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高压贴片电容
. v# t& {* y. ?4 A9 f4 b; i高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,
" w6 C% P; x9 C4 N& @6 g内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
M$ L* ]5 ~4 I* [: i& Y! m产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。8 E& x4 ^7 B/ ~2 n8 h
NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,
6 o" d2 l2 D# A) x用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,
) y/ C& T# K6 @. h或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,% {, I+ F0 v) d8 U3 r- v) U
所以不建义使用在交流电路中。9 ?, I8 _0 V2 r* e1 F4 d+ c( c: n# H; t
/ R' P+ \% _' o$ V3 l" Y高压贴片电容分三类:) |7 d3 R2 t C
一类为温度补偿型NPO介质
9 [* }; P; d5 S' h0 ?% ZNP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
# I# u, S! V% L+ U+ M' c4 ]4 w二类为高介电常数型X7R介质
3 @' a# J' d; C5 k: b9 PX7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。# W9 {: K5 ~ Y. z3 H
三类为半导体型X5R介质! T; d' v5 O, f s
X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数: 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围: 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景. b* _, N( E0 Y- u$ s# a! i O
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