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高压贴片电容
: S5 y7 ~; L/ k, P- v高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,
6 g. A5 g( o0 y, C: b! Q内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
" D& u+ h* P4 X) s' N5 S! f产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
, W8 Y z7 l) L# i: g* p$ x7 D) {. INPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,
. Z6 d1 a& s' ~ R用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,6 z1 n% C2 Z6 D- k4 r9 W( X/ n# N
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,
* [9 H; X' G( M所以不建义使用在交流电路中。
0 T7 S3 _, p* ]/ y+ U; s- r) E" s. x' D n( K
高压贴片电容分三类:
7 C- d+ c! f2 A- Z; |. J一类为温度补偿型NPO介质' I' S4 T- s# j) _/ |; T2 D
NP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。1 X7 D4 O$ g3 X2 H
二类为高介电常数型X7R介质
4 `+ }% Z# q2 A/ a: [% z, PX7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
/ A( {8 Z+ { J9 R. ]# `+ k三类为半导体型X5R介质8 W- `$ @; r: \
X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数: 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围: 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景./ b- @4 w) v* W& w% ~/ g" e
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