关于mmic的偏置电路

prain

如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

prain

还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

cariban

这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

prain

cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31
- u$ e  K' O2 j, o这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

, r/ }: Z) Q8 h, ^" y; s) Q: k1 X
: x, t2 ~3 q2 r0 A/ C7 l9 ]1 j刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了

THL

画错了嘛，是人就会出错的
1 \' Z/ P  Y5 X0 h/ J看起来你框住的那根线应该是多余的

prain

THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
( ?4 a) V" J1 y3 c画错了嘛，是人就会出错的
看起来你框住的那根线应该是多余的

+ a" |2 x) z6 f3 Z2 d
- R9 M- z4 o4 r  k* E) c) T这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。

THL

prain 发表于 2019-12-18 15:38
! t1 H) H; G9 `% W这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处

prain

cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13

9 B, N% {' C. Y& O/ k
[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
( d$ {1 y0 _$ @) c这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN

datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。

/ }- C  j+ ~; N  q  U) d$ `8 _参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。
% M! Z$ H" K7 \7 G/ B
9 y+ `, `/ G+ {
建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面
/ t6 u4 ~& ?2 g
/ q7 \6 p" y0 v6 g/ [https://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
& F0 c# L7 w" N" d
) r. Z) ^% P  @: z" D0 d, }. T

7 b( R& ^1 t0 c* Z& f8 v% `[/quote]

好的 万分感谢
3 b8 x5 M2 w) Y4 ?6 Q

prain

THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
- b& V8 T* H+ a* n0 x2 F[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

. R: p# |0 p# B2 f3 J6 }看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
8 V+ r0 C3 J2 J+ @1 b1 w7 K" O+ @[/quote]

那要做6-18g配置多大电容比较好呢

THL

5 F- B& E" a( K& Q. d; B8 m

prain 发表于 2019-12-18 17:27
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。

prain

THL 发表于 2019-12-18 19:07:42


[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

4 V3 q. V# }  T9 g/ |( q& l: m! w6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
6 U$ [( n* }  K$ r) K8 Y+ M不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
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* O! G/ B/ m  S% I6 J3 W- n$ G( \% j7 n
好的 谢谢