制造商+ V4 F9 K1 K0 [& [9 J
| DiodesIncorporated
# R% M; x5 I4 O |
产品种类
4 B( O. b+ G0 s- f3 j0 @2 s | 双极晶体管-预偏置
# V6 t% o& v( O4 H8 h( R |
RoHS$ Y# u( p8 ?1 P. {
| 符合5 n( f2 x' [9 Y
|
配置
9 F D5 q# |' H: a# l6 x: b | Single
1 n# Z- J1 Z- E, h- B& ]/ j |
晶体管极性
( f* o* w5 e& j6 _ | PNP0 c$ H- S2 r* M1 @" \9 X& l
|
典型输入电阻器
/ C4 a1 U& G0 s% [# G6 p. F | 3.3kOhms, a, m" g5 B w7 }
|
典型电阻器比率9 f @' y% a7 W6 g1 G; _0 l) d
| 0.33! Z) q- s; q1 F, C* V( Y& L |
|
安装风格& X6 f8 K1 `7 T
| SMD/SMT
2 H/ E( x# f* Z/ l/ q- c |
封装/箱体
; } m& M* [" ?5 i% w: x# z | SOT-23-3% Y/ a. w% p( E! b8 p
|
直流集电极/BaseGainhfeMin" R% [3 f6 M& K9 H' @7 |) e3 g& D
| 56, g* N2 k" y3 x( S8 k
|
集电极—发射极最大电压VCEO
; @. J4 B9 t0 M1 u1 I | 40V
" l J5 o: @! y3 T6 ?/ p |
集电极连续电流: U, w9 {, i: p5 x% }/ r; ~! P" ]" L
| 500mA6 A; U) c3 q; Z; Z* `4 Z5 i
|
峰值直流集电极电流
- r! a& m8 f0 w/ P0 ^7 k2 D | 500mA
7 U, H3 P- y1 l1 n: T8 `, i- o9 c, J |
最小工作温度. o# e B8 p- ?# b) Q9 c, t
| -55C& p i- M3 V( I1 B& D
|
最大工作温度
1 o" ~+ z4 x2 U+ K | +150C, w, ]! g1 t2 O" O
|
系列& r' y3 [/ \5 [
| DDTB133, u- E: ]$ K( e5 M& u, ^
|
封装
w+ N+ _- w9 ^9 s6 V7 p5 c% S | Reel
+ O! s4 b; u* r, y9 \/ b7 t& d |
高度4 ?# L4 S4 ]3 c+ h4 @
| 1mm
3 A2 l- v t( y: y! a! C: U! O |
长度 |, D, j: h( R) `, B
| 3.05mm% B' e& i7 _7 v( t% h# g8 M
|
宽度& x& U9 ]% {3 B
| 1.4mm
, J1 W! m* b9 m0 q |
商标' u. v, t8 D) G1 d
| DiodesIncorporated
' w- C7 [$ T- }; h+ o: d+ _) ` |
产品类型
& k% F& g7 N& H4 L8 ^, t | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased+ \$ q, [9 t" T8 e/ E- Q: Z9 N( g
|
工厂包装数量) b/ U# r- u, T% x1 p; e7 y' h
| 3000
; x6 n( _; e! ]2 y R; m; @ |
子类别
# ^+ D* J- p1 p$ ~# ?$ J* G | Transistors4 j1 R+ n2 Y/ s# `' @. `
|
单位重量
0 E: Q3 Z2 {' e# w | 8mg3 P) e# ]; T9 L: C
|