关于mmic的偏置电路

prain

如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

prain

还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

cariban

这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

prain

cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31
3 t  F  ~, Y. Z$ J这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

/ Y0 t3 R- f2 x3 Z
刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了

THL

画错了嘛，是人就会出错的
9 v3 o4 f; U  X- w看起来你框住的那根线应该是多余的

prain

THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
1 Z9 `  ^) u. X" i画错了嘛，是人就会出错的
) o+ E. G! K0 _/ D! A看起来你框住的那根线应该是多余的

  z; Z/ F* n. |: Q; O2 ]0 o# {9 l这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。

THL

prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
) N6 I6 O; r( O' c3 [7 h3 {& ]

prain

cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13
% `. g7 M+ o4 J9 Y. @4 x7 @& F! {2 o4 X
& b2 [. p" b) I3 S8 P. j0 q! Z
5 b- \- c, ?/ |/ N, ~) I* ^' H[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
- E8 m4 m5 G/ h, Q/ N" `3 ^$ D这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN
6 V( A2 F" e$ \5 ?$ J
- D$ N7 H9 S- o) v8 Rdatasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。
6 J. t; G  [% J. B- A  P
参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。

1 Y( P0 f& S' @' _/ F# `
/ {0 q* R$ W6 @' f3 a+ o建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面

https://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
, @3 f# {0 v0 t
- T; L1 C+ F3 H2 P; |1 A# ]
$ a0 q- a% v, ?  i( P1 n
[/quote]

6 m4 [6 e1 w9 }8 P好的 万分感谢
! C( r9 K0 T9 |5 z2 F8 `# ~

prain

THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
3 d: J" N2 O: D8 {. b. [[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
: g1 d/ D3 a( w* n  g. A这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
3 S& E- m) {4 t; ~) Q, h! T[/quote]

' u  v2 [4 o# [那要做6-18g配置多大电容比较好呢
& ?% ?! M. [2 q8 v% {4 h( e

THL

prain 发表于 2019-12-18 17:27
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
- R% c/ S: e! f6 y具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
+ X/ }. h; l9 h4 U' A- z1 B6 z% f不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。

prain

THL 发表于 2019-12-18 19:07:42


/ O1 u3 o) c% s$ F- z" ^; d[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
+ d  A- v9 P+ h  _' k看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
9 W3 C0 }9 a  `. T; y0 M( B具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
/ u2 Y) {: `. O4 M% C: m, V' x) V" o不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
[/quote]

- ~8 ~! l, ^* s' ]) m" F好的 谢谢
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