制造商
' m0 V e+ H7 u Q | DiodesIncorporated+ N# s( Y9 w7 v1 O- \+ l
|
产品种类
6 g& b/ ]7 H! p, L8 s | 双极晶体管-预偏置* w/ d1 i+ b7 _0 q' `
|
RoHS
7 j* f" O! ^. e7 B! Y2 i3 L | 符合
; ?& K. Q# X1 d |
配置6 H% q6 U/ S& t' B5 ?
| Single
9 s F% C# h) ~1 t/ g |
晶体管极性
- e7 b! Z( g9 p | PNP9 c& }0 O% b) ^& \; V# O+ c+ R, ~
|
典型输入电阻器
6 B Y" j" E6 y3 M* _& N | 3.3kOhms
9 k1 Z5 I: g! D! } \4 _$ K |
典型电阻器比率
( z9 i# z/ `8 `$ ]4 c, S. S' T | 0.33
+ m+ b6 ?9 M7 |. r, F: M |
安装风格+ k2 j- V. h/ o
| SMD/SMT
0 A0 @% |) O! u* H& q( t |
封装/箱体7 E+ L) Z& n. R' U5 {% v: b
| SOT-23-3
# t0 }: ~+ @4 Q6 Z |
直流集电极/BaseGainhfeMin
2 U: H- R! F; s; _9 g8 F( W# G | 56# {- q' |; [5 V/ d) D& X0 V
|
集电极—发射极最大电压VCEO
& R9 _: M3 _( D1 ^ | 40V
: c2 N: Q2 L1 x& H5 L) r |
集电极连续电流
, B: `/ r( P7 s8 X | 500mA! D3 D K4 L0 ^( i9 C* G; Z8 C
|
峰值直流集电极电流( s) q! t* [" s
| 500mA9 Y# }9 V5 `& M; Q9 X2 h0 D3 e3 Q
|
最小工作温度
& c% J, G8 j' t( @1 v9 ]- ] | -55C- t) l1 D2 T3 j _4 V) I" m: d' b3 P
|
最大工作温度0 W1 G: g. K/ }
| +150C+ Q" j0 U7 e" X0 y+ P p3 }- q6 T
|
系列
. z7 K ]! z) J P) r- j5 k) U | DDTB133
* H0 G- a4 p7 c |
封装
( D7 ?# Q9 h$ D8 l, m | Reel! i' [: _3 J5 N+ U/ ]7 B7 B q
|
高度- x; [: C% B: w2 I) f) F
| 1mm/ @" h M# h, \
|
长度
% u/ e8 M5 q& N3 w2 i' L1 H | 3.05mm
5 [- [6 u+ f$ c, u0 v3 i: o |
宽度
* A( Y; P0 d; T9 e | 1.4mm) Z U/ Y) o* K/ L6 J/ g
|
商标
1 f+ _/ s( K! v- W N6 u | DiodesIncorporated' t0 ?+ b/ j; Q
|
产品类型
# J. o4 Y* ]) S! D0 L# b4 @1 }+ Y | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased- y* B1 G- ]# D
|
工厂包装数量
- V; o0 b3 Y% q& l* `7 P | 3000 @! a ^: t4 J$ J0 z# {# y
|
子类别
' n/ a. S1 P: A( O$ K0 I# s4 D& b | Transistors
% a4 D# b, J, U' A; f! E( _ |
单位重量
+ g1 W I2 |$ c4 G% m8 S6 V | 8mg
2 s1 f" g9 q0 H4 Z( \$ r% { |
/1 
发表于 2019-12-26 10:53
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