航天器件及半导体分立器件的工艺、结构与材料的要求

DIOADE

航天用微电子器件及半导体分立器件的工艺、结构与材料应满足以下要求（随着技术发展及工艺公关，要求也是随之变化，所以内容仅供参考）。

1通用要求

• 禁止使用纯银、纯锡等金属材料，使用锡铅合金时，铅含量应大于3%；
• 除另有规定外，禁止使用锡铅焊密封工艺；
• 除另有规定外，密封元器件内部禁止使用有机/聚合物材料用于粘接、导热、保形加固等用途；
• 禁止元器件内部使用干燥剂材料；
• 慎用超声清洗工艺，所选功率、时间等工艺参数应经充分论证和试验验证。
• 禁止使用无钝化层的有源芯片；
• 生产过程关键工序执行SPC，具体要求在详细规范中规定；
• 禁止密封元器件使用真空封装（电真空器件除外）。
  
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2内部气氛含量控制要求

进行内部气氛含量测试的样品应为寿命试验后密封合格的样品，内部气氛含量控制水平在100℃时要求按以下规定执行：

• 单片裸芯片密封器件（不含单列要求的密封器件）：水汽含量≤3000ppm；氧气含量≤1000ppm；氢气含量≤1000ppm；二氧化碳含量≤1000ppm；有机气体：具体控制指标在详细规范中规定。

• 特殊裸芯片密封器件：包括GaAs器件、MOS器件、肖特基器件等，具体要求待定。
• 混合微电路（含混合集成结构的固体继电器和晶体振荡器）：水汽含量≤3000ppm；氧气含量≤1000ppm；氢气含量≤1000ppm；二氧化碳含量≤1000ppm；有机气体：具体控制指标在详细规范中规定。
• 微电路模块（含分立或复合结构的固定继电器和晶体振荡器）：水汽含量≤5000ppm。
  
  

3半导体集成电路要求

• 芯片粘接，推荐使用共晶焊。对于面积大于8mmX8mm的芯片，如果采用共晶焊工艺时存在难度时，可以使用导电胶等有机/聚合材料粘接芯片工艺，但承制方应进行必要性及可行性论证，并报用户认可，粘接材料应通过相应的性能考核，同时要加严考核内部气氛（如有机气体含量等），材料性能考核及气氛控制指标要求在详细规范中规定；
• 禁止使用倒装芯片封装工艺；
• 禁止使用梁式引线结构；
• 禁止在芯片上采用不同金属材料键合工艺；如果必须在芯片端用到金-铝键合，必须通过专门的工艺鉴定，工艺鉴定试验应至少包括高温储存、SEM检查和引线键合强度。高温储存试验样品应为密封合格样品，试验条件为300℃、24h；SEM检测主要观察开帽后键合点情况，要求金-铝扩散区域不得波及有源区（通过元素面分布情况确定）；高温储存后引线键合强度应满足标准要求；
• 慎用玻璃烧结芯片工艺；
  
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4混合集成电路要求

• 内部芯片粘接，推荐使用共晶焊。对于面积大于8mmX8mm的芯片，如果采用共晶焊工艺时存在难度时，可以使用导电胶等有机/聚合材料粘接芯片工艺，但承制方应进行必要性及可行性论证，并报用户认可，粘接材料应通过相应的性能考核，同时要加严考核内部气氛（如有机气体含量等），材料性能考核及气氛控制指标要求在详细规范中规定；
• 禁止使用倒装芯片封装工艺；
• 禁止使用不可评价的表面安装器件；
• 禁止在芯片上采用不同金属材料键合，如果必须用到金-铝键合，应通过工艺鉴定，工艺鉴定要求参见单片集成电路的要求；
• 慎用玻璃烧结芯片工艺；
• 不禁用BeO基板；如使用BeO基板，应按规定在器件正面标记警告标志。
  
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5半导体分立器件要求

• 禁止在芯片上采用不同金属材料键合，如果必须用到金-铝键合，应通过工艺鉴定，工艺鉴定要求见单片集成电路的要求；
• 禁用压接芯片连接方式；
• 禁用玻璃或树脂银浆芯片烧结工艺；
• 芯片粘接，推荐使用共晶焊。
  
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