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CMOS转换电路是如何实现电平的转换的

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    发表于 2019-12-13 17:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    CMOS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。0 l4 A! N7 t: C
      CMOS缩写辨析
    : w* K0 b# e/ P( q: }7 j4 o" J- _  在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片,是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。/ n- D' a% M3 B+ X4 K/ X
      在今日,CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件,尤其是片幅规格较大的单反数码相机。

    ) ?8 O2 K% w" K" e7 H: Q  另外,CMOS同时可指互补式金氧半元件及制程。
    / Z/ f" I8 W" O. v5 r- v* C3 l  因此时至今日,虽然因为工艺原因,都叫做CMOS,但是CMOS在三个应用领域,呈现出迥然不同的外观特征:
    ; h+ B7 A! b1 v) e9 r( D  一是用于计算机信息保存,CMOS作为可擦写芯片使用,在这个领域,用户通常不会关心CMOS的硬件问题,而只关心写在CMOS上的信息,也就是BIOS的设置问题,其中提到最多的就是系统故障时拿掉主板上的电池,进行CMOS放电操作,从而还原BIOS设置。
    6 g) _: d% E0 y9 a  二是在数字影像领域,CMOS作为一种低成本的感光元件技术被发展出来,市面上常见的数码产品,其感光元件主要就是CCD或者CMOS,尤其是低端摄像头产品,而通常高端摄像头都是CCD感光元件。0 B# I" y! J* f; ?" l
      三是在更加专业的集成电路设计与制造领域。* ?# V( ]0 n/ V1 A9 S
      CMOS电路的供电电压VDD范围比较广在+5~+15V均能正常工作,电压波动允许±10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑 1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑 0。CMOS电路输出高电平约为 0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑 1,输入电压低于VSS+1.5V(VSS为数字地)为逻辑 0。; L# L# f( \/ J5 |2 Q
      TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑“1”,0V等价于逻辑“0”,这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。2 @2 c  S8 c1 q3 ?7 ]1 C
      标准TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大 0.8V,输出低电平最大 0.4V,典型值 0.2V(输入 H》2V,输入 L《0.8V;输出H 》2.4V(3.4V),输出L《0.4V(0.2V)。
    . e5 \' ]2 g$ L# a& p0 S' J) F/ s  CMOS电平是数字信号还是模拟信号?) Y8 [3 k' ?3 R! U$ g
      CMOS电平是数字信号,COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作,电压波动允许±10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0, 一般数字信号才是0和1 。需要PCB设计的同学用到线路板打样的话,可以找博主了解。

    ' u) Q& J9 o1 _: z# d- W4 |  cmos电平转换电路
    8 L# p  e, F5 T2 m0 C3 F6 r  1、 TTL电路和CMOS电路的逻辑电平
    9 d" d4 a  t* Q) n6 ], f/ o  VOH: 逻辑电平 1 的输出电压8 g) j! z! Q7 F) D# v& V% J
      VOL: 逻辑电平 0 的输出电压
    9 o8 I$ y8 `9 O% N9 ]8 H" \$ r  VIH : 逻辑电平 1 的输入电压
    0 ?& c+ L  W; W5 D/ m  VIH : 逻辑电平 0 的输入电压
    & w/ L& r: \6 }- o  TTL电路临界值:$ c- O$ ~* f9 r" g9 x( W/ u$ A
      VOHmin = 2.4V VOLmax = 0.4V VIHmin = 2.0V VILmax = 0.8VCMOS电路临界值(电源电压为+5V)VOHmin = 4.99V VOLmax = 0.01V VIHmin = 3.5V VILmax = 1.5V2、TTL和CMOS的逻辑电平转换CMOS电平能驱动TTL电平TTL电平不能驱动CMOS电平,需加上拉电阻。! l% o% C' C" H8 ?0 U7 b3 r
      3、用逻辑芯片特点& ]9 g3 b, V( @0 O  d. J3 q
      74LS系列: TTL 输入: TTL; 输出:TTL
    2 F5 A/ o8 g7 u# c; _# ?7 Q  74HC系列:CMOS输入: CMOS; 输出:CMOS
    " k, \- N$ G) M( ]  74HCT系列: CMOS 输入:TTL; 输出: CMOS1 Y" P% B$ X; f+ @* n/ N( g% H
      CD4000系列: CMOS 输入: CMOS 输出: CMOS。
      ?* K) h% x: g( L. c5 t  常用的几种电平转换方案2 H1 o% M; T, W$ F6 }2 ?3 K" z
      (1) 晶体管+上拉电阻法
    : D# M2 y0 g. H: M1 c& c  就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。( \  q( s- y9 T8 Q- m& d
      (2) OC/OD 器件+上拉电阻法/ D, O3 R, l: y) S* W- q' Y
      跟 (1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。3 {8 q: [, I6 `; N; [3 \
      (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V)
    - K6 \$ {, X) f. M3 G) V5 Z- |  凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 电平转换。
    9 {* K8 F* x0 f3 j1 `  ——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而 CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。
    3 \5 Y8 |+ z0 [- H  廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/。。。) 系列 (那个字母 T 就表示 TTL 兼容)。
    4 V5 e: g+ l' s1 \% K  a, e  (4) 超限输入降压法 (5V→3.3V, 3.3V→1.8V, 。。。)凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。
    : x* X/ _& |5 s+ |) C5 s  这里的“超限”是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。
    # \5 I, }) k5 ~7 b6 x7 S$ y  例如,74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明确注明“输入电压范围为0~5.5V”,如果采用 3.3V 供电,就可以实现 5V→3.3V 电平转换。
    1 v5 C$ w& w' C. m9 H7 l  (5) 专用电平转换芯片; l! e+ E- B" ?8 H
      最著名的就是 164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的 (俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。
    $ N2 [$ b) `8 z9 A. Q  (6) 电阻分压法3 N. d) t0 C8 n1 S
      最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。- B9 C' k- E4 l* ^! s7 p' q' z. M
      (7) 限流电阻法$ [" N% y7 F3 D% m# w6 Y
      如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源,但只要串联一个限流电阻,保证输入保护电流不超过极限(如 74HC 系列为 20mA),仍然是安全的。

    . P; W9 K0 `3 V% a% m( V+ s
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