40V" b# f% @6 b! D% W, g) |& B" f. N
|
集电极连续电流" G2 L9 W) C% s5 u7 n/ n3 E! A
| 500mA# p0 {3 o' k1 y8 {' ?
|
峰值直流集电极电流
" X' L* h- M; e/ P | 500mA
4 L$ c" _: \* i |
最小工作温度" A3 y( y6 W) r0 F
| -55C- G1 B! [, z$ s# }# v
|
最大工作温度
7 c0 J0 {+ Y' ]' @$ O+ \. c2 ?% X | +150C
6 j% }/ Z @5 f% |. L { |
系列$ W. k/ j& O0 P' s' D5 I6 M! v8 P
| DDTB133: n* Y L2 L- x0 }* Q; q
|
封装
, ^" r# @6 T9 B9 U0 _& f/ W7 d | Reel9 W9 f9 x4 _: G* ?% L. c) U5 z
|
高度
; R2 A' ?7 Y1 D! P7 g/ i1 _# H' B | 1mm$ B8 E8 O0 _. M9 c5 r+ h
|
长度5 W5 ]5 h6 ^( }1 s$ t* C1 x
| 3.05mm
9 e# ^6 Y. h0 R! L! r2 g& `7 p$ c |
宽度
8 l7 @1 X& [: g6 y ^6 t( k1 I | 1.4mm9 L2 V0 D4 H! O' v
|
商标' U8 T+ P7 F% x( @. T
| DiodesIncorporated% |; p+ P z: U) x9 }- H; ~" p
|
产品类型
) K/ W& C; \/ Y) ?: Y# h! p | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased
5 r7 b o1 d; w) A3 M9 B( p; v; F7 X/ ~ |
工厂包装数量, W: V4 { @8 f) o
| 3000
: t/ S/ Q' c+ N1 z) C+ G |
子类别0 m0 V- T2 h% |, j4 H7 L- i
| Transistors
# j) _' l" M7 P, `) [ |
单位重量
2 ~9 G+ K( Q# ]( m | 8mg n" [! r9 @% g, x. z
|
/1 
发表于 2019-12-26 10:53
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