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目前公司有源标签使用的2.4G射频芯片内置NVM功能SI24R2E,不需要外挂MCU,分享给大家

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发表于 2019-12-26 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
0 J$ k9 z4 `8 X$ ^7 m, F7 `        Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段,专为低功耗有源RFID应用场合设计,集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz带宽的信道。
& \- m8 J7 v% n9 b; C& a: r       当打开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC工作时,芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时,自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态,因此Si24R2E的平均功耗非常低,对于电池供电应用,可以非常容易实现五年以上的待机时间。+ q0 W4 ]$ y2 M; y- |

  `" ?4 x$ j, T4 E$ h9 J  Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部mcu,可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。
  ]; ?2 W( g3 d/ i5 w$ `* z( A; I* ]- }$ u
  Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要额外接口,外部微控制器(MCU)通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射,芯片完全兼容Si24R1发射功能,在不打开自动发射功能时,芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。( V6 w4 l0 M& e- ^! I" G

& F2 j! j9 Q* i% v$ S. q+ N  Si24R2E具有非常低的系统应用成本,可以不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源,保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。; p! Y# p+ z( S; c! G# G
      主要特性" K9 y3 b, g$ L' F0 d* n
  1 Y: ~) \/ H! ?! F
      内置128次可编程NVM存储器
* N' b* n% j$ o( _# g6 t            $ s% f# z# {7 S; F
      3.3V编程电压
" }0 E9 i9 Q# r  % y! X0 B% N/ ~' C# H, d4 V5 I
  / {! I2 L' J% X; y
      超低功耗自动发射功能% X% V; i% A7 G9 d8 @2 p3 l; h
            
9 M/ v( y! Q9 R  A" z, }- N      内置硬件Watchdog0 x' V% M) R* C) [! p2 u- E
  
5 H) C' y$ J" T  
3 p" S3 K1 L2 u: H1 s  I2 E      内置3KHZ  RCOSC8 L' P4 S! F/ Q7 F/ n8 H
            
+ k& g; [' o# k! T+ {8 w7 o      内置低电压自动报警功能
6 T. ^, w, ?, K7 \- L  
5 ]' ~! `; d, K; B9 a  
! l7 I0 H' }8 E3 E7 p2 u! |      超低关断功耗:0.7uA5 }  x& |; W+ [0 Y& q& Z8 m6 i/ L
              p& V) O( C+ @( n; b: y1 M
      宽电源电压范围:1.9-3.6V
" e7 O- @4 L7 F$ f* Y# \  
" O- H2 S# }2 M" ?  0 u# i9 ?3 m6 \: ^; k1 [# P
      超低待机功耗:<15uA; z8 H* t2 w6 }6 V3 o" _
            : k. e7 i! s3 q3 t1 T/ M9 x
      数字IO电压:3.3V/5V
/ I) K+ D7 }- n$ k  
! {' D. S& c; F0 R9 @0 X  K  , F: j2 {2 u/ c; l7 l
      发射电流(2Mbps):13.5mA(0dBm)$ {* B# ]# H/ {# x) C3 q+ L
            & [' E: c+ h; u* ^* c
      内部集成高PSRR LDO4 a( ^  Q1 z* s7 D9 k
  
. b4 w/ F- \( Z' ^* |  
) z. P% z  \5 K4 |      最高发射功率:7dBm (23mA)
0 n* w9 L) L6 R8 x3 Q            ; M4 N" i0 z, A4 C) u6 V: M
      10MHz四线SPI模块6 v- J5 ?! C7 u) h
  : {( ^* {7 z) ~; P( p
  
4 l$ L% n# F2 G* v+ q      调制方式:GFSK/FSK
1 E$ V2 s1 L, S3 G/ R            ! l. t* a0 S3 R6 _9 U
      收发数据硬件中断输出
8 R3 r: I. @+ p) f  
) L: \: W0 P. ], A4 ~) @2 I0 t* o/ b7 O  
) e& ~6 o1 ~! y0 w, l9 u      数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
  P  l9 O7 d, l% Z7 r& q$ O, w: I            
2 b$ j( O& t& y3 L: P2 T6 c3 M      完全兼容Si24R2
% I3 U7 }2 V# K: s  $ r9 e/ l; K0 G5 A/ X' n
  ( h% S" G' R' m7 e/ u6 o% P. A4 P0 j
      快速启动时间:<130uS
$ X! a! v( t/ S: z            
2 \1 H: j4 A' s; {0 q0 I6 z      完全兼容Si24R1发射功能
; a6 I1 p3 M& E9 @$ X* Y7 w. l) V  1 K) l. e! K6 b5 ?5 e# ]+ r, ~
  
# z. }( N" d6 A! X- w7 @! }$ G      低成本晶振:16MHz±60ppm
; w1 e7 \/ t6 e$ p            ' J7 M. s' i' e. N+ {; O2 r
      QFN20封装或COB封装    目前这款对这款芯片有点小心得,项目也开始启动量产,我将这个芯片的数据手册以及案例发上来,给大家参考,同时欢迎各路大佬给建议或者交流。
7 B$ |9 S4 `5 U2 q/ \0 L

SI24R2E V3.0.pdf

2.04 MB, 下载次数: 2, 下载积分: 威望 -5

SI24R2E案例.pdf

915.14 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

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 楼主| 发表于 2019-12-26 13:32 | 只看该作者
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  • TA的每日心情
    开心
    2020-11-18 15:53
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    [LV.5]常住居民I

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    发表于 2019-12-26 15:13 | 只看该作者
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