关于mmic的偏置电路

prain

如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

prain

还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

cariban

这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

prain

cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31
) R" K: _8 A  n' L: d这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了
1 B8 K  M/ K, p% `

THL

画错了嘛，是人就会出错的
看起来你框住的那根线应该是多余的

prain

THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
画错了嘛，是人就会出错的
/ G( s# p9 k2 E% A: W0 v看起来你框住的那根线应该是多余的

% [3 T, H, N1 Y; r
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。
4 ~5 E3 D& `. m2 h4 F/ o

THL

prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

; O: W) s' k6 o, [! M1 _* [; f" M" K* U看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
: x' u' K. v" z6 K. p0 G

prain

cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13
5 x1 c1 X2 P2 u9 q# _& o2 J- H1 |

[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
4 S2 S; _( k5 v3 n& S这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

/ I2 Z: u8 u; I. ~( Ehttps://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN
- N. t' B) L. m2 R& R" y4 H, {
datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。
+ g, G9 M) P- b" v" y0 N9 P5 E; I
0 |3 M0 m) {/ f. A& m9 L( {参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。

3 z' F% g& F0 e# e8 h: [( Z+ k/ o
3 j6 x- q0 c/ `建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面

. ]- r; O" d$ V& }# [2 l, `- fhttps://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
, G: }" j( s8 a# t% D


5 A- L" l. w" o7 D5 p[/quote]

4 r. L0 H8 K1 L! H* j好的 万分感谢
! u' m8 y3 ~) Y! ~

prain

THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
; F! z9 k8 b8 ]4 k# T' A7 Z[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
2 x3 G1 o  {4 [5 h/ ^这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

5 X0 d# w4 p8 m+ y+ F5 M# R看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
( z$ S; v- ]8 E+ Y; q' I4 s这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
3 @8 }) c) M. p8 S2 d[/quote]

那要做6-18g配置多大电容比较好呢
9 [4 e8 s1 U, Q$ U4 M. o5 [. H, E& w

THL

9 G. R+ H  E* \

prain 发表于 2019-12-18 17:27
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

2 s' p" b7 t" y4 o6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。

prain

THL 发表于 2019-12-18 19:07:42


[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

) y. }! C' n; r; h& [7 S6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
7 q, t' O( Y+ p. x" I9 U不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
[/quote]

* M3 V- R# G6 ?2 b- q- m好的 谢谢
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